Sitemap

Semicorex 8-ইঞ্চি SiC Epitaxial Wafer ঘোষণা করেছে | 3C-SiC ওয়েফার উৎপাদন শুরু করুন | ক্যান্টিলিভার প্যাডেল কি? | SiC-কোটেড গ্রাফাইট সাসেপ্টর কি? | C/C কম্পোজিট কি? | 850V উচ্চ ক্ষমতার GaN HEMT এপিটাক্সিয়াল পণ্য মুক্তি পেয়েছে | আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট কি? | PVT পদ্ধতি দ্বারা উচ্চ মানের SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধির জন্য ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট | গ্রাফাইট বোটের মূল প্রযুক্তি প্রবর্তন করা হচ্ছে | গ্রাফাইটিসিং কি? | গ্যালিয়াম অক্সাইড (Ga2O3) প্রবর্তন করা হচ্ছে | গ্যালিয়াম অক্সাইড ওয়েফার অ্যাপ্লিকেশন | গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) অ্যাপ্লিকেশনের সুবিধা এবং অসুবিধা | সিলিকন কার্বাইড (SiC) কি? | সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট উত্পাদনের চ্যালেঞ্জগুলি কী কী? | SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসেপ্টর কি? | তাপ ক্ষেত্র নিরোধক উপাদান | প্রথম 6 ইঞ্চি গ্যালিয়াম অক্সাইড সাবস্ট্রেট শিল্পায়ন কোম্পানি | SiC স্ফটিক বৃদ্ধিতে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট উপকরণের তাত্পর্য | সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং এ সিলিকন এপিটাক্সিয়াল লেয়ার এবং সাবস্ট্রেটস | সিভিডি অপারেশনে প্লাজমা প্রক্রিয়া | SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধির জন্য ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট | একটি SiC বোট কী এবং এর বিভিন্ন উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলি কী কী? | TaC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট উপাদানের প্রয়োগ এবং উন্নয়ন চ্যালেঞ্জ | সিলিকন কার্বাইড (SiC) ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নেস | সিলিকন কার্বাইডের সংক্ষিপ্ত ইতিহাস এবং সিলিকন কার্বাইড আবরণের প্রয়োগ | অপটিক্যাল ফাইবার শিল্পে সিলিকন কার্বাইড সিরামিকের সুবিধা | SiC বৃদ্ধির মূল উপাদান: ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণ | শুকনো এচিং এবং ওয়েট এচিং এর সুবিধা এবং অসুবিধা কি? | Epitaxial এবং diffused Wafers এর মধ্যে পার্থক্য কি? | গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস: ফ্যাব্রিকেশন প্রক্রিয়ার একটি ভূমিকা | SiC বোট বনাম কোয়ার্টজ বোট: সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে বর্তমান ব্যবহার এবং ভবিষ্যত প্রবণতা | রাসায়নিক বাষ্প জমা (সিভিডি) বোঝা: একটি ব্যাপক ওভারভিউ | উচ্চ-বিশুদ্ধ CVD পুরু SiC: উপাদান বৃদ্ধির জন্য প্রক্রিয়া অন্তর্দৃষ্টি | ওয়েফার হ্যান্ডলিংয়ে ডিমিস্টিফাইং ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক চক (ESC) প্রযুক্তি | সিলিকন কার্বাইড সিরামিক এবং তাদের বৈচিত্র্যময় ফ্যাব্রিকেশন প্রক্রিয়া | উচ্চ-বিশুদ্ধতা কোয়ার্টজ: সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের জন্য একটি অপরিহার্য উপাদান | সিলিকন কার্বাইড সিরামিকের জন্য 9টি সিন্টারিং টেকনিকের একটি পর্যালোচনা | সিলিকন কার্বাইড সিরামিকের জন্য বিশেষ প্রস্তুতির কৌশল | কেন SiC সিরামিক প্রস্তুতির জন্য চাপহীন সিন্টারিং বেছে নিন? | সেমিকন্ডাক্টর এবং ফটোভোলটাইক সেক্টরে SiC সিরামিকের অ্যাপ্লিকেশন এবং বিকাশের সম্ভাবনা বিশ্লেষণ করা | কীভাবে সিলিকন কার্বাইড সিরামিক প্রয়োগ করা হয় এবং পরিধান এবং উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধে এর ভবিষ্যত কী? | দ্য স্টাডি অন রিঅ্যাকশন-সিন্টারড SiC সিরামিকস এবং তাদের বৈশিষ্ট্য | MOCVD প্রক্রিয়ায় SiC প্রলিপ্ত সাসেপ্টর | স্পেশালিটি গ্রাফাইটের জন্য সেমিকোরেক্স প্রযুক্তি | সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ডে SiC এবং TaC আবরণগুলির প্রয়োগগুলি কী কী? | PECVD প্রক্রিয়া | উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বাইড পাউডার সংশ্লেষন | ক্রমবর্ধমান ছিদ্রযুক্ত কার্বন উপাদান: সংশ্লেষণ এবং ভূমিকা | একটি ডামি ওয়েফার কি? | কাচের মতো কার্বন লেপ কী

