TaC আবরণ গ্রাফাইট একটি মালিকানাধীন রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) প্রক্রিয়া দ্বারা ট্যানটালাম কার্বাইডের একটি সূক্ষ্ম স্তরের সাথে একটি উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট স্তরের পৃষ্ঠের আবরণ দ্বারা তৈরি করা হয়।
ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) একটি যৌগ যা ট্যান্টালম এবং কার্বন নিয়ে গঠিত। এটির ধাতব বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা এবং একটি ব্যতিক্রমী উচ্চ গলনাঙ্ক রয়েছে, এটি একটি অবাধ্য সিরামিক উপাদান তৈরি করে যা এর শক্তি, কঠোরতা এবং তাপ এবং পরিধান প্রতিরোধের জন্য পরিচিত। ট্যানটালাম কার্বাইডের গলনাঙ্ক বিশুদ্ধতার উপর নির্ভর করে প্রায় 3880 ডিগ্রি সেলসিয়াসে শীর্ষে থাকে এবং বাইনারি যৌগগুলির মধ্যে এটি সর্বোচ্চ গলনাঙ্কগুলির মধ্যে একটি। এটিকে একটি আকর্ষণীয় বিকল্প করে তোলে যখন উচ্চ তাপমাত্রার চাহিদা যৌগিক সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল প্রসেস যেমন MOCVD এবং LPE তে ব্যবহৃত কর্মক্ষমতা ক্ষমতাকে ছাড়িয়ে যায়।
Semicorex TaC আবরণ এর উপাদান তথ্য
|
প্রকল্প |
পরামিতি |
|
ঘনত্ব |
14.3 (gm/cm³) |
|
নির্গততা |
0.3 |
|
CTE (×10-6/কে) |
6.3 |
|
কঠোরতা (HK) |
2000 |
|
প্রতিরোধ (ওহম-সেমি) |
1×10-5 |
|
তাপীয় স্থিতিশীলতা |
<2500℃ |
|
গ্রাফাইটের মাত্রা পরিবর্তন |
-10~-20um (রেফারেন্স মান) |
|
আবরণ পুরুত্ব |
≥20um সাধারণ মান(35um±10um) |
|
|
|
|
উপরেরটি সাধারণ মান |
|