সিলিকন কার্বাইড আইসিপি এচিং ক্যারিয়ার

এচিং প্রক্রিয়ার জন্য একটি নির্ভরযোগ্য ওয়েফার ক্যারিয়ার খুঁজছেন? সেমিকোরেক্স-এর সিলিকন কার্বাইড আইসিপি এচিং ক্যারিয়ার ছাড়া আর দেখবেন না। আমাদের পণ্য উচ্চ তাপমাত্রা এবং কঠোর রাসায়নিক পরিষ্কার সহ্য করার জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছে, স্থায়িত্ব এবং দীর্ঘায়ু নিশ্চিত করে। একটি পরিষ্কার এবং মসৃণ পৃষ্ঠের সাথে, আমাদের ক্যারিয়ার আদিম ওয়েফারগুলি পরিচালনা করার জন্য উপযুক্ত।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

সেমিকোরেক্সের সিলিকন কার্বাইড ICP এচিং ক্যারিয়ারের সাথে সর্বোত্তম ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহের ধরণ এবং তাপীয় প্রোফাইলের সমানতা নিশ্চিত করুন। আমাদের পণ্য পাতলা ফিল্ম জমা এবং ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়ার জন্য সর্বোত্তম সম্ভাব্য ফলাফল অর্জনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। উচ্চতর তাপ এবং জারা প্রতিরোধের সঙ্গে, আমাদের ক্যারিয়ার চাহিদা অ্যাপ্লিকেশনের জন্য নিখুঁত পছন্দ.

Semicorex-এ, আমরা আমাদের গ্রাহকদের উচ্চ-মানের, সাশ্রয়ী পণ্য সরবরাহ করার উপর ফোকাস করি। আমাদের সিলিকন কার্বাইড ICP এচিং ক্যারিয়ারের মূল্য সুবিধা রয়েছে এবং এটি অনেক ইউরোপীয় এবং আমেরিকান বাজারে রপ্তানি করা হয়। আমরা আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার লক্ষ্য রাখি, ধারাবাহিক মানের পণ্য এবং ব্যতিক্রমী গ্রাহক পরিষেবা সরবরাহ করা।

আমাদের সিলিকন কার্বাইড ICP এচিং ক্যারিয়ার সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

সিলিকন কার্বাইড ICP এচিং ক্যারিয়ারের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300