এন-টাইপ সিলিকন কার্বাইড পাউডার

সেমিকোরেক্স এন-টাইপ সিলিকন কার্বাইড পাউডার (SiC) একটি উচ্চ-বিশুদ্ধতা, ডোপড SiC উপাদান বিশেষভাবে উন্নত স্ফটিক বৃদ্ধি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এই এন-টাইপ সিলিকন কার্বাইড পাউডারটি এর উচ্চতর বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য এবং কাঠামোগত অখণ্ডতা দ্বারা চিহ্নিত করা হয়, এটি বিভিন্ন উচ্চ-কর্মক্ষমতা সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসে ব্যবহৃত সিলিকন কার্বাইড স্ফটিক উত্পাদনের জন্য একটি আদর্শ পছন্দ করে তোলে।

এন-টাইপ সিলিকন কার্বাইড পাউডার নাইট্রোজেন (N) দিয়ে ডোপ করা হয়, যা SiC স্ফটিক জালিতে অতিরিক্ত মুক্ত ইলেক্ট্রন প্রবর্তন করে, এর বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা বাড়ায়। এই এন-টাইপ ডোপিং সুনির্দিষ্ট ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্য প্রয়োজন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। এন-টাইপ সিলিকন কার্বাইড পাউডার একটি উচ্চ বিশুদ্ধতা স্তর অর্জনের জন্য কঠোর পরিশোধন প্রক্রিয়ার মধ্য দিয়ে যায়, অমেধ্যের উপস্থিতি হ্রাস করে যা স্ফটিক বৃদ্ধি প্রক্রিয়া এবং চূড়ান্ত পণ্যের কার্যকারিতাকে প্রভাবিত করতে পারে।

সেমিকোরেক্স এন-টাইপ সিলিকন কার্বাইড পাউডারে রয়েছে সূক্ষ্ম, অভিন্ন আকারের কণা যা অভিন্ন স্ফটিক বৃদ্ধিকে উন্নীত করে এবং সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টালগুলির সামগ্রিক গুণমান উন্নত করে।

প্রাথমিকভাবে সিলিকন কার্বাইড স্ফটিক বৃদ্ধিতে ব্যবহৃত, এই এন-টাইপ সিলিকন কার্বাইড পাউডার উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক ডিভাইস, উচ্চ-তাপমাত্রা সেন্সর এবং বিভিন্ন অপটোইলেক্ট্রনিক উপাদান তৈরিতে অবিচ্ছেদ্য। এটি সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের মধ্যে গবেষণা এবং উন্নয়নে ব্যবহারের জন্যও উপযুক্ত।

বৈশিষ্ট্য

অ্যাপ্লিকেশন:

সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টাল গ্রোথ: উচ্চ-মানের SiC স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য একটি উত্স উপাদান হিসাবে ব্যবহৃত হয়।

সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস: উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক উপাদানের জন্য আদর্শ।

উচ্চ-তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক্স: এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত যা চরম পরিস্থিতিতে শক্তিশালী কর্মক্ষমতা দাবি করে।

অপটোইলেক্ট্রনিক্স: ব্যতিক্রমী তাপীয় এবং বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য প্রয়োজন এমন ডিভাইসগুলিতে ব্যবহৃত হয়।