MOCVD হিটার

এই হিটারটি উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছে, অশুদ্ধতার মাত্রা প্রতি মিলিয়ন (পিপিএম) 5 অংশের কম নিয়ন্ত্রিত। এরপর গ্রাফাইটকে রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) সিলিকন কার্বাইড (SiC) দিয়ে প্রলিপ্ত করা হয়, বিশুদ্ধতার মাত্রা 99.99995%-এর বেশি। উপকরণের এই সংমিশ্রণটি হিটারকে বৈশিষ্ট্যের একটি অনন্য সেট দিয়ে দেয় যা ধাতু-জৈব রাসায়নিক বাষ্প জমা (MOCVD) প্রক্রিয়াগুলিতে সর্বোত্তম কর্মক্ষমতা অর্জনের জন্য অপরিহার্য।

Semicorex MOCVD হিটারের সবচেয়ে উল্লেখযোগ্য বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে একটি হল এর ব্যতিক্রমী রাসায়নিক বিশুদ্ধতা। উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট কোর উল্লেখযোগ্যভাবে উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়ার সময় দূষকগুলির প্রবর্তনকে কমিয়ে দেয়, অতি-পরিষ্কার পাতলা ছায়াছবির জমা নিশ্চিত করে। CVD SiC আবরণ এই বিশুদ্ধতাকে আরও উন্নত করে, রাসায়নিক মিথস্ক্রিয়াগুলির বিরুদ্ধে একটি শক্তিশালী বাধা প্রদান করে যা জমা স্তরগুলির অখণ্ডতার সাথে আপস করতে পারে। এই উচ্চ স্তরের রাসায়নিক বিশুদ্ধতা উচ্চতর কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতার সাথে সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরির জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

অধিকন্তু, হিটারটি অত্যন্ত মজবুত এবং তাপগতভাবে দক্ষ, এটি এমওসিভিডি প্রক্রিয়াগুলির সাধারণ তাপীয় পরিস্থিতি সহ্য করতে সক্ষম। SiC এর অন্তর্নিহিত বৈশিষ্ট্য, যেমন এর উচ্চ গলনাঙ্ক এবং তাপ পরিবাহিতা, হিটারের দক্ষতার সাথে তাপ পরিচালনা এবং বিতরণ করার ক্ষমতাতে অবদান রাখে। এই তাপ দক্ষতা সাবস্ট্রেট জুড়ে অভিন্ন উত্তাপ নিশ্চিত করে, যা একজাতীয় ফিল্ম ডিপোজিশন অর্জনের জন্য এবং তাপীয় গ্রেডিয়েন্টগুলি হ্রাস করার জন্য প্রয়োজনীয় যা ত্রুটির কারণ হতে পারে।

বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা হল আরেকটি ক্ষেত্র যেখানে সেমিকোরেক্স এমওসিভিডি হিটার উৎকৃষ্ট। উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট কোর চমৎকার বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা প্রদান করে, যা হিটারকে উচ্চ বৈদ্যুতিক লোড সহজে পরিচালনা করতে দেয়। এই ক্ষমতা MOCVD প্রক্রিয়াগুলিতে বিশেষভাবে গুরুত্বপূর্ণ যেগুলির জন্য তাপমাত্রা এবং জমার হারের উপর সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন। উচ্চ লোডের অধীনে স্থিতিশীল বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা বজায় রাখার জন্য হিটারের ক্ষমতা সামঞ্জস্যপূর্ণ এবং পুনরুত্পাদনযোগ্য প্রক্রিয়া শর্তগুলি নিশ্চিত করে, যা উচ্চ-ফলনশীল সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

হিটারের সমতল পৃষ্ঠটি সাবধানতার সাথে সাবস্ট্রেটের দিকে উচ্চতর নির্গমন প্রদানের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, বিকিরণকারী তাপ স্থানান্তরের দক্ষতা বৃদ্ধি করে। এই নকশা বৈশিষ্ট্যটি নিশ্চিত করে যে সাবস্ট্রেটটি অভিন্ন উত্তাপ পায়, যা সামঞ্জস্যপূর্ণ বেধ এবং বৈশিষ্ট্য সহ উচ্চ-মানের পাতলা ফিল্মগুলি অর্জনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ। উচ্চ নির্গমন পৃষ্ঠটি হিটারের সামগ্রিক তাপ দক্ষতায়ও অবদান রাখে, শক্তি খরচ এবং অপারেশনাল খরচ হ্রাস করে।

স্থায়িত্বের ক্ষেত্রে, Semicorex MOCVD হিটার ব্যতিক্রমী জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা, অক্সিডিজেবিলিটি এবং উচ্চ যান্ত্রিক শক্তি প্রদান করে। CVD SiC আবরণ একটি মজবুত প্রতিরক্ষামূলক স্তর সরবরাহ করে যা MOCVD প্রক্রিয়াগুলিতে সাধারণত ক্ষয়কারী গ্যাস এবং রাসায়নিকগুলিকে প্রতিরোধ করে। এই জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা হিটারের কর্মক্ষম জীবনকালকে প্রসারিত করে, রক্ষণাবেক্ষণ এবং প্রতিস্থাপনের খরচ কমায়। হিটারের অক্সিডিজেবিলিটি নিশ্চিত করে যে এটি স্থিতিশীল থাকে এবং উচ্চ তাপমাত্রায়ও এটির অবনতি হয় না, দীর্ঘ কর্মক্ষম সময়কালে এর কার্যকারিতা এবং কাঠামোগত অখণ্ডতা সংরক্ষণ করে।

অবশেষে, হিটারের উচ্চ যান্ত্রিক শক্তি নিশ্চিত করে যে এটি তাপ সাইক্লিং এবং সাবস্ট্রেট পরিচালনার সাথে যুক্ত শারীরিক চাপ সহ্য করতে পারে। এই দৃঢ়তা যান্ত্রিক ব্যর্থতার ঝুঁকি হ্রাস করে, নির্ভরযোগ্য এবং অবিচ্ছিন্ন অপারেশন নিশ্চিত করে।