Aixtron G5 এর জন্য 6'' ওয়েফার ক্যারিয়ার

Aixtron G5 এর জন্য Semicorex 6'' Wafer Carrier, প্রায়শই সাসেপ্টর হিসাবে উল্লেখ করা হয়, উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়াকরণের সময় নিরাপদে সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারগুলিকে ধরে রাখার মাধ্যমে একটি অপরিহার্য ভূমিকা পালন করে। সাসেপ্টরগুলি নিশ্চিত করে যে ওয়েফারগুলি একটি নির্দিষ্ট অবস্থানে থাকে, যা অভিন্ন স্তর জমার জন্য গুরুত্বপূর্ণ:

তাপ ব্যবস্থাপনা:

Aixtron G5-এর জন্য 6'' ওয়েফার ক্যারিয়ার ওয়েফার পৃষ্ঠ জুড়ে অভিন্ন গরম এবং শীতল করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যা উচ্চ-মানের সেমিকন্ডাক্টর স্তর তৈরি করতে ব্যবহৃত এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়াগুলির জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি:

SiC এবং GaN স্তর:

Aixtron G5 প্ল্যাটফর্ম প্রাথমিকভাবে SiC এবং GaN স্তরগুলির এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য ব্যবহৃত হয়। এই স্তরগুলি উচ্চ-ইলেক্ট্রন-মোবিলিটি ট্রানজিস্টর (HEMTs), LEDs এবং অন্যান্য উন্নত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরিতে মৌলিক।

যথার্থতা এবং অভিন্নতা:

এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির প্রক্রিয়ায় প্রয়োজনীয় উচ্চ নির্ভুলতা এবং অভিন্নতা Aixtron G5 এর জন্য 6'' ওয়েফার ক্যারিয়ারের ব্যতিক্রমী বৈশিষ্ট্য দ্বারা সহজতর হয়। ক্যারিয়ারটি উচ্চ-পারফরম্যান্স সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির জন্য প্রয়োজনীয় কঠোর বেধ এবং রচনা অভিন্নতা অর্জনে সহায়তা করে।

সুবিধা:

উচ্চ তাপমাত্রা স্থিতিশীলতা:

চরম তাপমাত্রা সহনশীলতা:

Aixtron G5-এর জন্য 6'' ওয়েফার ক্যারিয়ার অত্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে, প্রায়ই 1600°C অতিক্রম করে। এই স্থিতিশীলতা এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়াগুলির জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ যার জন্য দীর্ঘ সময়ের জন্য টেকসই উচ্চ তাপমাত্রা প্রয়োজন।

তাপীয় অখণ্ডতা:

এই ধরনের উচ্চ তাপমাত্রায় কাঠামোগত অখণ্ডতা বজায় রাখার জন্য Aixtron G5-এর জন্য 6'' ওয়েফার ক্যারিয়ারের ক্ষমতা সামঞ্জস্যপূর্ণ কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে এবং তাপীয় অবক্ষয়ের ঝুঁকি কমায়, যা সেমিকন্ডাক্টর স্তরগুলির গুণমানকে আপস করতে পারে।

চমৎকার তাপ পরিবাহিতা:

তাপ বিতরণ:

SiC এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা ওয়েফার পৃষ্ঠ জুড়ে দক্ষ তাপ স্থানান্তরকে সহজ করে, একটি অভিন্ন তাপমাত্রা প্রোফাইল নিশ্চিত করে। এই অভিন্নতা তাপীয় গ্রেডিয়েন্টগুলি এড়ানোর জন্য অত্যাবশ্যক যা এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলিতে ত্রুটি এবং অ-অভিন্নতা হতে পারে।

উন্নত প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণ:

উন্নত থার্মাল ম্যানেজমেন্ট এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার উপর আরও ভাল নিয়ন্ত্রণের অনুমতি দেয়, কম ত্রুটি সহ উচ্চ মানের সেমিকন্ডাক্টর স্তরগুলির উত্পাদন সক্ষম করে।

রাসায়নিক প্রতিরোধের:

ক্ষয়কারী পরিবেশের সামঞ্জস্যতা:

Aixtron G5-এর জন্য 6'' ওয়েফার ক্যারিয়ার সাধারণত হাইড্রোজেন এবং অ্যামোনিয়ার মতো CVD প্রক্রিয়াগুলিতে ব্যবহৃত ক্ষয়কারী গ্যাসগুলির ব্যতিক্রমী প্রতিরোধ প্রদান করে। এই প্রতিরোধ ক্ষমতা গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটকে রাসায়নিক আক্রমণ থেকে রক্ষা করে ওয়েফার ক্যারিয়ারের জীবনকালকে দীর্ঘায়িত করে।

হ্রাসকৃত রক্ষণাবেক্ষণ খরচ:

Aixtron G5-এর জন্য 6'' Wafer Carrier-এর স্থায়িত্ব রক্ষণাবেক্ষণ এবং প্রতিস্থাপনের ফ্রিকোয়েন্সি হ্রাস করে, যার ফলে অপারেশনাল খরচ কম হয় এবং Aixtron G5 সরঞ্জামগুলির জন্য আপটাইম বৃদ্ধি পায়।

তাপ সম্প্রসারণের নিম্ন সহগ (CTE):

ন্যূনতম তাপীয় চাপ:

SiC-এর নিম্ন CTE এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার অন্তর্নিহিত দ্রুত গরম এবং শীতল চক্রের সময় তাপীয় চাপ কমাতে সাহায্য করে। তাপীয় চাপের এই হ্রাস ওয়েফার ক্র্যাকিং বা ওয়ারপিংয়ের সম্ভাবনা হ্রাস করে, যা ডিভাইসের ব্যর্থতার দিকে নিয়ে যেতে পারে।

Aixtron G5 সরঞ্জামের সাথে সামঞ্জস্যতা:

উপযোগী ডিজাইন:

Aixtron G5-এর জন্য Semicorex 6'' Wafer Carrier বিশেষভাবে Aixtron G5 সরঞ্জামের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, সর্বোত্তম কর্মক্ষমতা এবং নির্বিঘ্ন ইন্টিগ্রেশন নিশ্চিত করার জন্য তৈরি করা হয়েছে।

সর্বাধিক কর্মক্ষমতা:

এই সামঞ্জস্যতা Aixtron G5 সিস্টেমের কর্মক্ষমতা এবং দক্ষতাকে সর্বাধিক করে তোলে, এটি আধুনিক সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলির সঠিক প্রয়োজনীয়তাগুলি পূরণ করতে সক্ষম করে৷