ওয়েফার ট্রান্সফারের জন্য পিএসএস হ্যান্ডলিং ক্যারিয়ার

ওয়েফার ট্রান্সফারের জন্য সেমিকোরেক্সের পিএসএস হ্যান্ডলিং ক্যারিয়ার সবচেয়ে চাহিদাসম্পন্ন এপিটাক্সি সরঞ্জাম অ্যাপ্লিকেশনের জন্য প্রকৌশলী। আমাদের অতি-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট ক্যারিয়ার কঠোর পরিবেশ, উচ্চ তাপমাত্রা এবং কঠোর রাসায়নিক পরিস্কার সহ্য করতে পারে। SiC প্রলিপ্ত ক্যারিয়ারের চমৎকার তাপ বন্টন বৈশিষ্ট্য, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং খরচ-কার্যকর। আমাদের পণ্যগুলি অনেক ইউরোপীয় এবং আমেরিকান বাজারে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় এবং আমরা চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার অপেক্ষায় রয়েছি।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

সেমিকোরেক্স থেকে ওয়েফার ট্রান্সফারের জন্য পিএসএস হ্যান্ডলিং ক্যারিয়ার এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি এবং ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়াগুলির জন্য উচ্চ-তাপমাত্রা এবং কঠোর রাসায়নিক পরিষ্কারের প্রয়োজনীয়তা মেটাতে ডিজাইন করা হয়েছে। আমাদের অতি-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট ক্যারিয়ার MOCVD, এপিটাক্সি সাসেপ্টর, প্যানকেক বা স্যাটেলাইট প্ল্যাটফর্ম এবং ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রসেসিং যেমন এচিং-এর মতো পাতলা-ফিল্ম জমার পর্যায়গুলির জন্য আদর্শ। SiC প্রলিপ্ত ক্যারিয়ারের চমৎকার তাপ বন্টন বৈশিষ্ট্য, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং খরচ-কার্যকর।

ওয়েফার ট্রান্সফারের জন্য আমাদের PSS হ্যান্ডলিং ক্যারিয়ার সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

ওয়েফার ট্রান্সফারের জন্য পিএসএস হ্যান্ডলিং ক্যারিয়ারের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300