এলপিই হাফমুন রিঅ্যাকশন চেম্বার

এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়াটি এলপিই হাফমুন রিঅ্যাকশন চেম্বারের মধ্যে ঘটে, যেখানে সাবস্ট্রেটগুলি উচ্চ তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী গ্যাসের সাথে জড়িত চরম অবস্থার সংস্পর্শে আসে। প্রতিক্রিয়া চেম্বারের উপাদানগুলির দীর্ঘায়ু এবং কার্যকারিতা নিশ্চিত করতে, রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) SiC আবরণ প্রয়োগ করা হয়:

বিস্তারিত অ্যাপ্লিকেশন:

সাসেপ্টর এবং ওয়েফার ক্যারিয়ার:

প্রাথমিক ভূমিকা:

সাসেপ্টর এবং ওয়েফার ক্যারিয়ারগুলি হল গুরুত্বপূর্ণ উপাদান যা এলপিই হাফমুন রিঅ্যাকশন চেম্বারে এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সময় স্তরগুলিকে সুরক্ষিতভাবে ধরে রাখে। সাবস্ট্রেটগুলি সমানভাবে উত্তপ্ত হয় এবং প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাসের সংস্পর্শে আসে তা নিশ্চিত করতে তারা একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।

CVD SiC আবরণ সুবিধা:

তাপ পরিবাহিতা:

SiC আবরণ সাসেপ্টরের তাপ পরিবাহিতা বাড়ায়, নিশ্চিত করে যে তাপ ওয়েফার পৃষ্ঠ জুড়ে সমানভাবে বিতরণ করা হয়। সামঞ্জস্যপূর্ণ এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি অর্জনের জন্য এই অভিন্নতা অপরিহার্য।

জারা প্রতিরোধের:

SiC আবরণ সাসেপ্টরকে ক্ষয়কারী গ্যাস যেমন হাইড্রোজেন এবং ক্লোরিনযুক্ত যৌগ থেকে রক্ষা করে, যা CVD প্রক্রিয়ায় ব্যবহৃত হয়। এই সুরক্ষা সাসেপ্টরের জীবনকাল প্রসারিত করে এবং এলপিই হাফমুন রিঅ্যাকশন চেম্বারে এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়ার অখণ্ডতা বজায় রাখে।

প্রতিক্রিয়া চেম্বারের দেয়াল:

প্রাথমিক ভূমিকা:

প্রতিক্রিয়া চেম্বারের দেয়ালে প্রতিক্রিয়াশীল পরিবেশ থাকে এবং এলপিই হাফমুন রিঅ্যাকশন চেম্বারে এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সময় উচ্চ তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী গ্যাসের সংস্পর্শে আসে।

CVD SiC আবরণ সুবিধা:

স্থায়িত্ব:

এলপিই হাফমুন রিঅ্যাকশন চেম্বারের SiC আবরণ চেম্বারের দেয়ালের স্থায়িত্বকে উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে, তাদের ক্ষয় এবং শারীরিক পরিধান থেকে রক্ষা করে। এই স্থায়িত্ব রক্ষণাবেক্ষণ এবং প্রতিস্থাপনের ফ্রিকোয়েন্সি হ্রাস করে, এইভাবে অপারেশনাল খরচ কমিয়ে দেয়।

দূষণ প্রতিরোধ:

চেম্বারের দেয়ালের অখণ্ডতা বজায় রাখার মাধ্যমে, SiC আবরণ ক্ষয়প্রাপ্ত সামগ্রী থেকে দূষণের ঝুঁকি হ্রাস করে, একটি পরিষ্কার প্রক্রিয়াকরণ পরিবেশ নিশ্চিত করে।

মূল সুবিধা:

উন্নত ফলন:

ওয়েফারগুলির কাঠামোগত অখণ্ডতা বজায় রাখার মাধ্যমে, এলপিই হাফমুন রিঅ্যাকশন চেম্বার উচ্চ ফলনের হার সমর্থন করে, যা সেমিকন্ডাক্টর ফ্যাব্রিকেশন প্রক্রিয়াটিকে আরও দক্ষ এবং সাশ্রয়ী করে তোলে।

কাঠামোগত দৃঢ়তা:

এলপিই হাফমুন রিঅ্যাকশন চেম্বারের SiC আবরণ গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটের যান্ত্রিক শক্তিকে উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে, ওয়েফার ক্যারিয়ারগুলিকে আরও মজবুত করে এবং বারবার তাপ সাইক্লিংয়ের যান্ত্রিক চাপ সহ্য করতে সক্ষম করে।

দীর্ঘায়ু:

বর্ধিত যান্ত্রিক শক্তি LPE হাফমুন রিঅ্যাকশন চেম্বারের সামগ্রিক দীর্ঘায়ুতে অবদান রাখে, ঘন ঘন প্রতিস্থাপনের প্রয়োজনীয়তা হ্রাস করে এবং অপারেশনাল খরচ আরও কমিয়ে দেয়।

উন্নত সারফেস কোয়ালিটি:

খালি গ্রাফাইটের তুলনায় SiC আবরণ একটি মসৃণ পৃষ্ঠে পরিণত হয়। এই মসৃণ ফিনিসটি কণা তৈরিকে কম করে, যা একটি পরিষ্কার প্রক্রিয়াকরণ পরিবেশ বজায় রাখার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

দূষণ হ্রাস:

একটি মসৃণ পৃষ্ঠ ওয়েফারে দূষণের ঝুঁকি হ্রাস করে, সেমিকন্ডাক্টর স্তরগুলির বিশুদ্ধতা নিশ্চিত করে এবং চূড়ান্ত ডিভাইসগুলির সামগ্রিক গুণমান উন্নত করে।

পরিষ্কার প্রক্রিয়াকরণ পরিবেশ:

সেমিকোরেক্স এলপিই হাফমুন রিঅ্যাকশন চেম্বার আনকোটেড গ্রাফাইটের তুলনায় উল্লেখযোগ্যভাবে কম কণা তৈরি করে, যা সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে দূষণ-মুক্ত পরিবেশ বজায় রাখার জন্য অপরিহার্য।

উচ্চ ফলন হার:

হ্রাসকৃত কণা দূষণ কম ত্রুটি এবং উচ্চ ফলনের হারের দিকে পরিচালিত করে, যা অত্যন্ত প্রতিযোগিতামূলক সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে গুরুত্বপূর্ণ কারণ।