2024-12-03
অর্ধপরিবাহী পদার্থের অনন্য বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে একটি হল তাদের পরিবাহিতা, সেইসাথে তাদের পরিবাহিতা প্রকার (N-টাইপ বা পি-টাইপ) ডোপিং নামক একটি প্রক্রিয়ার মাধ্যমে তৈরি এবং নিয়ন্ত্রণ করা যেতে পারে। এর মধ্যে ওয়েফারের পৃষ্ঠে সংযোগস্থল তৈরির জন্য উপাদানের মধ্যে বিশেষায়িত অমেধ্য, যা ডোপ্যান্ট নামে পরিচিত, প্রবর্তন জড়িত। শিল্প দুটি প্রধান ডোপিং কৌশল নিযুক্ত করে: তাপ প্রসারণ এবং আয়ন ইমপ্লান্টেশন।
থার্মাল ডিফিউশনে, ডোপ্যান্ট পদার্থগুলি ওয়েফারের উপরের স্তরের উন্মুক্ত পৃষ্ঠে প্রবেশ করানো হয়, সাধারণত সিলিকন ডাই অক্সাইড স্তরের খোলার ব্যবহার করে। তাপ প্রয়োগ করে, এই ডোপ্যান্টগুলি ওয়েফারের শরীরে ছড়িয়ে পড়ে। এই প্রসারণের পরিমাণ এবং গভীরতা রাসায়নিক নীতিগুলি থেকে প্রাপ্ত নির্দিষ্ট নিয়ম দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয়, যা নির্দেশ করে যে কীভাবে ডোপ্যান্টগুলি উচ্চ তাপমাত্রায় ওয়েফারের মধ্যে চলে যায়।
বিপরীতে, আয়ন ইমপ্লান্টেশনে ডোপ্যান্ট সামগ্রী সরাসরি ওয়েফারের পৃষ্ঠে প্রবেশ করানো জড়িত। প্রবর্তিত বেশিরভাগ ডোপান্ট পরমাণু পৃষ্ঠের স্তরের নীচে স্থির থাকে। থার্মাল ডিফিউশনের মতো, এই বসানো পরমাণুর গতিবিধিও প্রসারণের নিয়ম দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয়। আয়ন ইমপ্লান্টেশন মূলত পুরানো তাপীয় প্রসারণ কৌশলকে প্রতিস্থাপন করেছে এবং এখন ছোট এবং আরও জটিল ডিভাইসের উৎপাদনে অপরিহার্য।
সাধারণ ডোপিং প্রক্রিয়া এবং অ্যাপ্লিকেশন
1. ডিফিউশন ডোপিং: এই পদ্ধতিতে, উচ্চ-তাপমাত্রার ডিফিউশন ফার্নেস ব্যবহার করে অপবিত্রতা পরমাণুগুলিকে একটি সিলিকন ওয়েফারে ছড়িয়ে দেওয়া হয়, যা একটি প্রসারণ স্তর গঠন করে। এই কৌশলটি প্রাথমিকভাবে বড় আকারের ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট এবং মাইক্রোপ্রসেসর তৈরিতে ব্যবহৃত হয়।
2.আয়ন ইমপ্লান্টেশন ডোপিং: এই প্রক্রিয়ায় একটি আয়ন ইমপ্লান্টার দিয়ে সিলিকন ওয়েফারে সরাসরি অপরিষ্কার আয়ন ইনজেকশন করা হয়, একটি আয়ন ইমপ্লান্টেশন স্তর তৈরি করে। এটি উচ্চ ডোপিং ঘনত্ব এবং সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণের জন্য অনুমতি দেয়, এটি উচ্চ-সংহতকরণ এবং উচ্চ-কর্মক্ষমতা চিপগুলির উত্পাদনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
3. রাসায়নিক বাষ্প জমা ডোপিং: এই কৌশলে, রাসায়নিক বাষ্প জমার মাধ্যমে সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠে সিলিকন নাইট্রাইডের মতো একটি ডোপড ফিল্ম তৈরি হয়। এই পদ্ধতিটি চমৎকার অভিন্নতা এবং পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা প্রদান করে, এটি বিশেষ চিপ তৈরির জন্য আদর্শ করে তোলে।
4. এপিটাক্সিয়াল ডোপিং: এই পদ্ধতির মধ্যে একটি ডোপড একক ক্রিস্টাল স্তর, যেমন ফসফরাস-ডোপড সিলিকন গ্লাস, একটি একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেটে এপিটাক্সিয়ালভাবে বৃদ্ধি করা জড়িত। এটি উচ্চ-সংবেদনশীলতা এবং উচ্চ-স্থিতিশীলতা সেন্সর তৈরির জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত।
5. সমাধান পদ্ধতি: সমাধান পদ্ধতিটি দ্রবণের গঠন এবং নিমজ্জনের সময় নিয়ন্ত্রণ করে বিভিন্ন ডোপিং ঘনত্বের জন্য অনুমতি দেয়। এই কৌশলটি অনেক উপকরণের জন্য প্রযোজ্য, বিশেষ করে যাদের ছিদ্রযুক্ত কাঠামো রয়েছে।
6. বাষ্প জমা করার পদ্ধতি: এই পদ্ধতিতে উপাদানের পৃষ্ঠে থাকা বাহ্যিক পরমাণু বা অণুর সাথে বিক্রিয়া করে নতুন যৌগ গঠন করা হয়, এইভাবে ডোপিং উপাদান নিয়ন্ত্রণ করা হয়। এটি বিশেষভাবে ডোপিং পাতলা ফিল্ম এবং ন্যানোমেটেরিয়ালের জন্য উপযুক্ত।
প্রতিটি ধরণের ডোপিং প্রক্রিয়ার নিজস্ব বৈশিষ্ট্য এবং অ্যাপ্লিকেশনের পরিসর রয়েছে। ব্যবহারিক ব্যবহারে, সর্বোত্তম ডোপিং ফলাফল অর্জনের জন্য নির্দিষ্ট চাহিদা এবং উপাদান বৈশিষ্ট্যের উপর ভিত্তি করে উপযুক্ত ডোপিং প্রক্রিয়া নির্বাচন করা গুরুত্বপূর্ণ।
ডোপিং প্রযুক্তির বিভিন্ন ক্ষেত্রে বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশন রয়েছে:
একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান পরিবর্তন কৌশল হিসাবে, ডোপিং প্রযুক্তি একাধিক ক্ষেত্রে অবিচ্ছেদ্য। উচ্চ-কার্যকারিতা উপকরণ এবং ডিভাইসগুলি অর্জনের জন্য ক্রমাগতভাবে ডোপিং প্রক্রিয়াকে উন্নত এবং পরিমার্জন করা অপরিহার্য।
সেমিকোরেক্স অফারউচ্চ মানের SiC সমাধানসেমিকন্ডাক্টর ডিফিউশন প্রক্রিয়ার জন্য। আপনার যদি কোন জিজ্ঞাসা থাকে বা অতিরিক্ত বিবরণ প্রয়োজন, আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে দ্বিধা করবেন না দয়া করে.
যোগাযোগের ফোন # +86-13567891907
ইমেইল: sales@semicorex.com