Lnoi ওয়েফার

বিপরীতে, লিথিয়াম নিওবেট পাতলা ছায়াছবি (এলএনওআই ওয়েফার) একটি উল্লেখযোগ্য রিফেক্টিভ ইনডেক্স বিপরীতে সরবরাহ করে, ওয়েভগাইডগুলিকে কেবল দশক মাইক্রন এবং সাবমিক্রন ক্রস-বিভাগগুলির বাঁকানো রেডিয়াই রাখতে সক্ষম করে। এটি উচ্চ-ঘনত্বের ফোটন ইন্টিগ্রেশন এবং শক্তিশালী হালকা বন্দিদশা, আলো এবং পদার্থের মধ্যে মিথস্ক্রিয়াকে বাড়িয়ে তোলে।

এলএনওআই ওয়েফারগুলি পালস লেজার ডিপোজিশন, জেল-জেল পদ্ধতি, আরএফ চৌম্বকীয় স্পটারিং এবং রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন সহ বিভিন্ন কৌশল ব্যবহার করে প্রস্তুত করা যেতে পারে। যাইহোক, এই কৌশলগুলি থেকে উত্পাদিত এলএনওআই প্রায়শই একটি পলিক্রিস্টালাইন কাঠামো প্রদর্শন করে, যার ফলে হালকা সংক্রমণ হ্রাস বৃদ্ধি পায়। অতিরিক্তভাবে, ফিল্মের শারীরিক বৈশিষ্ট্য এবং একক-স্ফটিক এলএন এর মধ্যে যথেষ্ট ব্যবধান রয়েছে, যা ফোটোনিক ডিভাইসের কার্যকারিতা নেতিবাচকভাবে প্রভাবিত করে।

এলএনওআই ওয়েফারগুলি প্রস্তুত করার জন্য সর্বোত্তম পদ্ধতিতে আয়ন ইমপ্লান্টেশন, ডাইরেক্ট বন্ডিং এবং থার্মাল অ্যানিলিংয়ের মতো প্রক্রিয়াগুলির সংমিশ্রণ জড়িত, যা বাল্ক এলএন উপাদান থেকে শারীরিকভাবে এলএন ফিল্মটি ছিটিয়ে এবং এটি একটি স্তরটিতে স্থানান্তর করে। গ্রাইন্ডিং এবং পলিশিং কৌশলগুলি উচ্চমানের এলএনওআইও ফলন করতে পারে। এই পদ্ধতির আয়ন রোপনের সময় এলএন স্ফটিক জালির ক্ষতি হ্রাস করে এবং স্ফটিক গুণমান বজায় রাখে, তবে শর্ত থাকে যে ফিল্মের বেধের অভিন্নতার উপর কঠোর নিয়ন্ত্রণ ব্যবহার করা হয়। LNOI ওয়েফারগুলি কেবল বৈদ্যুতিন-অপটিক্যাল, অ্যাকোস্টো-অপটিক এবং ননলাইনার অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলির মতো প্রয়োজনীয় বৈশিষ্ট্যগুলি ধরে রাখে না তবে একটি একক স্ফটিক কাঠামোও বজায় রাখে, যা কম অপটিক্যাল সংক্রমণ ক্ষতি অর্জনের জন্য উপকারী।

