পণ্যের বর্ণনা

সেমিকোরেক্স এসআইসি প্রক্রিয়া টিউবগুলি অক্সিডেশন, ডিফিউশন, আরটিএ/আরটিপি সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়াতে গুরুত্বপূর্ণ কাঠামোগত উপাদান। এটি সাধারণত একটি চুল্লি চুল্লি স্থান হিসাবে একটি বড় ব্যাসের টিউব, সমস্ত রাসায়নিক প্রক্রিয়া ভিতরে ঘটবে. সুতরাং শক্তি, তাপীয় শক প্রতিরোধের উভয়ই পণ্যের জন্য খুব মৌলিক পয়েন্ট।

SiC প্রক্রিয়া টিউব দ্বারা তৈরি করা হয়sintered সিলিকন কার্বাইড, এটি SiSiC, SSiC, বা RSiC, এবং পৃষ্ঠের CVD SiC আবরণ হতে পারে, যা একটি অতি উচ্চ বিশুদ্ধতা স্তর গঠন করবে৷ এটি কণা, ছাই, ইত্যাদি দ্বারা দূষণ প্রতিরোধ করতে পারে। এবং উপাদানটির খুব উচ্চ তাপীয় শক প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে, তাই SiC প্রক্রিয়া টিউবগুলি উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধে স্থিতিশীল থাকতে পারে এবং উচ্চ তাপমাত্রায় অমেধ্যগুলি বের হওয়া থেকে প্রতিরোধ করতে পারে এবং এইভাবে পরিবেশকে দূষিত করতে পারে।

সেমিকোরেক্স SiC প্রসেস টিউবগুলি একটি 3D প্রিন্ট ইন্টিগ্রেটেড ছাঁচনির্মাণ প্রক্রিয়ার মাধ্যমে তৈরি করা হয় একটি প্রচলিত প্রেস গঠিত বা একত্রিত টিউবের পরিবর্তে। এই উত্পাদন প্রক্রিয়াটি কোন জয়েন্ট এবং দুর্বল এলাকা ছাড়াই সিরামিকের একটি অবিচ্ছিন্ন, সামঞ্জস্যপূর্ণ কাঠামোর জন্য অনুমতি দেয়, উচ্চ মাত্রার জটিলতা এবং মাত্রিক বিশ্বস্ততা তৈরি করে, যা যান্ত্রিক শক্তি বাড়ানোর সাথে সাথে চাপের ঘনত্বকে উপশম করতে পারে। অধিকন্তু, মনোলিথিক কাঠামো একটি প্রাকৃতিক গ্যাস-আঁটসাঁট সীলমোহর প্রদান করে, উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়ার সময় দূষণ এবং ফুটো হ্রাস করে।

দSiCশরীরের একটি অতি-নিম্ন অপবিত্রতা উপাদান (<300 পিপিএম), প্রতিক্রিয়াশীল বায়ুমণ্ডলের জন্য চমৎকার উপাদান বিশুদ্ধতা এবং স্থিতিশীলতা প্রদান করে। এছাড়াও, ক্ষয় প্রতিরোধ এবং পৃষ্ঠ সুরক্ষা উন্নত করতে টিউবটি একটি CVD সিলিকন কার্বাইড স্তর (<5 ppm) দিয়ে প্রলিপ্ত হয়।

Semicorex কাস্টমাইজড পরিষেবা প্রদান করে, আমরা গ্রাহকদের অঙ্কন অনুযায়ী উত্পাদন করতে পারি, প্রয়োজনীয় স্পেসিফিকেশনের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করতে। সুতরাং Semicorex SiC প্রক্রিয়া টিউবগুলি শুধুমাত্র অনুভূমিক চুল্লির জন্য নয়, উল্লম্ব চুল্লিগুলির জন্যও বিকল্পভাবে উপযুক্ত হতে পারে।