> পণ্য > ওয়েফার > SiC সাবস্ট্রেট > 4 ইঞ্চি উচ্চ বিশুদ্ধতা সেমি-ইনসুলেটিং HPSI SiC ডাবল-সাইড পলিশ করা ওয়েফার সাবস্ট্রেট

পণ্য

নতুন পণ্য

4 ইঞ্চি উচ্চ বিশুদ্ধতা সেমি-ইনসুলেটিং HPSI SiC ডাবল-সাইড পলিশ করা ওয়েফার সাবস্ট্রেট

সেমিকোরেক্স বিভিন্ন ধরনের 4H এবং 6H SiC ওয়েফার সরবরাহ করে। আমরা বহু বছর ধরে ওয়েফার সাবস্ট্রেটের প্রস্তুতকারক এবং সরবরাহকারী। আমাদের 4 ইঞ্চি উচ্চ বিশুদ্ধতা সেমি-ইনসুলেটিং HPSI SiC ডাবল-সাইড পালিশ ওয়েফার সাবস্ট্রেটের একটি ভাল দামের সুবিধা রয়েছে এবং বেশিরভাগ ইউরোপীয় এবং আমেরিকান বাজারকে কভার করে। আমরা চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

সেমিকোরেক্সের একটি সম্পূর্ণ সিলিকন কার্বাইড(SiC) ওয়েফার পণ্যের লাইন রয়েছে, যার মধ্যে রয়েছে 4H এবং 6H সাবস্ট্রেট সহ N-টাইপ, P-টাইপ এবং উচ্চ বিশুদ্ধতা সেমি-ইনসুলেটিং ওয়েফার, এগুলি এপিটাক্সির সাথে বা ছাড়াই হতে পারে।

আমাদের অত্যাধুনিক 4 ইঞ্চি উচ্চ বিশুদ্ধতা সেমি-ইনসুলেটিং HPSI SiC ডাবল-সাইড পলিশড ওয়েফার সাবস্ট্রেট, একটি শীর্ষ-অফ-দ্য-লাইন পণ্য যা উন্নত ইলেকট্রনিক এবং সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনগুলির চাহিদা পূরণের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।

4 ইঞ্চি উচ্চ বিশুদ্ধতা সেমি-ইনসুলেটিং HPSI SiC ডাবল-সাইড পালিশ ওয়েফার সাবস্ট্রেট মূলত 5G কমিউনিকেশন, রাডার সিস্টেম, গাইডেন্স হেডস, স্যাটেলাইট কমিউনিকেশন, যুদ্ধবিমান এবং অন্যান্য ফিল্ডে ব্যবহৃত হয়, আরএফ রেঞ্জ, অতি-লং-রেঞ্জ বাড়ানোর সুবিধা সহ। সনাক্তকরণ, অ্যান্টি-জ্যামিং এবং উচ্চ-গতি, উচ্চ-ক্ষমতা তথ্য স্থানান্তর এবং অন্যান্য অ্যাপ্লিকেশন, মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার ডিভাইস তৈরির জন্য সবচেয়ে আদর্শ স্তর হিসাবে বিবেচিত হয়।

স্পেসিফিকেশন:

● ব্যাস: 4″

● ডাবল পালিশ

●l গ্রেড: উৎপাদন, গবেষণা, ডামি

● 4H-SiC HPSI ওয়েফার

● বেধ: 500±25 μm

●l মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব: ≤1 ea/সেমি²~ ≤10 ea/সেমি²

