গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) সাবস্ট্রেটের কী প্রয়োগ?

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN)অর্ধপরিবাহী প্রযুক্তির একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, যা তার ব্যতিক্রমী ইলেকট্রনিক এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যের জন্য পরিচিত। GaN, একটি প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর হিসাবে, প্রায় 3.4 eV এর একটি ব্যান্ডগ্যাপ শক্তি রয়েছে, এটি উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে। উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা এবং GaN এর শক্তিশালী অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলিতে উল্লেখযোগ্য অগ্রগতির দিকে পরিচালিত করেছে।

GaNএর উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা দ্বারা চিহ্নিত করা হয়, যা সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের দক্ষতার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। এই উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা হল GaN এর শক্তিশালী স্ফটিক গঠন এবং ইলেকট্রনগুলির বিচ্ছুরণ হ্রাসের ফলে, দ্রুত স্যুইচিং গতি এবং ইলেকট্রনিক ডিভাইসে কম পাওয়ার লস সক্ষম করে। ঐতিহ্যবাহী সিলিকন (Si) সেমিকন্ডাক্টরের তুলনায়,GaN ডিভাইসউচ্চতর দক্ষতা বজায় রেখে উচ্চ ভোল্টেজ এবং তাপমাত্রায় কাজ করতে পারে। GaN-এর উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতাও এর কম অন-প্রতিরোধে অবদান রাখে, যার ফলে পরিবাহী ক্ষয়ক্ষতি হ্রাস পায় এবং GaN-ভিত্তিক শক্তি ডিভাইসগুলিকে অধিকতর দক্ষতা ও কম তাপ উৎপাদনের সাথে কাজ করতে সক্ষম করে।

GaN এর অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য

এর বৈদ্যুতিন বৈশিষ্ট্য ছাড়াও,GaNএর শক্তিশালী অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যের জন্য পরিচিত।GaNঅতিবেগুনী (UV) থেকে দৃশ্যমান আলো পর্যন্ত একটি বিস্তৃত বর্ণালী জুড়ে আলো নির্গত করার অনন্য ক্ষমতা রয়েছে, এটি আলো-নিঃসরণকারী ডায়োড (LEDs) এবং লেজার ডায়োডের মতো অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশে একটি মূল উপাদান তৈরি করে। GaN-ভিত্তিক এলইডিগুলি অত্যন্ত দক্ষ, দীর্ঘস্থায়ী এবং শক্তি-সাশ্রয়ী, যখন GaN-ভিত্তিক লেজার ডায়োডগুলি উচ্চ-ঘনত্বের অপটিক্যাল স্টোরেজ ডিভাইসগুলির জন্য অপরিহার্য এবং শিল্প ও চিকিৎসা ক্ষেত্রে অ্যাপ্লিকেশনগুলি খুঁজে পায়।

পাওয়ার এবং অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসে GaN

GaNএর উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা এবং শক্তিশালী অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য এটিকে বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে। পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে, GaN ডিভাইসগুলি ভেঙে না গিয়ে উচ্চতর ভোল্টেজগুলি পরিচালনা করার ক্ষমতা এবং তাদের কম অন-প্রতিরোধ ক্ষমতার কারণে উৎকর্ষ সাধন করে, যা তাদের পাওয়ার কনভার্টার, ইনভার্টার এবং আরএফ এমপ্লিফায়ারের জন্য আদর্শ করে তোলে। অপটোইলেক্ট্রনিক্সে, GaN LED এবং লেজার প্রযুক্তিতে অগ্রগতি চালিয়ে যাচ্ছে, শক্তি-দক্ষ আলো সমাধান এবং উচ্চ-কর্মক্ষমতা প্রদর্শন প্রযুক্তির উন্নয়নে অবদান রাখছে।

উদীয়মান সেমিকন্ডাক্টর উপকরণের সম্ভাবনা

প্রযুক্তির অগ্রগতি অব্যাহত থাকায়, নতুন সেমিকন্ডাক্টর উপকরণ শিল্পে বিপ্লব ঘটানোর সম্ভাবনা নিয়ে আবির্ভূত হচ্ছে। এই উপকরণগুলির মধ্যে,গ্যালিয়াম অক্সাইড (Ga₂O₃)এবং ডায়মন্ড ব্যতিক্রমীভাবে প্রতিশ্রুতিশীল হিসাবে স্ট্যান্ড আউট.

গ্যালিয়াম অক্সাইড, তার 4.9 eV এর আল্ট্রা-ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ সহ, পরবর্তী প্রজন্মের উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির জন্য একটি উপাদান হিসাবে মনোযোগ আকর্ষণ করছে।গা₂O₃অত্যন্ত উচ্চ ভোল্টেজ সহ্য করার ক্ষমতা এটিকে পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি অসামান্য প্রার্থী করে তোলে, যেখানে দক্ষতা এবং তাপ ব্যবস্থাপনা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

অন্যদিকে, ডায়মন্ড তার ব্যতিক্রমী তাপ পরিবাহিতা এবং অত্যন্ত উচ্চ বাহক গতিশীলতার জন্য বিখ্যাত, এটি উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি ব্যতিক্রমী আকর্ষণীয় উপাদান তৈরি করে। সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসে হীরার একীকরণ কার্যক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতার ক্ষেত্রে উল্লেখযোগ্য উন্নতি ঘটাতে পারে, বিশেষ করে এমন পরিবেশে যেখানে তাপ অপচয় করা গুরুত্বপূর্ণ।

গ্যালিয়াম নাইট্রাইডউচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা এবং শক্তিশালী অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যের কারণে দৃঢ়ভাবে সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে একটি ভিত্তিপ্রস্তর উপাদান হিসেবে নিজেকে প্রতিষ্ঠিত করেছে। পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলিতে এর অ্যাপ্লিকেশনগুলি প্রযুক্তিতে উল্লেখযোগ্য অগ্রগতি চালিয়েছে, আরও দক্ষ এবং কমপ্যাক্ট সমাধানগুলিকে সক্ষম করে। যেহেতু শিল্পটি গ্যালিয়াম অক্সাইড এবং ডায়মন্ডের মতো নতুন উপকরণগুলি অন্বেষণ করে চলেছে, সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তিতে আরও উদ্ভাবনের সম্ভাবনা অপরিসীম। এই উদীয়মান উপকরণগুলি, GaN-এর প্রমাণিত ক্ষমতাগুলির সাথে মিলিত, আগামী বছরের জন্য ইলেকট্রনিক্স এবং অপটোইলেক্ট্রনিক্সের ভবিষ্যত গঠনের জন্য প্রস্তুত।

---

সেমিকোরেক্স উচ্চ মানের অফার করেসেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারসেমিকন্ডাক্টর শিল্পের জন্য যদি আপনার কোন জিজ্ঞাসা থাকে বা অতিরিক্ত বিবরণের প্রয়োজন হয়, অনুগ্রহ করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে দ্বিধা করবেন না।

যোগাযোগের ফোন # +86-13567891907

ইমেইল: sales@semicorex.com