SiC এপিটাক্সি কি? | এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার প্রক্রিয়া কি? | এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার কিসের জন্য ব্যবহৃত হয়? | একটি MOCVD সিস্টেম কি? | সিলিকন কার্বাইডের সুবিধা কী? | সেমিকন্ডাক্টর কি? | কিভাবে সেমিকন্ডাক্টর শ্রেণীবদ্ধ করা যায় | চিপের ঘাটতি একটি সমস্যা হতে থাকে | জাপান সম্প্রতি 23 ধরনের সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন সরঞ্জাম রপ্তানি সীমাবদ্ধ করেছে | SiC ওয়েফার এপিটাক্সির জন্য CVD প্রক্রিয়া | চীন বৃহত্তম সেমিকন্ডাক্টর সরঞ্জাম বাজার রয়ে গেছে | CVD চুল্লি আলোচনা | এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলির জন্য অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতি | TSMC: পরের বছর 2nm প্রক্রিয়া ঝুঁকি পরীক্ষা উত্পাদন | সেমিকন্ডাক্টর প্রকল্পে তহবিল | MOCVD হল মূল সরঞ্জাম | SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসেপ্টর বাজারের উল্লেখযোগ্য বৃদ্ধি | SiC এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়া কী? | কেন SiC-কোটেড গ্রাফাইট সাসেপ্টর নির্বাচন করবেন? | পি-টাইপ SiC ওয়েফার কি? | বিভিন্ন ধরনের SiC সিরামিক | কোরিয়ান মেমরি চিপ কমে গেছে | SOI কি | ক্যান্টিলিভার প্যাডেল জানা | SiC এর জন্য CVD কি? | তাইওয়ানের PSMC জাপানে 300mm Wafer Fab তৈরি করবে | সেমিকন্ডাক্টর গরম করার উপাদান সম্পর্কে | GaN শিল্প অ্যাপ্লিকেশন | ফটোভোলটাইক শিল্প উন্নয়ন ওভারভিউ | সেমিকন্ডাক্টরে সিভিডি প্রক্রিয়া কী? | TaC আবরণ | লিকুইড ফেজ এপিটাক্সি কি? | কেন তরল ফেজ এপিটাক্সি পদ্ধতি বেছে নিন? | SiC স্ফটিকের ত্রুটি সম্পর্কে - মাইক্রোপাইপ | SiC স্ফটিক মধ্যে স্থানচ্যুতি | ড্রাই এচিং বনাম ওয়েট এচিং | SiC এপিটাক্সি | আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট কি? | আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট তৈরির প্রক্রিয়া কী? | প্রসারণ চুল্লি কি? | কিভাবে গ্রাফাইট রড উত্পাদন? | ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট কি? | অর্ধপরিবাহী শিল্পে ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণ | এলপিই সরঞ্জাম | AlN ক্রিস্টাল বৃদ্ধির জন্য TaC আবরণ ক্রুসিবল | AlN ক্রিস্টাল বৃদ্ধির পদ্ধতি | CVD পদ্ধতি সহ TaC আবরণ | CVD-SiC আবরণে তাপমাত্রার প্রভাব | সিলিকন কার্বাইড গরম করার উপাদান | কোয়ার্টজ কি? | সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনে কোয়ার্টজ পণ্য | শারীরিক বাষ্প পরিবহন (PVT) প্রবর্তন করা হচ্ছে | গ্রাফাইট ছাঁচনির্মাণের 3 পদ্ধতি | সেমিকন্ডাক্টর সিলিকন একক স্ফটিকের তাপ ক্ষেত্রের আবরণ | GaN বনাম SiC | আপনি কি সিলিকন কার্বাইড পিষতে পারেন? | সিলিকন কার্বাইড শিল্প | গ্রাফাইটের উপর একটি TaC আবরণ কি? | বিভিন্ন কাঠামোর সাথে SiC স্ফটিকের মধ্যে পার্থক্য | সাবস্ট্রেট কাটিং এবং গ্রাইন্ডিং প্রক্রিয়া | TaC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট উপাদানের অ্যাপ্লিকেশন | MOCVD জানা | পরমানন্দ SiC বৃদ্ধি ডোপিং নিয়ন্ত্রণ | ইভি শিল্পে SiC এর সুবিধা | সিলিকন