রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) SiC প্রক্রিয়া প্রযুক্তি উচ্চ-পারফরম্যান্স পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স তৈরির জন্য অপরিহার্য, সাবস্ট্রেট ওয়েফারগুলিতে উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বাইড স্তরগুলির সুনির্দিষ্ট এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধিকে সক্ষম করে৷ SiC-এর প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ এবং উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা ব্যবহার করে, এই প্রযুক্......
আরও পড়ুনরাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) প্রক্রিয়ায়, ব্যবহৃত গ্যাসগুলির মধ্যে প্রধানত বিক্রিয়ক গ্যাস এবং বাহক গ্যাস অন্তর্ভুক্ত থাকে। বিক্রিয়ক গ্যাসগুলি জমা হওয়া উপাদানের জন্য পরমাণু বা অণু সরবরাহ করে, যখন বাহক গ্যাসগুলি প্রতিক্রিয়া পরিবেশকে পাতলা এবং নিয়ন্ত্রণ করতে ব্যবহৃত হয়। নীচে কিছু সাধারণভাবে ব্যবহৃত......
আরও পড়ুনবিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতিতে গ্রাফাইট পণ্যগুলির জন্য বিভিন্ন কর্মক্ষমতা প্রয়োজনীয়তা রয়েছে, সুনির্দিষ্ট উপাদান নির্বাচনকে গ্রাফাইট পণ্যগুলির প্রয়োগের একটি মূল পদক্ষেপ করে তোলে। অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ কর্মক্ষমতা সহ গ্রাফাইট উপাদানগুলি নির্বাচন করা শুধুমাত্র কার্যকরভাবে তাদ......
আরও পড়ুনরাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) সিলিকন কার্বাইড (Sic) প্রক্রিয়া প্রযুক্তি নিয়ে আলোচনা করার আগে, আসুন প্রথমে "রাসায়নিক বাষ্প জমা" সম্পর্কে কিছু প্রাথমিক জ্ঞান পর্যালোচনা করি। রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) বিভিন্ন আবরণ প্রস্তুত করার জন্য একটি সাধারণভাবে ব্যবহৃত কৌশল। এটি একটি অভিন্ন পাতলা ফিল্ম বা আবরণ গঠ......
আরও পড়ুনএকক ক্রিস্টাল বৃদ্ধির তাপীয় ক্ষেত্র হল একক স্ফটিক বৃদ্ধির প্রক্রিয়া চলাকালীন উচ্চ-তাপমাত্রার চুল্লির মধ্যে তাপমাত্রার স্থানিক বন্টন, যা একক স্ফটিকের গুণমান, বৃদ্ধির হার এবং স্ফটিক গঠনের হারকে সরাসরি প্রভাবিত করে। তাপীয় ক্ষেত্রকে স্থির-স্থিতি এবং ক্ষণস্থায়ী প্রকারে ভাগ করা যায়। স্থির-স্থিত তাপীয......
আরও পড়ুন