ওয়েফার প্রসেস হিটার

সেমিকোরেক্স ওয়েফার প্রসেস হিটারটি সিলিকন কার্বাইড লেপ (SiC) গ্রাফাইট দ্বারা তৈরি করা হয়, আবরণটি একটি CVD পদ্ধতি দ্বারা উচ্চ ঘনত্বের গ্রাফাইটের নির্দিষ্ট গ্রেডে প্রয়োগ করা হয়, তাই এটি একটি জড় বায়ুমণ্ডলে 3000 °C এর বেশি তাপমাত্রার চুল্লিতে কাজ করতে পারে, ভ্যাকুয়ামে 2200°C।
বিশেষ বৈশিষ্ট্য এবং ওয়েফার প্রসেস হিটার উপাদানের কম ভর দ্রুত গরম করার হার, অভিন্ন তাপমাত্রা বিতরণ এবং নিয়ন্ত্রণে অসামান্য নির্ভুলতার অনুমতি দেয়। অন্যান্য উপাদানের তুলনায় সিলিকন কার্বাইডের পৃষ্ঠতল তাপমাত্রার দ্রুত পরিবর্তনের সাথে চালিত হওয়া সত্ত্বেও কম তাপীয় প্রসারণের কারণে সমতল থাকে। গরম প্লেটগুলি অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াকরণ সিস্টেমে প্রয়োজনীয় প্রক্রিয়াগুলির জন্য খুব উপযুক্ত।
Semicorex-এ, আমরা আমাদের গ্রাহকদের উচ্চ-মানের, সাশ্রয়ী পণ্য সরবরাহ করার উপর ফোকাস করি। আমাদের ওয়েফার প্রসেস হিটারের মূল্য সুবিধা রয়েছে এবং এটি অনেক ইউরোপীয় এবং আমেরিকান বাজারে রপ্তানি করা হয়। আমরা আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার লক্ষ্য রাখি, ধারাবাহিক মানের পণ্য এবং ব্যতিক্রমী গ্রাহক পরিষেবা সরবরাহ করা।

ওয়েফার প্রসেস হিটারের পরামিতি

ওয়েফার প্রসেস হিটারের বৈশিষ্ট্য

- পরিষেবা জীবন উন্নত করতে CVD SiC আবরণ।
- উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের, জারা প্রতিরোধের, দীর্ঘ সেবা জীবন, ওয়েফারের গুণমান এবং ফলন উন্নত করতে পারে।
- এটিতে তাপীয় সম্প্রসারণ, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের, উচ্চ পরিধান প্রতিরোধের, ভাল নিরোধক, ভাল রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং কাছাকাছি-বেগুনি (লাল) দৃশ্যমান আলোর অনুপ্রবেশের অত্যন্ত কম সহগ রয়েছে।

আমরা অ্যান্টি-অক্সিডেশন এবং দীর্ঘ জীবনকাল গ্রাফাইট ক্রুসিবল, গ্রাফাইট ছাঁচ এবং গ্রাফাইট হিটারের সমস্ত অংশ সরবরাহ করতে পারি।