আইসিপি এচিং ওয়েফার হোল্ডার

সেমিকোরেক্সের আইসিপি এচিং ওয়েফার হোল্ডার হল এপিটাক্সি এবং এমওসিভিডি-র মতো উচ্চ-তাপমাত্রার ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়াগুলির জন্য নিখুঁত সমাধান। 1600°C পর্যন্ত একটি স্থিতিশীল, উচ্চ-তাপমাত্রার অক্সিডেশন প্রতিরোধের সাথে, আমাদের বাহকগুলি এমনকি তাপীয় প্রোফাইল, ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহের ধরণগুলি নিশ্চিত করে এবং দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার রোধ করে।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

আপনার এপিটাক্সি সরঞ্জামের জন্য ওয়েফার ক্যারিয়ারের একটি নির্ভরযোগ্য সরবরাহকারী খুঁজছেন? Semicorex ছাড়া আর তাকান না। আমাদের ICP এচিং ওয়েফার ধারক বিশেষভাবে উচ্চ-তাপমাত্রা, কঠোর রাসায়নিক পরিষ্কারের পরিবেশের জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছে। একটি সূক্ষ্ম SiC স্ফটিক আবরণ সহ, আমাদের ক্যারিয়ারগুলি উচ্চতর তাপ প্রতিরোধের, এমনকি তাপীয় অভিন্নতা এবং টেকসই রাসায়নিক প্রতিরোধের প্রদান করে।
আমাদের আইসিপি এচিং ওয়েফার হোল্ডার সর্বোত্তম ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, তাপীয় প্রোফাইলের সমানতা নিশ্চিত করে। এটি ওয়েফার চিপে উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি নিশ্চিত করে কোনো দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ করতে সাহায্য করে।
আমাদের ICP এচিং ওয়েফার হোল্ডার সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

ICP এচিং ওয়েফার হোল্ডারের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300