কার্বাইড (SiC) পাওয়ার ডিভাইস মার্কেটের সার্জ এবং আউটলুক | GaN জানা | সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসে এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা | এপিটাক্সিয়াল স্তর: উন্নত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের ভিত্তি | SiC পাউডার প্রস্তুত করার পদ্ধতি | সিলিকন কার্বাইড আয়ন ইমপ্লান্টেশন এবং অ্যানিলিং প্রক্রিয়ার ভূমিকা | সিলিকন কার্বাইড অ্যাপ্লিকেশন | সিলিকন কার্বাইড (SiC) সাবস্ট্রেটের মূল পরামিতি | SiC সাবস্ট্রেট প্রক্রিয়াকরণের প্রধান ধাপ | সাবস্ট্রেট বনাম এপিটাক্সি: সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে মূল ভূমিকা | তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টরগুলির পরিচিতি: GaN এবং সম্পর্কিত এপিটাক্সিয়াল প্রযুক্তি | GaN প্রস্তুতিতে অসুবিধা | সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার এপিটাক্সি প্রযুক্তি | সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার ডিভাইসগুলির পরিচিতি | সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে ড্রাই এচিং প্রযুক্তি বোঝা | সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট | SiC সাবস্ট্রেট প্রস্তুত করতে অসুবিধা | সম্পূর্ণ সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস ফ্যাব্রিকেশন প্রক্রিয়া বোঝা | সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে কোয়ার্টজের বিভিন্ন প্রয়োগ | SiC এবং GaN পাওয়ার ডিভাইসে আয়ন ইমপ্লান্টেশন প্রযুক্তির চ্যালেঞ্জ | আয়ন ইমপ্লান্ট এবং ডিফিউশন প্রক্রিয়া | CMP প্রক্রিয়া কি | সিএমপি প্রসেস কিভাবে করবেন | কেন Gllium Nitride (GaN) Epitaxy একটি GaN সাবস্ট্রেটে বৃদ্ধি পায় না? | জারণ প্রক্রিয়া | ত্রুটিমুক্ত এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ এবং মিসফিট ডিসলোকেশন | ৪র্থ প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর গ্যালিয়াম অক্সাইড/β-Ga2O3 | বৈদ্যুতিক যানবাহনে SiC এবং GaN এর প্রয়োগ | সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে SiC সাবস্ট্রেট এবং ক্রিস্টাল বৃদ্ধির গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা | সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট কোর প্রসেস ফ্লো | SiC কাটিং | সিলিকন ওয়েফার | সাবস্ট্রেট এবং এপিটাক্সি | মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন বনাম পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন | 3C-SiC এর হেটেরোপিটাক্সি: একটি ওভারভিউ | পাতলা ফিল্ম বৃদ্ধি প্রক্রিয়া | গ্রাফিটাইজেশন ডিগ্রী কি? | SiC সিরামিকস: সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে উচ্চ-নির্ভুল উপাদানগুলির জন্য অপরিহার্য উপাদান | GaN একক ক্রিস্টাল | GaN ক্রিস্টাল বৃদ্ধির পদ্ধতি | SiC সেমিকন্ডাক্টরে গ্রাফাইটের পরিশোধন প্রযুক্তি | সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নেসের প্রযুক্তিগত চ্যালেঞ্জ | গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) সাবস্ট্রেটের কী প্রয়োগ? | কার্বন-ভিত্তিক উপাদান পৃষ্ঠের উপর TaC আবরণ গবেষণা অগ্রগতি | আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট উৎপাদন প্রযুক্তি | তাপীয় ক্ষেত্র কি? | GaN এবং SiC: সহাবস্থান বা প্রতিস্থাপন? | ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক চক (ESC) কি? | সিলিকন এবং সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারের মধ্যে এচিং পার্থক্য বোঝা | সিলিকন নাইট্রাইড কি? | সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াকরণে