কোম্পানির খবর

পাইরোলাইটিক কার্বন, যাকে কখনও কখনও পাইরোলাইটিক গ্রাফাইট বলা হয়, গ্রাফাইট এবং নিরাকার কার্বনের মধ্যবর্তী একটি মেটাস্টেবল উপাদান, যা একটি সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠে উচ্চ তাপমাত্রায় কার্বন-ধারণকারী গ্যাসের (প্রধানত হাইড্রোকার্বন গ্যাস) রাসায়নিক বাষ্প জমা প্রক্রিয়া দ্বারা গঠিত হয়। (তাপগতিগতভাবে, গ্রাফাইট ......

বিভিন্ন ধরণের চুল্লির মধ্যে কাঠামোগত পার্থক্য

প্রতিক্রিয়া চেম্বার কনফিগারেশনের উপর ভিত্তি করে, তাপ চিকিত্সা সরঞ্জাম (ফার্নেস টিউব সরঞ্জাম) প্রধানত তিনটি বিভাগে বিভক্ত: উল্লম্ব চুল্লি টিউব, অনুভূমিক চুল্লি টিউব, এবং দ্রুত তাপ প্রক্রিয়াকরণ (RTP) চুল্লি।

উচ্চ-তাপমাত্রার চুল্লিতে Semicorex SiC উপাদান

SiC সিরামিক হল উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধী উপাদান, যা সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়ায় টেকসই। ইতিমধ্যে, উপাদান সেমিকন্ডাক্টর স্তর মেটাতে উচ্চ বিশুদ্ধতা হতে পারে। Semicorex 3D প্রিন্টিং প্রযুক্তি সহ বিভিন্ন কাস্টমাইজড SiC সিরামিক পণ্য সরবরাহ করে।

সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার বোট কতটা গুরুত্বপূর্ণ?

সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে, ফটোলিথোগ্রাফি এবং এচিং-এর মতো মূল প্রক্রিয়া সরঞ্জাম ছাড়াও, অন্য ধরনের মৌলিক উপাদান প্রক্রিয়ার স্থিতিশীলতায় গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে: ওয়েফার বোট।

সেমিকন্ডাক্টর CVD SiC প্রক্রিয়া প্রযুক্তির বিস্তারিত ব্যাখ্যা (Part.Ⅱ)

রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) প্রক্রিয়ায়, ব্যবহৃত গ্যাসগুলির মধ্যে প্রধানত বিক্রিয়ক গ্যাস এবং বাহক গ্যাস অন্তর্ভুক্ত থাকে। বিক্রিয়ক গ্যাসগুলি জমা হওয়া উপাদানের জন্য পরমাণু বা অণু সরবরাহ করে, যখন বাহক গ্যাসগুলি প্রতিক্রিয়া পরিবেশকে পাতলা এবং নিয়ন্ত্রণ করতে ব্যবহৃত হয়। নীচে কিছু সাধারণভাবে ব্যবহৃত......

সেমিকন্ডাক্টর CVD SiC প্রক্রিয়া প্রযুক্তির বিস্তারিত ব্যাখ্যা (Part.I)

রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) সিলিকন কার্বাইড (Sic) প্রক্রিয়া প্রযুক্তি নিয়ে আলোচনা করার আগে, আসুন প্রথমে "রাসায়নিক বাষ্প জমা" সম্পর্কে কিছু প্রাথমিক জ্ঞান পর্যালোচনা করি। রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) বিভিন্ন আবরণ প্রস্তুত করার জন্য একটি সাধারণভাবে ব্যবহৃত কৌশল। এটি একটি অভিন্ন পাতলা ফিল্ম বা আবরণ গঠ......