Epi-SiC রিসেপ্টর

Semicorex Epi-SiC সাসেপ্টর উচ্চ-তাপমাত্রার সহনশীলতা, রাসায়নিক জড়তা, এবং উচ্চতর তাপীয় প্রসারণের একটি সঙ্গম, এটি এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির প্রচেষ্টার সমার্থক নিবিড় পরিস্থিতির মুখে স্থিতিস্থাপকতা এবং দক্ষতার একটি প্যারাগন হিসাবে দাঁড়িয়েছে। একটি SiC আবরণের প্রয়োগ Epi-SiC সাসেপ্টরের তাপীয় বৈশিষ্ট্যগুলিকে উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে। এই বর্ধিতকরণটি ওয়েফারের গরম করার জন্য প্রয়োজনীয় অভিন্ন তাপ বন্টনকে সহজতর করে, যা সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার জুড়ে সামঞ্জস্যপূর্ণ, উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলি জমা করার জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

ওয়েফার এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়াগুলির সঠিক চাহিদা মেটাতে দর্জি দ্বারা তৈরি, Epi-SiC সাসেপ্টর চুল্লি পরিবেশের মধ্যে ওয়েফারগুলির নির্বিঘ্ন পরিবহনকে আন্ডারপিন করে। এর মজবুত নকশা ওয়েফার স্থানচ্যুতি বা আপোষের বিরুদ্ধে একটি বাঁধা, যার ফলে এপিটাক্সিয়াল স্তরের বিকাশের জটিল পর্যায়ে ক্ষতির ঘটনা হ্রাস করা হয়। উপরন্তু, Epi-SiC সাসেপ্টর নীচে গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটের জন্য একটি প্রতিরক্ষামূলক বাধা হিসাবে কাজ করে, এটিকে রাসায়নিক মিথস্ক্রিয়া এবং ঘর্ষণ থেকে রক্ষা করে যা এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়াগুলি প্ররোচিত করতে পারে।

একটি প্রতিরক্ষামূলক SiC আবরণ সহ একটি স্থিতিস্থাপক গ্রাফাইট কোরের সংমিশ্রণ শুধুমাত্র Epi-SiC সাসেপ্টরের কর্মক্ষমতা মেট্রিক্সকে শক্তিশালী করে না বরং এর সেবাযোগ্য জীবনকে উল্লেখযোগ্যভাবে দীর্ঘায়িত করে। ফলাফল হল একটি বিনিয়োগ যা সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন উদ্যোগগুলির জন্য টেকসই অপারেশনাল সঞ্চয়ের আকারে লভ্যাংশ প্রদান করে, যারা তাদের উত্পাদন ক্রিয়াকলাপগুলিকে অপ্টিমাইজ করতে চায় তাদের জন্য Epi-SiC সাসেপ্টরকে একটি ন্যায়সঙ্গত পছন্দ হিসাবে অবস্থান করে৷