জারণ | মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন উত্পাদন | Infineon বিশ্বের প্রথম 300mm পাওয়ার GaN Wafer উন্মোচন করেছে | ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নেস সিস্টেম কি? | এন-টাইপ 4H-SiC স্ফটিকগুলিতে বৈদ্যুতিক প্রতিরোধকতার বিতরণের উপর অধ্যয়ন | কেন সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন মধ্যে অতিস্বনক পরিষ্কার ব্যবহার | থার্মাল অ্যানিলিং কি | প্রাথমিক বৃদ্ধির পর্যায়ে তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে উচ্চ-মানের SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধি অর্জন | চিপ উত্পাদন: পাতলা ফিল্ম প্রক্রিয়া | কিভাবে সিরামিক ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক চক আসলে উত্পাদিত হয়? | আধুনিক সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে অ্যানিলিং প্রক্রিয়া | সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে উচ্চ-তাপীয় পরিবাহিতা SiC সিরামিকের চাহিদা কেন বাড়ছে? | সিলিকন উপাদান প্রবর্তন | SiC একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট প্রসেসিং | সিলিকন ওয়েফারে ক্রিস্টাল ওরিয়েন্টেশন এবং ত্রুটি | সিলিকন ওয়েফারের সারফেস পলিশিং | GaN এর মারাত্মক ত্রুটি | সিলিকন ওয়েফার পৃষ্ঠের চূড়ান্ত পলিশিং | কিভাবে সিলিকন কার্বাইড তৈরি করা হয়? | Wolfspeed জার্মান সেমিকন্ডাক্টর প্ল্যান্ট নির্মাণ পরিকল্পনা বিরতি | ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক চাকের গঠন (ESC) | নিম্ন তাপমাত্রার প্লাজমা এচিং কি? | Homoepitaxy এবং Heteroepitaxy সহজভাবে ব্যাখ্যা করা হয়েছে | কার্বন ফাইবার যৌগিক প্রয়োগ | সিলিকন সেমিকন্ডাক্টর চিপসের ভবিষ্যত সম্ভাবনার অন্বেষণ | SK Siltron মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রের শক্তি বিভাগের কাছ থেকে $544 মিলিয়ন ঋণ নিয়ে তার SiC ওয়েফার উৎপাদন প্রসারিত করেছে | GaN এর আবেদন | ডামি ওয়েফার কি | সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণে ত্রুটি সনাক্তকরণ | সেমিকন্ডাক্টর ডোপিং প্রক্রিয়া | এআই এবং পদার্থবিজ্ঞানের ফিউশন: নোবেল পুরস্কারের পিছনে সিভিডি প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন | এচিং প্রসেস প্যারামিটার | গ্রাফিটাইজেশন এবং কার্বনাইজেশনের মধ্যে পার্থক্য কী? | প্রায় $840 মিলিয়ন: অনসেমি একটি SiC কোম্পানি অর্জন করেছে | সেমিকন্ডাক্টরের একক: অ্যাংস্ট্রম | চিপ উৎপাদনে SiGe: একটি পেশাদার সংবাদ প্রতিবেদন | SiGe এবং Si নির্বাচনী এচিং প্রযুক্তি | PVT পদ্ধতি দ্বারা AlN স্ফটিক বৃদ্ধি | অ্যানিলিং | সেমিকন্ডাক্টর আয়ন ইমপ্লান্টেশন প্রযুক্তি কি? | SiC উৎপাদনে কোন চ্যালেঞ্জ জড়িত? | ওয়েফার উত্পাদন | Czochralski পদ্ধতি | 12-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের প্রয়োগের সম্ভাবনা | সিলিকন কার্বাইড অ্যাপ্লিকেশন | এসআইসির একক স্ফটিক বৃদ্ধিতে টিএসি লেপের সুবিধা | কীভাবে উন্নত উপকরণগুলি সেমিকন্ডাক্টর ফার্নেস ডিজাইনের 3 টি সমালোচনামূলক চ্যালেঞ্জগুলি সমাধান করে | সিলিকন কার্বাইড সিরামিক ঝিল্লির অ্যাপ্লিকেশনগুলি কী কী | অভ্যন্তরীণ সিলিকন | সিলিকন কার্বাইড সিরামিক ঝিল্লি: একটি নতুন বিচ্ছেদ ঝিল্লি যা বিভিন্ন অজৈব ঝিল্লি প্রতিস্থাপন করবে বলে আশা করা হচ্ছে | এসআইসি স্ফটিক বৃদ্ধিতে টিএসি লেপযুক্ত ক্রুশিবল | বৈদ্যুতিন গ্রেড সিলিকন কার্বাইড পাউডার | অ্যাল হিটার কি | অর্ধপরিবাহী সিরামিক অংশ | এলপিই হ'ল পি-টাইপ 4 এইচ-সিক একক স্ফটিক এবং 3 সি-সিক একক স্ফটিক প্রস্তুত করার জন্য গুরুত্বপূর্ণ পদ্ধতি | সিরামিক হিটার