Ltoi ওয়েফার

সেমিকোরেক্স উচ্চ-মানের এলটিওআই ওয়েফার সরবরাহ করে, যা আরএফ ফিল্টার, অপটিক্যাল ডিভাইস এবং এমইএমএস প্রযুক্তিতে উন্নত অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। আমাদের ওয়েফারগুলিতে 0.3-50 মিমি বেধের পরিসীমা সহ একটি লিথিয়াম ট্যানটালেট (এলটি) স্তর বৈশিষ্ট্যযুক্ত, ব্যতিক্রমী পাইজোইলেক্ট্রিক পারফরম্যান্স এবং তাপীয় স্থায়িত্ব নিশ্চিত করে।

6 ইঞ্চি এবং 8 ইঞ্চি আকারে উপলভ্য, এই ওয়েফারগুলি বিভিন্ন ডিভাইসের প্রয়োজনীয়তার জন্য বহুমুখিতা সরবরাহ করে এক্স, জেড এবং ওয়াই -42 কাট সহ বিভিন্ন স্ফটিক ওরিয়েন্টেশনগুলিকে সমর্থন করে। অন্তরক সাবস্ট্রেটটি সি, এসআইসি, নীলা, কাস্টমাইজ করা যেতে পারে

 স্পিনেল বা কোয়ার্টজ, নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য পারফরম্যান্স অনুকূলকরণ।

লিথিয়াম ট্যানটালেট (এলটি, লিটারো 3) ক্রিস্টাল একটি গুরুত্বপূর্ণ পাইজোইলেকট্রিক, ফেরোইলেক্ট্রিক, অ্যাকোস্টো-অপটিক এবং বৈদ্যুতিন-অপটিক প্রভাব সহ একটি গুরুত্বপূর্ণ বহুমুখী স্ফটিক উপাদান। পাইজোইলেক্ট্রিক অ্যাপ্লিকেশনগুলির সাথে মিলিত অ্যাকোস্টিক-গ্রেড এলটি স্ফটিকগুলি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ব্রডব্যান্ড অ্যাকোস্টিক রেজোনেটর, ট্রান্সডুসারস, বিলম্বের লাইন, ফিল্টার এবং অন্যান্য ডিভাইসগুলি প্রস্তুত করতে ব্যবহার করা যেতে পারে, যা মোবাইল যোগাযোগ, স্যাটেলাইট যোগাযোগ, ডিজিটাল সিগন্যাল প্রসেসিং, টেলিভিশন, সম্প্রচার, রাডেসিং, রিমোটিং এবং টেলিমেট্রি হিসাবে ব্যবহৃত হয়, অন্যান্য সামরিক ক্ষেত্র।

Dition তিহ্যবাহী সারফেস অ্যাকোস্টিক ওয়েভ (এসএই) ডিভাইসগুলি এলটি একক স্ফটিক ব্লকগুলিতে প্রস্তুত করা হয় এবং ডিভাইসগুলি বড় এবং সিএমওএস প্রক্রিয়াগুলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ নয়। উচ্চ-পারফরম্যান্স পাইজোইলেক্ট্রিক একক স্ফটিক পাতলা ফিল্মগুলির ব্যবহার করাত ডিভাইসগুলির সংহতকরণ উন্নত করতে এবং ব্যয় হ্রাস করার জন্য একটি ভাল বিকল্প। পাইজোইলেকট্রিক একক স্ফটিক পাতলা ছায়াছবির উপর ভিত্তি করে এসও ডিভাইসগুলি কেবল সেমিকন্ডাক্টর উপকরণগুলি স্তর হিসাবে ব্যবহার করে সাভ ডিভাইসগুলির সংহতকরণের সক্ষমতা উন্নত করতে পারে না, তবে উচ্চ-গতির সিলিকন, নীলকান্তমণি বা ডায়মন্ড সাবস্ট্রেটগুলি নির্বাচন করে শব্দ তরঙ্গগুলির সংক্রমণ গতিও উন্নত করতে পারে। এই স্তরগুলি পাইজোইলেকট্রিক স্তরটির অভ্যন্তরে শক্তি গাইড করে সংক্রমণে তরঙ্গগুলির ক্ষতি দমন করতে পারে। অতএব, ডান পাইজোইলেকট্রিক একক স্ফটিক ফিল্ম এবং প্রস্তুতি প্রক্রিয়া নির্বাচন করা উচ্চ-পারফরম্যান্স, স্বল্প ব্যয়বহুল এবং উচ্চ সংহত করাত ডিভাইসগুলি পাওয়ার মূল কারণ।

