আইসিপি এচিং প্রক্রিয়ার জন্য ওয়েফার হোল্ডার

আইসিপি এচিং প্রক্রিয়ার জন্য সেমিকোরেক্সের ওয়েফার হোল্ডার ওয়েফার হ্যান্ডলিং এবং পাতলা ফিল্ম জমা দেওয়ার প্রক্রিয়ার জন্য উপযুক্ত পছন্দ। আমাদের পণ্যটি উচ্চতর তাপ এবং জারা প্রতিরোধের, এমনকি তাপীয় অভিন্নতা এবং সামঞ্জস্যপূর্ণ এবং নির্ভরযোগ্য ফলাফলের জন্য সর্বোত্তম ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহের ধরণ নিয়ে গর্ব করে।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

ওয়েফার হ্যান্ডলিং এবং পাতলা ফিল্ম জমা করার প্রক্রিয়াগুলিতে নির্ভরযোগ্য এবং সামঞ্জস্যপূর্ণ পারফরম্যান্সের জন্য ICP এচিং প্রক্রিয়ার জন্য সেমিকোরেক্সের ওয়েফার হোল্ডার চয়ন করুন। আমাদের পণ্য উচ্চ-তাপমাত্রার অক্সিডেশন প্রতিরোধের, উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং অ্যাসিড, ক্ষার, লবণ এবং জৈব বিকারকগুলির জারা প্রতিরোধের প্রস্তাব দেয়।
আইসিপি এচিং প্রক্রিয়ার জন্য আমাদের ওয়েফার হোল্ডারটি সর্বোত্তম ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, তাপীয় প্রোফাইলের সমানতা নিশ্চিত করে। এটি ওয়েফার চিপে উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি নিশ্চিত করে কোনো দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ করতে সাহায্য করে।
আইসিপি এচিং প্রক্রিয়ার জন্য আমাদের ওয়েফার হোল্ডার সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

ICP এচিং প্রক্রিয়ার জন্য ওয়েফার হোল্ডারের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300