চীন ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট প্রস্তুতকারক, সরবরাহকারী, কারখানা

বেশিরভাগ SiC সাবস্ট্রেট প্রযোজক আজকাল একটি ক্রুসিবল ডিজাইন ব্যবহার করেন যাতে গরম ক্ষেত্রের প্রক্রিয়ার জন্য একটি ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট সিলিন্ডার জড়িত থাকে। প্রক্রিয়াটির মধ্যে গ্রাফাইট ক্রুসিবল প্রাচীর এবং ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট সিলিন্ডারের মধ্যে উচ্চ-বিশুদ্ধতার SiC কণা স্থাপন করা এবং ক্রুসিবলকে গভীর করা এবং এর ব্যাস বাড়ানো জড়িত। এটি ফিডস্টকের বাষ্পীভবন এলাকা বাড়ায় এবং চার্জের পরিমাণও বাড়ায়।

নতুন প্রক্রিয়াটি ক্রিস্টাল ত্রুটির সমস্যা সমাধান করে যা কাঁচামালের উপরের অংশের পুনঃক্রিস্টালাইজেশনের কারণে উদ্ভূত হয় কারণ উৎস উপাদান পৃষ্ঠের বৃদ্ধি ঘটে, যা সাবলিমেটেড উপাদানের প্রবাহকে প্রভাবিত করে। তদুপরি, নতুন প্রক্রিয়াটি ক্রিস্টাল বৃদ্ধির জন্য কাঁচামাল এলাকার তাপমাত্রা বন্টনের সংবেদনশীলতা হ্রাস করে, ভর স্থানান্তর দক্ষতা স্থিতিশীল করে, বৃদ্ধির শেষ পর্যায়ে কার্বন অন্তর্ভুক্তির প্রভাব হ্রাস করে এবং SiC স্ফটিকগুলির গুণমানকে আরও উন্নত করে। উপরন্তু, নতুন প্রক্রিয়া একটি বীজহীন ক্রিস্টাল ট্রে ফিক্সেশন পদ্ধতি গ্রহণ করে যা বীজ স্ফটিকের সাথে লেগে থাকে না, যার ফলে তাপীয় প্রসারণ মুক্ত হয় এবং চাপ উপশম সহজতর হয়। এই নতুন প্রক্রিয়া তাপ ক্ষেত্রের অপ্টিমাইজ করে এবং ব্যাপকভাবে সম্প্রসারণের দক্ষতা উন্নত করে।

এটি লক্ষ করা গুরুত্বপূর্ণ যে এই নতুন প্রক্রিয়া দ্বারা প্রাপ্ত SiC একক স্ফটিকগুলির গুণমান এবং ফলন ক্রুসিবল গ্রাফাইট এবং ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের শারীরিক বৈশিষ্ট্যের উপর নির্ভর করে। যাইহোক, বাজারে সরবরাহ বর্তমানে ক্রমবর্ধমান চাহিদার তুলনায় খুবই কম।

ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের মূল বৈশিষ্ট্য:

উপযুক্ত ছিদ্র আকার বিতরণ;

যথেষ্ট উচ্চ porosity;

প্রক্রিয়াকরণ এবং ব্যবহারের প্রয়োজনীয়তা মেটাতে যান্ত্রিক।

Semicorex আপনার প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী কাস্টমাইজড উচ্চ-মানের ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট পণ্য অফার করে।