সেমিকন্ডাক্টরের জন্য পিএসএস এচিং ক্যারিয়ার প্লেট

সেমিকন্ডাক্টরের জন্য সেমিকোরেক্স পিএসএস এচিং ক্যারিয়ার প্লেট বিশেষভাবে উচ্চ-তাপমাত্রা এবং কঠোর রাসায়নিক পরিচ্ছন্নতার পরিবেশের জন্য প্রকৌশলী যা এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি এবং ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়াগুলির জন্য প্রয়োজনীয়। সেমিকন্ডাক্টরের জন্য আমাদের অতি-বিশুদ্ধ পিএসএস এচিং ক্যারিয়ার প্লেটটি এমওসিভিডি এবং এপিটাক্সি সাসেপ্টর, প্যানকেক বা স্যাটেলাইট প্ল্যাটফর্মের মতো পাতলা-ফিল্ম জমার পর্যায়ে ওয়েফারকে সমর্থন করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। আমাদের SiC প্রলিপ্ত ক্যারিয়ারের উচ্চ তাপ এবং জারা প্রতিরোধের, চমৎকার তাপ বিতরণের বৈশিষ্ট্য এবং একটি উচ্চ তাপ পরিবাহিতা রয়েছে। আমরা আমাদের গ্রাহকদের সাশ্রয়ী সমাধান প্রদান করি এবং আমাদের পণ্যগুলি অনেক ইউরোপীয় এবং আমেরিকান বাজারকে কভার করে। সেমিকোরেক্স চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

সেমিকোরেক্স থেকে সেমিকন্ডাক্টরের জন্য পিএসএস এচিং ক্যারিয়ার প্লেট হল এমওসিভিডি, এপিটাক্সি সাসেপ্টর, প্যানকেক বা স্যাটেলাইট প্ল্যাটফর্ম এবং এচিং-এর মতো ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রসেসিংয়ের মতো পাতলা-ফিল্ম জমার পর্যায়গুলির জন্য আদর্শ সমাধান। আমাদের অতি-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট ক্যারিয়ার ওয়েফারকে সমর্থন করার জন্য এবং কঠোর রাসায়নিক পরিষ্কার এবং উচ্চ-তাপমাত্রা পরিবেশ সহ্য করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। SiC প্রলিপ্ত ক্যারিয়ারের উচ্চ তাপ এবং জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা, চমৎকার তাপ বিতরণের বৈশিষ্ট্য এবং উচ্চ তাপ পরিবাহিতা রয়েছে। আমাদের পণ্য সাশ্রয়ী এবং একটি ভাল মূল্য সুবিধা আছে.

সেমিকন্ডাক্টরের জন্য আমাদের PSS এচিং ক্যারিয়ার প্লেট সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

সেমিকন্ডাক্টরের জন্য পিএসএস এচিং ক্যারিয়ার প্লেটের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300