সিলিকন কার্বাইড (SiC) এর চমৎকার বৈদ্যুতিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্যের কারণে পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস তৈরিতে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। SiC স্ফটিকগুলির গুণমান এবং ডোপিং স্তর সরাসরি ডিভাইসের কার্যকারিতাকে প্রভাবিত করে, তাই ডোপিংয়ের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ SiC বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার......
আরও পড়ুনভৌত বাষ্প পরিবহন পদ্ধতি (PVT) দ্বারা SiC এবং AlN একক স্ফটিক বৃদ্ধির প্রক্রিয়ায়, ক্রুসিবল, বীজ স্ফটিক ধারক এবং গাইড রিংয়ের মতো উপাদানগুলি একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। SiC তৈরির প্রক্রিয়া চলাকালীন, বীজ স্ফটিক তুলনামূলকভাবে কম তাপমাত্রার অঞ্চলে অবস্থিত, যখন কাঁচামাল 2400 ডিগ্রি সেলসিয়াসের বে......
আরও পড়ুনSiC সাবস্ট্রেট উপাদান হল SiC চিপের মূল। সাবস্ট্রেটের উৎপাদন প্রক্রিয়া হল: একক স্ফটিক বৃদ্ধির মাধ্যমে SiC ক্রিস্টাল ইনগট পাওয়ার পর; তারপর SiC সাবস্ট্রেট প্রস্তুত করার জন্য মসৃণ করা, গোলাকার, কাটা, নাকাল (পাতলা করা) প্রয়োজন; যান্ত্রিক মসৃণতা, রাসায়নিক যান্ত্রিক মসৃণতা; এবং পরিষ্কার, পরীক্ষা, ইত্যা......
আরও পড়ুনসিলিকন কার্বাইড (SiC) হল এমন একটি উপাদান যা ব্যতিক্রমী তাপীয়, ভৌত এবং রাসায়নিক স্থিতিশীলতা ধারণ করে, বৈশিষ্ট্যগুলি প্রদর্শন করে যা প্রচলিত উপকরণগুলির বাইরে যায়৷ এর তাপ পরিবাহিতা একটি আশ্চর্যজনক 84W/(m·K), যা শুধুমাত্র তামার চেয়ে বেশি নয় বরং সিলিকনের চেয়েও তিনগুণ বেশি। এটি তাপ ব্যবস্থাপনা অ্যাপ......
আরও পড়ুনসেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের দ্রুত বিকশিত ক্ষেত্রে, এমনকি সর্বোত্তম কর্মক্ষমতা, স্থায়িত্ব এবং দক্ষতা অর্জনের ক্ষেত্রে ক্ষুদ্রতম উন্নতিগুলিও একটি বড় পার্থক্য আনতে পারে। একটি অগ্রগতি যা শিল্পে প্রচুর গুঞ্জন তৈরি করছে তা হল গ্রাফাইট পৃষ্ঠে TaC (ট্যান্টালম কার্বাইড) আবরণের ব্যবহার। কিন্তু TaC আবরণ ঠিক কী এ......
আরও পড়ুন