আইসিপি প্লাজমা এচিং ট্রে

সেমিকোরেক্সের আইসিপি প্লাজমা এচিং ট্রে বিশেষভাবে উচ্চ-তাপমাত্রার ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়া যেমন এপিটাক্সি এবং এমওসিভিডির জন্য প্রকৌশলী। 1600°C পর্যন্ত একটি স্থিতিশীল, উচ্চ-তাপমাত্রার অক্সিডেশন প্রতিরোধের সাথে, আমাদের বাহকগুলি এমনকি তাপীয় প্রোফাইল, লেমিনার গ্যাস প্রবাহের ধরণ প্রদান করে এবং দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার রোধ করে।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

আমাদের আইসিপি প্লাজমা এচিং ট্রে সিভিডি পদ্ধতি ব্যবহার করে সিলিকন কার্বাইড লেপা, যা উচ্চ-তাপমাত্রা এবং কঠোর রাসায়নিক পরিষ্কারের প্রয়োজন ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়াগুলির জন্য আদর্শ সমাধান। সেমিকোরেক্সের বাহকগুলিতে একটি সূক্ষ্ম SiC স্ফটিক আবরণ রয়েছে যা এমনকি তাপীয় প্রোফাইল, লেমিনার গ্যাস প্রবাহের প্যাটার্ন প্রদান করে এবং দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার রোধ করে।
Semicorex-এ, আমরা আমাদের গ্রাহকদের উচ্চ-মানের, সাশ্রয়ী পণ্য সরবরাহ করার উপর ফোকাস করি। আমাদের আইসিপি প্লাজমা এচিং ট্রেতে মূল্য সুবিধা রয়েছে এবং এটি অনেক ইউরোপীয় এবং আমেরিকান বাজারে রপ্তানি করা হয়। আমরা আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হতে লক্ষ্য রাখি, ধারাবাহিক মানের পণ্য এবং ব্যতিক্রমী গ্রাহক পরিষেবা সরবরাহ করা।
আমাদের ICP প্লাজমা এচিং ট্রে সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

ICP প্লাজমা এচিং ট্রে এর পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300