আইসিপি প্লাজমা এচিং প্লেট

সেমিকোরেক্সের আইসিপি প্লাজমা এচিং প্লেট ওয়েফার হ্যান্ডলিং এবং পাতলা ফিল্ম জমার প্রক্রিয়াগুলির জন্য উচ্চতর তাপ এবং জারা প্রতিরোধের সরবরাহ করে। আমাদের পণ্য উচ্চ তাপমাত্রা এবং কঠোর রাসায়নিক পরিষ্কার সহ্য করার জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছে, স্থায়িত্ব এবং দীর্ঘায়ু নিশ্চিত করে। একটি পরিষ্কার এবং মসৃণ পৃষ্ঠের সাথে, আমাদের ক্যারিয়ার আদিম ওয়েফারগুলি পরিচালনা করার জন্য উপযুক্ত।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

যখন এটি পাতলা ফিল্ম জমা এবং ওয়েফার পরিচালনার ক্ষেত্রে আসে, সেমিকোরেক্সের আইসিপি প্লাজমা এচিং প্লেটকে বিশ্বাস করুন। আমাদের পণ্য উচ্চতর তাপ এবং জারা প্রতিরোধের, এমনকি তাপ অভিন্নতা, এবং সর্বোত্তম ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ নিদর্শন অফার করে। একটি পরিষ্কার এবং মসৃণ পৃষ্ঠের সাথে, আমাদের ক্যারিয়ার আদিম ওয়েফারগুলি পরিচালনা করার জন্য উপযুক্ত।

আমাদের ICP প্লাজমা এচিং প্লেটটি সর্বোত্তম ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, তাপীয় প্রোফাইলের সমানতা নিশ্চিত করে। এটি ওয়েফার চিপে উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি নিশ্চিত করে কোনো দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ করতে সাহায্য করে।

আমাদের ICP প্লাজমা এচিং প্লেট সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

ICP প্লাজমা এচিং প্লেটের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300