বাড়ি > পণ্য > সিলিকন কার্বাইড লেপা > ব্যারেল রিসিভার > সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টরের জন্য ব্যারেল স্ট্রাকচার
পণ্য
সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টরের জন্য ব্যারেল স্ট্রাকচার

সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টরের জন্য ব্যারেল স্ট্রাকচার

এর ব্যতিক্রমী তাপ পরিবাহিতা এবং তাপ বন্টন বৈশিষ্ট্য সহ, সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টরের জন্য সেমিকোরেক্স ব্যারেল স্ট্রাকচার এলপিই প্রক্রিয়া এবং অন্যান্য সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত পছন্দ। এর উচ্চ-বিশুদ্ধতা SiC আবরণ উচ্চ-তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী পরিবেশে উচ্চতর সুরক্ষা প্রদান করে।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

সেমিকন্ডাক্টর এপিট্যাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টরের জন্য সেমিকোরেক্স ব্যারেল স্ট্রাকচার হল উচ্চ-কার্যক্ষমতা সম্পন্ন গ্রাফাইট সাসেপ্টর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য পছন্দ যা ব্যতিক্রমী তাপ এবং জারা প্রতিরোধের প্রয়োজন। এর উচ্চ-বিশুদ্ধতা SiC আবরণ এবং উচ্চতর ঘনত্ব এবং তাপ পরিবাহিতা উচ্চতর সুরক্ষা এবং তাপ বিতরণ বৈশিষ্ট্য প্রদান করে, এমনকি সবচেয়ে চ্যালেঞ্জিং পরিবেশেও নির্ভরযোগ্য এবং সামঞ্জস্যপূর্ণ কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।

সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টরের জন্য আমাদের ব্যারেল স্ট্রাকচারটি সর্বোত্তম ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, তাপীয় প্রোফাইলের সমানতা নিশ্চিত করে। এটি ওয়েফার চিপে উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি নিশ্চিত করে কোনো দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ করতে সাহায্য করে।

সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টরের জন্য আমাদের ব্যারেল স্ট্রাকচার সম্পর্কে আরও জানতে আমাদের সাথে আজই যোগাযোগ করুন।


সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টরের জন্য ব্যারেল স্ট্রাকচারের প্যারামিটার

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন

SiC-CVD বৈশিষ্ট্য

ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার

FCC β ফেজ

ঘনত্ব

g/cm ³

3.21

কঠোরতা

ভিকারস কঠোরতা

2500

শস্য আকার

μm

2~10

রাসায়নিক বিশুদ্ধতা

%

99.99995

তাপ ক্ষমতা

J kg-1 K-1

640

পরমানন্দ তাপমাত্রা

2700

ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ

MPa (RT 4-পয়েন্ট)

415

তরুণের মডুলাস

Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)

430

তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)

10-6K-1

4.5

তাপ পরিবাহিতা

(W/mK)

300


সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টরের জন্য ব্যারেল স্ট্রাকচারের বৈশিষ্ট্য

- গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইড উভয় স্তরেরই ভাল ঘনত্ব রয়েছে এবং উচ্চ তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী কাজের পরিবেশে একটি ভাল প্রতিরক্ষামূলক ভূমিকা পালন করতে পারে।

- একক স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য ব্যবহৃত সিলিকন কার্বাইড প্রলিপ্ত সাসেপ্টরের পৃষ্ঠের সমতলতা খুব বেশি।

- গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইড স্তরের মধ্যে তাপীয় সম্প্রসারণ সহগের পার্থক্য হ্রাস করুন, ক্র্যাকিং এবং ডিলামিনেশন রোধ করতে কার্যকরভাবে বন্ধন শক্তি উন্নত করুন।

- গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইড উভয় স্তরেরই উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং চমৎকার তাপ বিতরণের বৈশিষ্ট্য রয়েছে।

- উচ্চ গলনাঙ্ক, উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের, জারা প্রতিরোধের।






হট ট্যাগ: সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টরের জন্য ব্যারেল কাঠামো, চীন, প্রস্তুতকারক, সরবরাহকারী, কারখানা, কাস্টমাইজড, বাল্ক, উন্নত, টেকসই
সম্পর্কিত বিভাগ
অনুসন্ধান পাঠান
নীচের ফর্মে আপনার তদন্ত দিতে নির্দ্বিধায় দয়া করে. আমরা আপনাকে 24 ঘন্টার মধ্যে উত্তর দেব।
X
আমরা আপনাকে একটি ভাল ব্রাউজিং অভিজ্ঞতা দিতে, সাইটের ট্র্যাফিক বিশ্লেষণ করতে এবং সামগ্রী ব্যক্তিগতকৃত করতে কুকিজ ব্যবহার করি। এই সাইটটি ব্যবহার করে, আপনি আমাদের কুকিজ ব্যবহারে সম্মত হন। গোপনীয়তা নীতি
প্রত্যাখ্যান করুন গ্রহণ করুন