PVT পদ্ধতি দ্বারা উচ্চ মানের SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধির জন্য ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট

সিলিকন কার্বাইড (SiC) সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির ক্ষেত্রে একটি মূল উপাদান হিসাবে আবির্ভূত হয়েছে, ব্যতিক্রমী বৈশিষ্ট্যগুলি প্রদান করে যা এটিকে বিভিন্ন ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেক্ট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অত্যন্ত পছন্দনীয় করে তোলে। পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, এলইডি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইসের মতো ডিভাইসগুলির সক্ষমতা বাড়ানোর জন্য উচ্চ-মানের SiC একক স্ফটিকগুলির উত্পাদন অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। এই নিবন্ধে, আমরা 4H-SiC একক স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য শারীরিক বাষ্প পরিবহন (PVT) পদ্ধতিতে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের তাত্পর্য নিয়ে আলোচনা করি।

PVT পদ্ধতি হল SiC একক স্ফটিক উৎপাদনের জন্য একটি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত কৌশল। এই প্রক্রিয়াটি একটি উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে SiC উত্স উপাদানগুলির পরমানন্দকে অন্তর্ভুক্ত করে, তারপরে একটি বীজ স্ফটিকের উপর তাদের ঘনীভূত করে একটি একক স্ফটিক কাঠামো তৈরি করে। এই পদ্ধতির সাফল্য তাপমাত্রা, চাপ এবং ব্যবহৃত উপকরণ সহ গ্রোথ চেম্বারের অবস্থার উপর অনেক বেশি নির্ভর করে।

ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট, তার অনন্য গঠন এবং বৈশিষ্ট্য সহ, SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধি প্রক্রিয়া বৃদ্ধিতে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। ঐতিহ্যগত PVT পদ্ধতি দ্বারা উত্থিত SiC স্ফটিকগুলির একাধিক স্ফটিক ফর্ম থাকবে। যাইহোক, চুল্লিতে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট ক্রুসিবল ব্যবহার করলে 4H-SiC একক ক্রিস্টালের বিশুদ্ধতা ব্যাপকভাবে বৃদ্ধি পায়।

4H-SiC একক স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য PVT পদ্ধতিতে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের অন্তর্ভুক্তি সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির ক্ষেত্রে একটি উল্লেখযোগ্য অগ্রগতির প্রতিনিধিত্ব করে। ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের অনন্য বৈশিষ্ট্যগুলি বর্ধিত গ্যাস প্রবাহ, তাপমাত্রার সমতা, চাপ হ্রাস এবং উন্নত তাপ অপচয়ে অবদান রাখে। এই কারণগুলি সম্মিলিতভাবে কম ত্রুটি সহ উচ্চ-মানের SiC একক স্ফটিক উত্পাদন করে, আরও দক্ষ এবং নির্ভরযোগ্য ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশের পথ তৈরি করে। সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের বিকাশ অব্যাহত থাকায়, SiC স্ফটিক বৃদ্ধির প্রক্রিয়াগুলিতে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের ব্যবহার ইলেকট্রনিক সামগ্রী এবং ডিভাইসগুলির ভবিষ্যত গঠনে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করতে প্রস্তুত।