অপটিকাল ওয়েভগাইডগুলি ইন্টিগ্রেটেড ফোটোনিকগুলিতে মৌলিক ডিভাইস এবং তাদের প্রস্তুতির জন্য বিভিন্ন পদ্ধতি বিদ্যমান। এলএনওআই ওয়েফারগুলিতে ওয়েভগাইডগুলি প্রোটন এক্সচেঞ্জের মতো traditional তিহ্যবাহী কৌশলগুলি ব্যবহার করে প্রতিষ্ঠিত হতে পারে। যেহেতু এলএন রাসায়নিকভাবে জড়, এচিং এড়াতে, সহজেই এচড উপকরণগুলি লোডিং স্ট্রিপ ওয়েভগাইডগুলি তৈরি করতে এলএনওআইতে জমা করা যায়। স্ট্রিপগুলি লোড করার জন্য উপযুক্ত উপকরণগুলির মধ্যে রয়েছে টিআইও 2, এসআইও 2, সিনেক্স, টিএ 2 ও 5, চালকোজেনাইড গ্লাস এবং সিলিকন। রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং পদ্ধতি ব্যবহার করে তৈরি করা একটি এলএনওআই অপটিকাল ওয়েভগাইড 0.027 ডিবি/সেমি এর প্রচার ক্ষতি অর্জন করেছে; যাইহোক, এর অগভীর ওয়েভগাইড সাইডওয়াল ছোট বাঁকানো রেডিয়ির সাথে ওয়েভগাইডগুলির উপলব্ধি জটিল করে তোলে। প্লাজমা এচিং পদ্ধতি ব্যবহার করে প্রস্তুত এলএনওআই ওয়েফার ওয়েভগাইডটি কেবল 0.027 ডিবি/সেমি এর সংক্রমণ ক্ষতি অর্জন করেছে। এটি একটি উল্লেখযোগ্য মাইলফলক উপস্থাপন করে, এটি ইঙ্গিত করে যে বৃহত আকারের ফোটন ইন্টিগ্রেশন এবং একক-ফোটন-স্তরের প্রক্রিয়াজাতকরণ উপলব্ধি করা যায়। অপটিক্যাল ওয়েভগাইডগুলি ছাড়াও, মাইক্রো-রিং/মাইক্রো-ডিস্ক রেজোনেটর, শেষ এবং গ্রেটিং কাপলার এবং ফোটোনিক স্ফটিক সহ এলএনওআইতে অসংখ্য উচ্চ-পারফরম্যান্স ফোটোনিক ডিভাইস তৈরি করা হয়েছে। বিভিন্ন কার্যকরী ফোটোনিক ডিভাইসগুলিও সফলভাবে তৈরি করা হয়েছে। লিথিয়াম নিওবেট (এলএন) স্ফটিকগুলির ব্যতিক্রমী বৈদ্যুতিন-অপটিক্যাল এবং ননলাইনার অপটিক্যাল প্রভাবগুলি উপকারে অন্যান্য ফোটোনিক কার্যকারিতার মধ্যে উচ্চ-ব্যান্ডউইথ অপটলেক্ট্রোনিক মড্যুলেশন, দক্ষ ননলাইনার রূপান্তর এবং বৈদ্যুতিন-অপটিকালি নিয়ন্ত্রণযোগ্য অপটিকাল ফ্রিকোয়েন্সি কম্বেন্সি কম্বেন্সি প্রজন্মের জন্য অনুমতি দেয়। এলএন একটি অ্যাকোস্টো-অপটিক প্রভাবও প্রদর্শন করে। এলএনওআই-তে প্রস্তুত অ্যাকোস্টো-অপটিক মাচ-জেহেন্ডার মডুলেটরটি সাসপেন্ডেড লিথিয়াম নিওবেট ফিল্মে অপ্টোমেকানিকাল ইন্টারঅ্যাকশনগুলিকে ব্যবহার করে একটি মাইক্রোওয়েভ সিগন্যালের ফ্রিকোয়েন্সি সহ একটি মাইক্রোওয়েভ সিগন্যালকে রূপান্তর করতে 1500 এনএম এর তরঙ্গদৈর্ঘ্যে আলোকিত করে, দক্ষ মাইক্রোওয়েভ-টু-অপটিক্যাল সিগন্যাল রূপান্তরকে সহজতর করে।

অধিকন্তু, নীলাভের স্তরটির উপরে এলএন ফিল্মে বানোয়াট অ্যাকোস্টো-অপটিক মডিউলেটরটি নীলাভের উচ্চ শব্দ বেগের কারণে একটি স্থগিতাদেশের কাঠামোর প্রয়োজনীয়তা এড়িয়ে চলে, যা অ্যাকোস্টিক তরঙ্গ শক্তি ফুটো হ্রাস করতে সহায়তা করে। এলএনওআই-তে বিকশিত ইন্টিগ্রেটেড অ্যাকোস্টো-অপটিক ফ্রিকোয়েন্সি শিফটারটি অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড ফিল্মের উপর বানোয়াটদের তুলনায় উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সি শিফট দক্ষতা প্রদর্শন করে। বিরল পৃথিবী-ডোপড এলএনওআই ব্যবহার করে লেজার এবং পরিবর্ধকগুলিতেও অগ্রগতি করা হয়েছে। যাইহোক, এলএনওআই ওয়েফারগুলির বিরল পৃথিবী-ডোপড অঞ্চলগুলি যোগাযোগ অপটিক্যাল ব্যান্ডে উল্লেখযোগ্য আলো শোষণ প্রদর্শন করে, যা বৃহত আকারের ফোটোনিক সংহতকরণকে বাধা দেয়। এলএনওআই -তে স্থানীয় বিরল পৃথিবী ডোপিং অন্বেষণ করা এই সমস্যাটির সমাধান সরবরাহ করতে পারে। ফোটোডেটেক্টর তৈরি করতে নিরাকার সিলিকন এলএনওআইতে জমা দেওয়া যেতে পারে। ফলস্বরূপ ধাতব-সেমিকন্ডাক্টর এবং ধাতব ফটোডেটেক্টরগুলি 635-850 এনএম এর তরঙ্গদৈর্ঘ্য জুড়ে 22-37 এমএ/ডাব্লু এর একটি দায়বদ্ধতা দেখায়। একই সাথে, LNOI- তে III-V সেমিকন্ডাক্টর লেজার এবং ডিটেক্টরদের সংহত করে এই উপাদানটিতে লেজার এবং ডিটেক্টরগুলি বিকাশের জন্য আরও একটি কার্যকর সমাধান উপস্থাপন করে। যাইহোক, প্রস্তুতি প্রক্রিয়াটি জটিল এবং ব্যয়বহুল, ব্যয় হ্রাস করতে এবং সাফল্যের হার বাড়ানোর জন্য উন্নতি প্রয়োজন।