CVD SiC প্রলিপ্ত ব্যারেল সাসেপ্টর

Semicorex CVD SiC প্রলিপ্ত ব্যারেল সাসেপ্টর হল একটি সূক্ষ্মভাবে প্রকৌশলী উপাদান যা উন্নত সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়া, বিশেষ করে এপিটাক্সির জন্য তৈরি করা হয়েছে। নির্ভুলতা এবং উদ্ভাবনের সাথে নির্মিত, এই CVD SiC প্রলিপ্ত ব্যারেল সাসেপ্টরটি অতুলনীয় দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতার সাথে ওয়েফারগুলিতে সেমিকন্ডাক্টর উপাদানগুলির এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির সুবিধার্থে ডিজাইন করা হয়েছে।

CVD SiC প্রলিপ্ত ব্যারেল সাসেপ্টর কোরে একটি শক্তিশালী গ্রাফাইট কাঠামো রয়েছে, যা এর ব্যতিক্রমী তাপ পরিবাহিতা এবং যান্ত্রিক শক্তির জন্য বিখ্যাত। এই গ্রাফাইট বেস সাসেপ্টরের জন্য একটি মজবুত ভিত্তি হিসাবে কাজ করে, এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টরের চাহিদাপূর্ণ অবস্থার অধীনে স্থিতিশীলতা এবং দীর্ঘায়ু নিশ্চিত করে।

গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটকে উন্নত করা হল রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) সিলিকন কার্বাইড (SiC) এর একটি অত্যাধুনিক আবরণ। এই বিশেষায়িত SiC আবরণটি রাসায়নিক বাষ্প জমার প্রক্রিয়ার মাধ্যমে সতর্কতার সাথে প্রয়োগ করা হয়, যার ফলে একটি অভিন্ন এবং টেকসই স্তর তৈরি হয় যা গ্রাফাইট পৃষ্ঠকে কম্বল করে। CVD SiC প্রলিপ্ত ব্যারেল সাসেপ্টরের CVD SiC আবরণ এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়াগুলির জন্য গুরুত্বপূর্ণ অসংখ্য সুবিধার পরিচয় দেয়।

CVD SiC প্রলিপ্ত ব্যারেল সাসেপ্টরের CVD SiC আবরণ উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং তাপ স্থিতিশীলতা সহ ব্যতিক্রমী তাপীয় বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে। এই বৈশিষ্ট্যগুলি এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির সময় সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারগুলির অভিন্ন এবং সুনির্দিষ্ট উত্তাপ নিশ্চিত করতে সহায়ক ভূমিকা পালন করে, যার ফলে সুসংগত স্তর জমার প্রচার করে এবং চূড়ান্ত পণ্যে ত্রুটিগুলি হ্রাস করে।

CVD SiC প্রলিপ্ত ব্যারেল সাসেপ্টরের ব্যারেল-আকৃতির নকশাটি দক্ষ ওয়েফার লোডিং এবং আনলোডিং, সেইসাথে ওয়েফার পৃষ্ঠ জুড়ে সর্বোত্তম তাপ বিতরণের জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে। এই নকশা বৈশিষ্ট্য, CVD SiC আবরণের উচ্চতর কর্মক্ষমতার সাথে মিলিত, এপিটাক্সিয়াল ম্যানুফ্যাকচারিং অপারেশনগুলিতে অতুলনীয় প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণ এবং ফলনের গ্যারান্টি দেয়।