আইটেম	উৎপাদন	গবেষণা	ডামি
ক্রিস্টাল পরামিতি
পলিটাইপ	4H
সারফেস ওরিয়েন্টেশন অন-অক্ষ	<0001 >
সারফেস ওরিয়েন্টেশন অফ-অক্ষ	0±0.2°
(0004)FWHM	≤45arcsec	≤60arcsec	≤1OOarcsec
বৈদ্যুতিক পরামিতি
টাইপ	এইচপিএসআই
প্রতিরোধ ক্ষমতা	≥1 E9ohm·cm	100% এলাকা > 1 E5ohm·cm	70% এলাকা > 1 E5ohm·cm
যান্ত্রিক পরামিতি
ব্যাস	99.5 - 100 মিমি
পুরুত্ব	500±25 μm
প্রাথমিক সমতল অভিযোজন	[1-100]±5°
প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য	32.5±1.5 মিমি
মাধ্যমিক সমতল অবস্থান	প্রাথমিক ফ্ল্যাট থেকে 90° CW ±5°। সিলিকন ফেস আপ
মাধ্যমিক সমতল দৈর্ঘ্য	18±1.5 মিমি
টিটিভি	≤5 μm	≤10 μm	≤20 μm
এলটিভি	≤2 μm(5mm*5mm)	≤5 μm(5mm*5mm)	যে
নম	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
ওয়ার্প	≤20 μm	≤45 μm	≤50 μm
সামনের (সি-ফেস) রুক্ষতা (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
গঠন
মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব	≤1 ea/সেমি²	≤5 ea/সেমি²	≤10 ea/সেমি²
কার্বন অন্তর্ভুক্তি ঘনত্ব	≤1 ea/সেমি²	যে
ষড়ভুজ শূন্যতা	কোনোটিই নয়	যে
ধাতব অমেধ্য	≤5E12 পরমাণু/সেমি²		যে
সামনের গুণমান
সামনে	এবং
সারফেস ফিনিস	সি-ফেস সিএমপি
কণা	≤60ea/ওয়েফার (আকার≥0.3μm)	যে
আঁচড়	≤2ea/মিমি। ক্রমবর্ধমান দৈর্ঘ্য ≤ ব্যাস	ক্রমবর্ধমান দৈর্ঘ্য≤2*ব্যাস	যে
কমলার খোসা/পিট/দাগ/দাগ/ফাটল/দূষণ	কোনোটিই নয়		যে
এজ চিপস/ইন্ডেন্টস/ফ্র্যাকচার/হেক্স প্লেট	কোনোটিই নয়
পলিটাইপ এলাকা	কোনোটিই নয়	ক্রমবর্ধমান এলাকা≤20%	ক্রমবর্ধমান এলাকা≤30%
সামনে লেজার চিহ্নিতকরণ	কোনোটিই নয়
ব্যাক কোয়ালিটি
ফিরে শেষ	সি-ফেস সিএমপি
আঁচড়	≤5ea/মিমি, ক্রমবর্ধমান দৈর্ঘ্য≤2*ব্যাস	যে
পিছনের ত্রুটি (এজ চিপস/ইন্ডেন্ট)	কোনোটিই নয়
পিঠের রুক্ষতা	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
পিছনে লেজার চিহ্নিতকরণ	1 মিমি (উপরের প্রান্ত থেকে)
প্রান্ত
প্রান্ত	চেম্ফার
প্যাকেজিং
প্যাকেজিং	ভিতরের ব্যাগ নাইট্রোজেন দিয়ে ভরা হয় এবং বাইরের ব্যাগ ভ্যাকুয়াম করা হয়। মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট, এপি-রেডি।
*দ্রষ্টব্য: "NA" মানে কোন অনুরোধ নেই উল্লেখ করা আইটেমগুলি সেমি-এসটিডি উল্লেখ করতে পারে।

হট ট্যাগ: 4 ইঞ্চি উচ্চ বিশুদ্ধতা সেমি-ইনসুলেটিং HPSI SiC ডাবল-সাইড পালিশ ওয়েফার সাবস্ট্রেট, চীন, নির্মাতারা, সরবরাহকারী, কারখানা, কাস্টমাইজড, বাল্ক, উন্নত, টেকসই

পণ্য ট্যাগ

সম্পর্কিত বিভাগ