সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সি সাসেপ্টর

সেমিকোরেক্স গ্রাফাইট, সিরামিক এবং অন্যান্য উপকরণ যেমন সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সি সাসেপ্টরের পৃষ্ঠে CVD পদ্ধতিতে SiC আবরণ প্রক্রিয়া পরিষেবা প্রদান করে, যাতে কার্বন এবং সিলিকন ধারণকারী বিশেষ গ্যাস উচ্চ তাপমাত্রায় বিক্রিয়া করে উচ্চ বিশুদ্ধতা SiC অণু, অণুগুলির উপর জমা হয়। প্রলিপ্ত উপকরণ পৃষ্ঠ, SIC প্রতিরক্ষামূলক স্তর গঠন. গঠিত SIC দৃঢ়ভাবে গ্রাফাইট বেসের সাথে আবদ্ধ হয়, গ্রাফাইট বেসকে বিশেষ বৈশিষ্ট্য দেয়, এইভাবে গ্রাফাইটের পৃষ্ঠকে কমপ্যাক্ট, পোরোসিটি-মুক্ত, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ, জারা প্রতিরোধ এবং জারণ প্রতিরোধী করে তোলে।
আমাদের সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সি সাসেপ্টর সেরা ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জন করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, তাপীয় প্রোফাইলের সমানতা নিশ্চিত করে। এটি ওয়েফার চিপে উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি নিশ্চিত করে কোনো দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ করতে সাহায্য করে।
আমাদের সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সি সাসেপ্টর সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সি সাসেপ্টরের পরামিতি

সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সি সাসেপ্টরের বৈশিষ্ট্য

- গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইড উভয় স্তরেরই ভাল ঘনত্ব রয়েছে এবং উচ্চ তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী কাজের পরিবেশে একটি ভাল প্রতিরক্ষামূলক ভূমিকা পালন করতে পারে।
- একক স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য ব্যবহৃত সিলিকন কার্বাইড প্রলিপ্ত সাসেপ্টরের পৃষ্ঠের সমতলতা খুব বেশি।
- গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইড স্তরের মধ্যে তাপীয় সম্প্রসারণ সহগের পার্থক্য হ্রাস করুন, ক্র্যাকিং এবং ডিলামিনেশন রোধ করতে কার্যকরভাবে বন্ধন শক্তি উন্নত করুন।
- গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইড উভয় স্তরেরই উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং চমৎকার তাপ বিতরণের বৈশিষ্ট্য রয়েছে।
- উচ্চ গলনাঙ্ক, উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের, জারা প্রতিরোধের।