SiC এন্ড ইফেক্টর

সেমিকোরেক্স চীনে সিলিকন কার্বাইড প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসেপ্টরের একটি বড় মাপের প্রস্তুতকারক এবং সরবরাহকারী। আমরা সেমিকন্ডাক্টর ইন্ডাস্ট্রিতে ফোকাস করি যেমন সিলিকন কার্বাইড লেয়ার এবং এপিটাক্সি সেমিকন্ডাক্টর। আমাদের SiC এন্ড ইফেক্টরের একটি ভাল দামের সুবিধা রয়েছে এবং এটি ইউরোপ এবং আমেরিকার অনেক বাজারকে কভার করে। আমরা চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

Semicorex SiC এন্ড ইফেক্টর সিলিকন কার্বাইড লেপ (SiC) গ্রাফাইট দ্বারা তৈরি করা হয়, আবরণটি একটি CVD পদ্ধতি দ্বারা উচ্চ ঘনত্বের গ্রাফাইটের নির্দিষ্ট গ্রেডে প্রয়োগ করা হয়, তাই এটি একটি জড় বায়ুমণ্ডলে 3000 °C এর বেশি তাপমাত্রার চুল্লিতে কাজ করতে পারে, ভ্যাকুয়ামে 2200°C।

আমাদের SiC এন্ড ইফেক্টর সর্বোত্তম ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, তাপীয় প্রোফাইলের সমানতা নিশ্চিত করে। এটি ওয়েফার চিপে উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি নিশ্চিত করে কোনো দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ করতে সাহায্য করে।

আমাদের SiC এন্ড ইফেক্টর সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

SiC এন্ড ইফেক্টরের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
স্ফটিক গঠন	FCC Î² ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	Vickers কঠোরতা	2500
দ্রব্যের আকার	Î¼m	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ধারনক্ষমতা	J·kg-1 ·K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300â)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300