SiC প্রলিপ্ত ICP এচিং ক্যারিয়ার

এপিটাক্সি বা MOCVD-এর মতো পাতলা ফিল্ম জমার পর্যায়গুলিতে ব্যবহৃত ওয়েফার বাহক, বা ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়াকরণ যেমন এচিংকে অবশ্যই উচ্চ তাপমাত্রা এবং কঠোর রাসায়নিক পরিষ্কার সহ্য করতে হবে। সেমিকোরেক্স উচ্চ-বিশুদ্ধতা সরবরাহ করে SiC প্রলিপ্ত ICP এচিং ক্যারিয়ার উচ্চতর তাপ প্রতিরোধের, এমনকি সামঞ্জস্যপূর্ণ epi স্তরের বেধ এবং প্রতিরোধের জন্য তাপীয় অভিন্নতা এবং টেকসই রাসায়নিক প্রতিরোধের জন্য। সূক্ষ্ম SiC স্ফটিক আবরণ একটি পরিষ্কার, মসৃণ পৃষ্ঠ প্রদান করে, যা পরিচালনার জন্য গুরুত্বপূর্ণ কারণ আদি ওয়েফারগুলি তাদের সমগ্র অঞ্চল জুড়ে অনেক পয়েন্টে সাসেপ্টরের সাথে যোগাযোগ করে।

আমাদের SiC প্রলিপ্ত ICP এচিং ক্যারিয়ার সেরা ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জন করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, তাপীয় প্রোফাইলের সমানতা নিশ্চিত করে। এটি ওয়েফার চিপে উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি নিশ্চিত করে কোনো দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ করতে সাহায্য করে।

আমাদের SiC Coated ICP Etching Carrier সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

SiC প্রলিপ্ত ICP এচিং ক্যারিয়ারের পরামিতি

উচ্চ বিশুদ্ধতা SiC প্রলিপ্ত ICP এচিং ক্যারিয়ারের বৈশিষ্ট্য

- খোসা ছাড়ানো এড়িয়ে চলুন এবং সমস্ত পৃষ্ঠে আবরণ নিশ্চিত করুন

উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের: 1600 ডিগ্রি সেলসিয়াস পর্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীল

উচ্চ বিশুদ্ধতা: উচ্চ তাপমাত্রা ক্লোরিনেশন অবস্থার অধীনে CVD রাসায়নিক বাষ্প জমা দ্বারা তৈরি।

জারা প্রতিরোধের: উচ্চ কঠোরতা, ঘন পৃষ্ঠ এবং সূক্ষ্ম কণা।

জারা প্রতিরোধের: অ্যাসিড, ক্ষার, লবণ এবং জৈব বিকারক।

- সেরা ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জন করুন

- তাপীয় প্রোফাইলের সমতা গ্যারান্টি

- কোন দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