ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের জন্য পিএসএস এচিং ক্যারিয়ার ট্রে

ওয়েফার প্রসেসিংয়ের জন্য সেমিকোরেক্সের পিএসএস এচিং ক্যারিয়ার ট্রে বিশেষভাবে ডিমান্ডিং এপিটাক্সি সরঞ্জাম অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। আমাদের অতি-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট ক্যারিয়ার MOCVD, এপিটাক্সি সাসেপ্টর, প্যানকেক বা স্যাটেলাইট প্ল্যাটফর্ম এবং ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রসেসিং যেমন এচিং-এর মতো পাতলা-ফিল্ম জমার পর্যায়গুলির জন্য আদর্শ। ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের জন্য পিএসএস এচিং ক্যারিয়ার ট্রেতে উচ্চ তাপ এবং জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা, চমৎকার তাপ বিতরণের বৈশিষ্ট্য এবং উচ্চ তাপ পরিবাহিতা রয়েছে। আমাদের পণ্য সাশ্রয়ী এবং একটি ভাল মূল্য সুবিধা আছে. আমরা অনেক ইউরোপীয় এবং আমেরিকান বাজার পূরণ করি এবং চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

সেমিকোরেক্স থেকে ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের জন্য পিএসএস এচিং ক্যারিয়ার ট্রে এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি এবং ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়াগুলির জন্য প্রয়োজনীয় কঠোর পরিবেশের জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছে। আমাদের অতি-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট ক্যারিয়ারটি এমওসিভিডি এবং এপিটাক্সি সাসেপ্টর, প্যানকেক বা স্যাটেলাইট প্ল্যাটফর্মের মতো পাতলা-ফিল্ম জমার পর্যায়ে ওয়েফারকে সমর্থন করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। SiC প্রলিপ্ত ক্যারিয়ারের উচ্চ তাপ এবং জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা, চমৎকার তাপ বিতরণের বৈশিষ্ট্য এবং উচ্চ তাপ পরিবাহিতা রয়েছে। আমাদের পণ্য সাশ্রয়ী মূল্যের এবং একটি ভাল মূল্য সুবিধা অফার.

ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের জন্য পিএসএস এচিং ক্যারিয়ার ট্রে এর পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300