উপরের অর্ধ চাঁদ

সেমিকোরেক্স আপার হাফ মুন একটি আধা-বৃত্তাকার ওয়েফার ক্যারিয়ার যা এপিট্যাক্সিয়াল প্রসেসিং সরঞ্জামগুলির জন্য নিখুঁতভাবে ইঞ্জিনিয়ারড। এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়াটির একটি সমালোচনামূলক সংবেদনশীল উপাদান হিসাবে, এই অংশটি উচ্চ-তাপমাত্রার রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (সিভিডি) এর সময় সিলিকন ওয়েফারগুলিকে সমর্থন এবং স্থিতিশীল করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট থেকে উত্পাদিত এবং অভিন্ন সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) লেপ দিয়ে সুরক্ষিত, উপরের অর্ধেক চাঁদ উচ্চ-নির্ভুলতা এপিট্যাক্সির চাহিদা মেটাতে যান্ত্রিক দৃ ust ়তা, দুর্দান্ত তাপ পরিবাহিতা এবং ব্যতিক্রমী জারা প্রতিরোধের সংমিশ্রণ করে।

এই পণ্যটি তার স্বতন্ত্র অর্ধ-চাঁদের জ্যামিতি থেকে এর নামটি অর্জন করেছে, যা একক-ওয়াফার বা মাল্টি-ওয়াফার এপিট্যাক্সিয়াল চুল্লিগুলিতে নির্দিষ্ট ঘূর্ণন প্ল্যাটফর্মগুলির জন্য উদ্দেশ্য-নির্মিত। এর অনন্য আকারটি কেবল অভিন্ন গ্যাস প্রবাহ এবং তাপ বিতরণকে সহায়তা করে না তবে বিদ্যমান হিটিং এবং রোটেশন অ্যাসেমব্লিতে সহজ সংহতকরণের অনুমতি দেয়। আধা-বৃত্তাকার নকশা সর্বোত্তম ওয়েফার অবস্থান নিশ্চিত করে, তাপীয় চাপকে হ্রাস করে এবং পুরো ওয়েফার পৃষ্ঠ জুড়ে ইউনিফর্ম এপিট্যাক্সিয়াল ফিল্মের বেধ অর্জনে মূল ভূমিকা পালন করে।

উচ্চতর হাফ মুন পণ্যটিতে অত্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রায় একটি স্থিতিশীল আল্ট্রা-ফাইন কাঠামোর সম্মিলিত পারফরম্যান্স সুবিধার কারণে আল্ট্রা-ফাইন গ্রাফাইটের একটি স্তর অন্তর্ভুক্ত রয়েছে যা পুনরাবৃত্তি রানের উপর ব্যর্থতার প্রতিরোধের সাথে মিলিত হয়। ব্যবহার বাড়ানোর জন্য, এইচসিএল, সিএল, সিলেন এবং অন্যান্য ক্ষয়কারী প্রক্রিয়া গ্যাসগুলি থেকে গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটকে বিচ্ছিন্ন করে রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন প্রযুক্তি দ্বারা একটি উচ্চ বিশুদ্ধতা ঘন এসআইসি লেপ প্রয়োগ করা হয়েছিল। নির্বিশেষে, এসআইসি লেপ উপরের অর্ধ চাঁদ পণ্য এবং এর সামগ্রিক অংশ উভয়কেই আরও টেকসই এবং আরও প্রসারিত জীবনকে উত্সাহ দেয়, এমনকি ওয়েফার পরিবেশের দূষণ হ্রাস করে, শেষ পর্যন্ত প্রক্রিয়া ফলন এবং ফিল্মের গুণমানকে উপকৃত করে।

এসআইসি স্তরটির পৃষ্ঠের সমাপ্তি নির্দিষ্ট করা হয়েছে এবং এটি একটি স্তর এবং ধ্রুবক ফিল্ম গঠনে ধ্রুবক তাপ স্থানান্তর প্রচারের জন্য সমতল বা মসৃণ। তদ্ব্যতীত, এসআইসি লেপগুলি পার্টিকুলেটগুলির প্রজন্মের ক্ষেত্রে উপাদান প্রতিরোধের উন্নতি করে যা সংবেদনশীল সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনগুলির ত্রুটিগুলির মূল কারণ। খুব কম আউটগ্যাসিং এবং 1200 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডের উপরে খুব কম বিকৃতি সহ পারফরম্যান্স প্যারামিটারগুলি খুব দীর্ঘ অপারেশন চক্রের জন্য কার্যকর উপাদান সরবরাহ করে, সিস্টেম ডাউনটাইম এবং রক্ষণাবেক্ষণ ব্যয় হ্রাস করে।

সেমিকোরেক্স উপরের অর্ধেক চাঁদ সহনশীলতা, লেপ অভিন্নতা এবং উপাদান নির্বাচনের ক্ষেত্রে কারও চেয়ে দ্বিতীয় নয়। আমরা গ্রাফাইট মেশিনিং থেকে শুরু করে এসআইসি লেপগুলি জবানবন্দি এবং চূড়ান্ত পরিদর্শন পর্যন্ত প্রতিটি পদক্ষেপে কঠোর মানের নিয়ন্ত্রণ বজায় রাখি, প্রতিটি ইউনিট অর্ধপরিবাহী গ্রেড সরঞ্জামগুলির প্রয়োজনীয় কঠোর মানগুলি পূরণ করে তা নিশ্চিত করে। তদ্ব্যতীত, জ্যামিতি, বেধ এবং পৃষ্ঠের চিকিত্সাগুলি কাস্টমাইজ করার ক্ষেত্রে আমাদের অভিজ্ঞতা প্রায় সমস্ত ধরণের এপিট্যাক্সি প্ল্যাটফর্মগুলিতে প্রয়োগ করার জন্য স্বীকৃত।

সিলিকন বা যৌগিক অর্ধপরিবাহী এপিট্যাক্সির জন্য ওয়েফার স্থিতিশীলতা, তাপীয় অভিন্নতা এবং দূষণ নিয়ন্ত্রণের জন্য উপরের অর্ধেক চাঁদ সমালোচনামূলকভাবে গুরুত্বপূর্ণ। তদনুসারে, সেমিকোরেক্স নির্ভরযোগ্য, উচ্চ-পারফরম্যান্স সংবেদনশীল উপাদানগুলির জন্য গ্রাহকের প্রত্যাশা অর্জনের জন্য অতুলনীয় দক্ষতা, উপাদান প্রযুক্তি এবং উত্পাদন ধারাবাহিকতা অর্জন করে।