সিলিকন কার্বাইড (SiC) এপিটাক্সি হল সেমিকন্ডাক্টরের ক্ষেত্রে একটি মূল প্রযুক্তি, বিশেষ করে উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইসের উন্নয়নের জন্য। SiC একটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সহ একটি যৌগিক অর্ধপরিবাহী, যা এটিকে এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে যার জন্য উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-ভোল্টেজ অপারেশন প্রয়......
আরও পড়ুনএপিটাক্সিয়াল ওয়েফার প্রক্রিয়াটি সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে ব্যবহৃত একটি সমালোচনামূলক কৌশল। এটি একটি সাবস্ট্রেটের উপরে স্ফটিক উপাদানের একটি পাতলা স্তরের বৃদ্ধির সাথে জড়িত, যার একই স্ফটিক গঠন এবং অভিযোজন সাবস্ট্রেটের মতো। এই প্রক্রিয়াটি দুটি উপকরণের মধ্যে একটি উচ্চ-মানের ইন্টারফেস তৈরি করে, যা উন্নত ......
আরও পড়ুনএপিটাক্সিয়াল ওয়েফারগুলি কয়েক দশক ধরে ইলেকট্রনিক্স শিল্পে ব্যবহার করা হয়েছে, তবে প্রযুক্তির উন্নতির সাথে সাথে তাদের গুরুত্ব বেড়েছে। এই নিবন্ধে, আমরা এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারগুলি কী এবং কেন সেগুলি আধুনিক ইলেকট্রনিক্সের একটি অপরিহার্য উপাদান তা অন্বেষণ করব।
আরও পড়ুন