সেমিকোরেক্স হল চীনে সিলিকন কার্বাইড প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসেপ্টরের একটি বড় মাপের প্রস্তুতকারক এবং সরবরাহকারী। আমরা সেমিকন্ডাক্টর ইন্ডাস্ট্রিতে ফোকাস করি যেমন সিলিকন কার্বাইড লেয়ার এবং এপিটাক্সি সেমিকন্ডাক্টর। আমাদের SiC এন্ড ইফেক্টরের একটি ভাল দামের সুবিধা রয়েছে এবং এটি ইউরোপ ও আমেরিকার অনেক বাজারকে কভার করে। আমরা চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।
সেমিকোরেক্স SiC এন্ড ইফেক্টর সিলিকন কার্বাইড লেপ (SiC) গ্রাফাইট দ্বারা তৈরি করা হয়, আবরণ একটি CVD পদ্ধতি দ্বারা উচ্চ ঘনত্বের গ্রাফাইটের নির্দিষ্ট গ্রেডে প্রয়োগ করা হয়, তাই এটি একটি জড় পরিবেশে 3000 °C এর বেশি তাপমাত্রার চুল্লিতে কাজ করতে পারে, ভ্যাকুয়ামে 2200°C।
আমাদের SiC এন্ড ইফেক্টর সর্বোত্তম ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, তাপীয় প্রোফাইলের সমানতা নিশ্চিত করে। এটি ওয়েফার চিপে উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি নিশ্চিত করে কোনো দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ করতে সাহায্য করে।
আমাদের SiC এন্ড ইফেক্টর সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।
SiC এন্ড ইফেক্টরের পরামিতি
CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন |
||
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য |
||
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার |
FCC β ফেজ |
|
ঘনত্ব |
g/cm ³ |
3.21 |
কঠোরতা |
ভিকারস কঠোরতা |
2500 |
শস্য আকার |
μm |
2~10 |
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা |
% |
99.99995 |
তাপ ক্ষমতা |
J kg-1 K-1 |
640 |
পরমানন্দ তাপমাত্রা |
℃ |
2700 |
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ |
MPa (RT 4-পয়েন্ট) |
415 |
তরুণের মডুলাস |
Gpa (4pt বাঁক, 1300℃) |
430 |
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
তাপ পরিবাহিতা |
(W/mK) |
300 |
SiC এন্ড ইফেক্টরের বৈশিষ্ট্য
- খোসা ছাড়ানো এড়িয়ে চলুন এবং সমস্ত পৃষ্ঠে আবরণ নিশ্চিত করুন
উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের: 1600 ডিগ্রি সেলসিয়াস পর্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীল
উচ্চ বিশুদ্ধতা: উচ্চ তাপমাত্রা ক্লোরিনেশন অবস্থার অধীনে CVD রাসায়নিক বাষ্প জমা দ্বারা তৈরি।
জারা প্রতিরোধের: উচ্চ কঠোরতা, ঘন পৃষ্ঠ এবং সূক্ষ্ম কণা।
জারা প্রতিরোধের: অ্যাসিড, ক্ষার, লবণ এবং জৈব বিকারক।
- সেরা ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জন করুন
- তাপীয় প্রোফাইলের সমতা গ্যারান্টি
- কোন দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