সংহতকরণ, মিনিয়েচারাইজেশন, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং বৃহত ব্যান্ডউইথের জন্য পাইজোইলেক্ট্রিক অ্যাকোস্টিক ডিভাইসগুলির পরবর্তী প্রজন্মের জরুরি প্রয়োজনগুলি পূরণ করার জন্য আরএফ ফ্রন্ট-এন্ডের সংহতকরণ এবং মিনিয়েচারাইজেশনের বিকাশের প্রবণতার অধীনে বৃহত ব্যান্ডউইথথের জন্য বড় ব্যান্ডউইথথের জন্য ক্রিস্টাল আইওন ইমপ্লান্টেশন স্ট্রিপিং প্রযুক্তি সংমিশ্রণ (সিআইএস) অবিরত করতে পারে এবং ওয়েফার বন্ডিং প্রযুক্তিগুলি কী ব্যবহার করতে পারে উচ্চতর পারফরম্যান্স এবং কম দামের আরএফ সিগন্যাল প্রসেসিং ডিভাইসগুলির বিকাশের জন্য নতুন সমাধান এবং সমাধান। এলটিওআই একটি বিপ্লবী প্রযুক্তি। এলটিওআই ওয়েফারের উপর ভিত্তি করে সাভ ডিভাইসগুলির ছোট আকার, বৃহত ব্যান্ডউইথ, উচ্চ অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি এবং আইসি ইন্টিগ্রেশনের সুবিধা রয়েছে এবং বিস্তৃত বাজারের প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে।

ক্রিস্টাল আয়ন ইমপ্লান্টেশন স্ট্রিপিং (সিআইএস) প্রযুক্তি সাবমিক্রন বেধের সাথে উচ্চমানের একক স্ফটিক পাতলা ফিল্ম উপকরণ প্রস্তুত করতে পারে এবং নিয়ন্ত্রণযোগ্য প্রস্তুতি প্রক্রিয়া, সামঞ্জস্যযোগ্য প্রক্রিয়া পরামিতি যেমন আয়ন ইমপ্লান্টেশন শক্তি, ইমপ্লান্টেশন ডোজ এবং অ্যানিলিং তাপমাত্রার সুবিধা রয়েছে। সিআইএস প্রযুক্তি পরিপক্ক হওয়ার সাথে সাথে, সিআইএস প্রযুক্তি এবং ওয়েফার বন্ডিং প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে স্মার্ট-কাট প্রযুক্তি কেবল সাবস্ট্রেট উপকরণগুলির ফলনকেই উন্নত করতে পারে না, তবে উপকরণগুলির একাধিক ব্যবহারের মাধ্যমে ব্যয়কে আরও হ্রাস করতে পারে। চিত্র 1 হ'ল আয়ন ইমপ্লান্টেশন এবং ওয়েফার বন্ধন এবং খোসা ছাড়ানোর একটি স্কিম্যাটিক ডায়াগ্রাম। স্মার্ট-কাট প্রযুক্তিটি প্রথম ফ্রান্সে এসওইটিইসি দ্বারা বিকাশ করা হয়েছিল এবং উচ্চমানের সিলিকন-অন-ইনসুলেটর (এসওআই) ওয়েফার [18] প্রস্তুতির জন্য প্রয়োগ করা হয়েছিল। স্মার্ট-কাট প্রযুক্তি কেবল উচ্চ-মানের এবং স্বল্প-ব্যয়যুক্ত এসওআই ওয়েফার তৈরি করতে পারে না, তবে আয়ন ইমপ্লান্টেশন শক্তি পরিবর্তন করে অন্তরক স্তরে এসআইয়ের বেধ নিয়ন্ত্রণ করতে পারে। অতএব, এসওআই উপকরণ প্রস্তুতিতে এটির একটি শক্তিশালী সুবিধা রয়েছে। এছাড়াও, স্মার্ট-কাট প্রযুক্তিতে বিভিন্ন একক স্ফটিক ফিল্মকে বিভিন্ন স্তরগুলিতে স্থানান্তর করার ক্ষমতাও রয়েছে। এটি বিশেষ ফাংশন এবং অ্যাপ্লিকেশনগুলির সাথে মাল্টিলেয়ার পাতলা ফিল্ম উপকরণ প্রস্তুত করতে ব্যবহার করা যেতে পারে যেমন এসআই সাবস্ট্রেটে এলটি ফিল্মগুলি তৈরি করা এবং সিলিকন (এসআই) এ উচ্চ-মানের পাইজোইলেকট্রিক পাতলা ফিল্ম উপকরণ প্রস্তুত করা। অতএব, এই প্রযুক্তিটি উচ্চমানের লিথিয়াম ট্যানটালেট একক স্ফটিক ফিল্ম প্রস্তুত করার কার্যকর উপায় হয়ে দাঁড়িয়েছে।