বাড়ি > পণ্য > সিলিকন কার্বাইড লেপা > SiC এপিটাক্সি > GaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ার
পণ্য
GaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ার
  • GaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ারGaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ার
  • GaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ারGaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ার
  • GaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ারGaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ার
  • GaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ারGaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ার
  • GaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ারGaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ার

GaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস ক্যারিয়ার

Semicorex হল সিলিকন কার্বাইড প্রলিপ্ত গ্রাফাইট, যথার্থ মেশিনযুক্ত উচ্চ বিশুদ্ধতা গ্রাফাইটের একটি নেতৃস্থানীয় স্বাধীন মালিকানাধীন প্রস্তুতকারক যা সিলিকন কার্বাইড প্রলিপ্ত গ্রাফাইট, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক, সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের MOCVP এলাকায় ফোকাস করে। আমাদের GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrier এর দামে ভালো সুবিধা রয়েছে এবং ইউরোপ ও আমেরিকার অনেক বাজারকে কভার করে। আমরা চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrier-এর Semicorex SiC আবরণ হল একটি ঘন, পরিধান-প্রতিরোধী সিলিকন কার্বাইড (SiC) আবরণ। এটিতে উচ্চ জারা এবং তাপ প্রতিরোধের বৈশিষ্ট্যের পাশাপাশি চমৎকার তাপ পরিবাহিতা রয়েছে। আমরা রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) প্রক্রিয়া ব্যবহার করে গ্রাফাইটের উপর পাতলা স্তরে SiC প্রয়োগ করি।
আমাদের GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrier সর্বোত্তম ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জন করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, তাপীয় প্রোফাইলের সমানতা নিশ্চিত করে। এটি ওয়েফার চিপে উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি নিশ্চিত করে কোনো দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ করতে সাহায্য করে।
আমাদের GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrier সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।


GaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার্স ক্যারিয়ারের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন

SiC-CVD বৈশিষ্ট্য

ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার

FCC β ফেজ

ঘনত্ব

g/cm ³

3.21

কঠোরতা

ভিকারস কঠোরতা

2500

শস্য আকার

μm

2~10

রাসায়নিক বিশুদ্ধতা

%

99.99995

তাপ ক্ষমতা

J kg-1 K-1

640

পরমানন্দ তাপমাত্রা

2700

ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ

MPa (RT 4-পয়েন্ট)

415

তরুণের মডুলাস

Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)

430

তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)

10-6K-1

4.5

তাপ পরিবাহিতা

(W/mK)

300


GaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার্স ক্যারিয়ারের বৈশিষ্ট্য

- খোসা ছাড়ানো এড়িয়ে চলুন এবং সমস্ত পৃষ্ঠে আবরণ নিশ্চিত করুন
উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের: 1600 ডিগ্রি সেলসিয়াস পর্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীল
উচ্চ বিশুদ্ধতা: উচ্চ তাপমাত্রা ক্লোরিনেশন অবস্থার অধীনে CVD রাসায়নিক বাষ্প জমা দ্বারা তৈরি।
জারা প্রতিরোধের: উচ্চ কঠোরতা, ঘন পৃষ্ঠ এবং সূক্ষ্ম কণা।
জারা প্রতিরোধের: অ্যাসিড, ক্ষার, লবণ এবং জৈব বিকারক।
- সেরা ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জন করুন
- তাপীয় প্রোফাইলের সমতা গ্যারান্টি
- কোন দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ




হট ট্যাগ: GaN-on-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার ক্যারিয়ার, চীন, প্রস্তুতকারক, সরবরাহকারী, কারখানা, কাস্টমাইজড, বাল্ক, উন্নত, টেকসই
সম্পর্কিত বিভাগ
অনুসন্ধান পাঠান
নীচের ফর্মে আপনার তদন্ত দিতে নির্দ্বিধায় দয়া করে. আমরা আপনাকে 24 ঘন্টার মধ্যে উত্তর দেব।
X
আমরা আপনাকে একটি ভাল ব্রাউজিং অভিজ্ঞতা দিতে, সাইটের ট্র্যাফিক বিশ্লেষণ করতে এবং সামগ্রী ব্যক্তিগতকৃত করতে কুকিজ ব্যবহার করি। এই সাইটটি ব্যবহার করে, আপনি আমাদের কুকিজ ব্যবহারে সম্মত হন। গোপনীয়তা নীতি
প্রত্যাখ্যান করুন গ্রহণ করুন