ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট ক্রুসিবল

একটি ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট ক্রুসিবল সিলিকন কার্বাইড (SiC) একক স্ফটিক বৃদ্ধির প্রক্রিয়ায় একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, এটি সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের একটি গুরুত্বপূর্ণ পদক্ষেপ। এই বিশেষায়িত ক্রুসিবলটি চরম তাপমাত্রা এবং কঠোর রাসায়নিক পরিবেশ সহ্য করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, এটি SiC স্ফটিক বৃদ্ধিতে জড়িত উচ্চ-তাপমাত্রার প্রতিক্রিয়াগুলির জন্য একটি আদর্শ ধারক তৈরি করে।

ক্রুসিবলটি সাধারণত উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট উপাদান থেকে তৈরি করা হয়, যা এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতা, রাসায়নিক জড়তা এবং যান্ত্রিক শক্তির জন্য পরিচিত। "ছিদ্রযুক্ত" শব্দটি গ্রাফাইটের মধ্যে একটি প্রবেশযোগ্য কাঠামোর ইচ্ছাকৃত সৃষ্টিকে বোঝায়, যা স্ফটিক বৃদ্ধির প্রক্রিয়ার সময় গ্যাস এবং তরলগুলির নিয়ন্ত্রিত প্রবাহের অনুমতি দেয়।

SiC একক স্ফটিক বৃদ্ধি প্রক্রিয়া একটি উচ্চ-তাপমাত্রা চুল্লিতে সিলিকন এবং কার্বন উত্স উপকরণের পরমানন্দ জড়িত। ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট ক্রুসিবল এই উৎস উপকরণগুলির জন্য একটি ধারক হিসাবে কাজ করে, যা স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য একটি স্থিতিশীল এবং নিয়ন্ত্রিত পরিবেশ প্রদান করে। এর ছিদ্রযুক্ত কাঠামো পূর্ববর্তী গ্যাসগুলির দক্ষ পরিবহনের জন্য অনুমতি দেয় এবং বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সময় উত্পন্ন উপ-পণ্য অপসারণের সুবিধা দেয়।

ক্রুসিবলের স্থিতিশীলতা বজায় রাখার এবং চরম পরিস্থিতি সহ্য করার ক্ষমতা উচ্চ-মানের SiC একক স্ফটিক অর্জনের জন্য অপরিহার্য, যা সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির উত্পাদনের জন্য অবিচ্ছেদ্য। ক্রুসিবলের ছিদ্রতা গ্যাস প্রবাহ এবং তাপ বিতরণকে অপ্টিমাইজ করতে সাহায্য করে, বড় এবং উচ্চ-মানের SiC স্ফটিকগুলির অভিন্ন বৃদ্ধিতে অবদান রাখে।