টিএসি লেপ অর্ধ-চাঁদ অংশ

টিএসি সিরামিকগুলির 3880 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড, উচ্চ কঠোরতা (এমওএইচএস কঠোরতা 9-10), বৃহত তাপীয় পরিবাহিতা (22 ডাব্লু · এম -1 · কে-1), বৃহত নমন শক্তি (340-400 এমপিএ), এবং ছোট তাপীয় প্রসারণ সহগ (6.6 × 10−6k-1) রয়েছে। এগুলি দুর্দান্ত থার্মোকেমিক্যাল স্থিতিশীলতা এবং দুর্দান্ত শারীরিক বৈশিষ্ট্যগুলিও প্রদর্শন করে এবং গ্রাফাইট এবং সি/সি কম্পোজিটগুলির সাথে ভাল রাসায়নিক এবং যান্ত্রিক সামঞ্জস্যতা রয়েছে। অতএব, টিএসি আবরণগুলি মহাকাশ তাপ সুরক্ষা, একক স্ফটিক বৃদ্ধি, শক্তি ইলেকট্রনিক্স এবং চিকিত্সা ডিভাইসে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

টিএসি-প্রলিপ্ত গ্রাফাইটে খালি গ্রাফাইট বা এসআইসি-প্রলিপ্ত গ্রাফাইটের চেয়ে ভাল রাসায়নিক জারা প্রতিরোধের আরও ভাল রয়েছে, 2600 ° এর উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিরভাবে ব্যবহার করা যেতে পারে এবং অনেকগুলি ধাতব উপাদানগুলির সাথে প্রতিক্রিয়া দেখায় না। এটি তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর একক স্ফটিক বৃদ্ধি এবং ওয়েফার এচিং পরিস্থিতিগুলির মধ্যে সেরা আবরণ এবং প্রক্রিয়াটিতে তাপমাত্রা এবং অমেধ্যগুলির নিয়ন্ত্রণকে উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করতে পারে এবং উচ্চমানের সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার এবং সম্পর্কিত এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার প্রস্তুত করতে পারে। এটি বিশেষত এমওসিভিডি সরঞ্জাম সহ গাএন বা এএলএন একক স্ফটিক এবং পিভিটি সরঞ্জাম সহ ক্রমবর্ধমান এসআইসি একক স্ফটিকগুলির জন্য উপযুক্ত। প্রাপ্তবয়স্ক একক স্ফটিকগুলির গুণমান উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত হয়েছে।

এই পণ্যটি তাদের এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াগুলিতে নির্ভুলতা, দক্ষতা এবং স্থায়িত্বকে অগ্রাধিকার দেওয়ার জন্য নির্মাতাদের জন্য একটি আদর্শ সমাধান। সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের বিকশিত প্রয়োজনগুলি পূরণের জন্য ডিজাইন করা উচ্চ-পারফরম্যান্স সমাধানগুলির জন্য আস্থা সেমিকোরেক্স।