সিক লেপা প্লেট

সেমিকোরেক্স এসআইসি লেপযুক্ত প্লেটটি একটি ইঞ্জিনিয়ারড উচ্চ-পারফরম্যান্স উপাদান যা বিশেষত এপিট্যাক্সিয়াল (ইপিআই) বৃদ্ধির সরঞ্জামগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, উচ্চমানের ফিল্মগুলি তৈরি করতে স্থিতিশীল, উচ্চ-বিশুদ্ধতা স্তরগুলির প্রয়োজন। এটি একটি উচ্চ-শক্তি গ্রাফাইট কোর, সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) এর সাথে অভিন্ন এবং ঘনভাবে লেপযুক্ত, এসআইসির রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং পৃষ্ঠের স্থায়িত্বের সাথে মিলিত উচ্চ-শক্তি গ্রাফাইটের অতুলনীয় তাপ এবং যান্ত্রিক প্রতিরোধ ক্ষমতা অর্জন করে। সেমিকোরেক্স এসআইসি প্রলিপ্ত প্লেটটি এসআইসি এবং গাএন সহ যৌগিক অর্ধপরিবাহীগুলির জন্য এপিট্যাক্সিয়াল প্রক্রিয়াগুলির চরম কঠোরতা বজায় রাখতে নির্মিত।

এসআইসি লেপা প্লেটের গ্রাফাইট কোরটি অসামান্য তাপ পরিবাহিতা, কম ঘনত্ব এবং উচ্চতর তাপীয় শক প্রতিরোধের ধারণ করে। গ্রাফাইট কোরের মাঝারিভাবে কম তাপীয় ভরগুলি দুর্দান্ত তাপ পরিবাহিতা সহ ভারসাম্যযুক্ত একটি প্রক্রিয়াতে সমানভাবে তাপের দ্রুত বিতরণের অনুমতি দেয় যেখানে তাপমাত্রা চক্র উচ্চ গতিতে ঘটে। রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (সিভিডি) দ্বারা জমা হওয়া এসআইসির বাইরের স্তরটি একটি প্রতিরক্ষামূলক বাধা সরবরাহ করে যা কঠোরতা, জারা প্রতিরোধের এবং রাসায়নিক জড়তা বৃদ্ধি করে, কণা উত্পাদনকে সীমাবদ্ধ বা প্রতিরোধে তাত্ক্ষণিক মান সরবরাহ করে। গ্রাফাইট বেসের শারীরিক বৈশিষ্ট্যের সাথে মিলিত এই শক্ত প্রাথমিক পৃষ্ঠটি এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলিতে ত্রুটিযুক্ত প্রজন্মের খুব কম বা কোনও ঝুঁকি সহ খুব উচ্চ বিশুদ্ধতা প্রক্রিয়া পরিবেশের আশ্বাস দেয়।

মাত্রিক নির্ভুলতা এবং পৃষ্ঠের সমতলতাও এসআইসি লেপা প্লেটের প্রয়োজনীয় বৈশিষ্ট্য। প্রক্রিয়া কার্য সম্পাদনে অভিন্নতা এবং পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা নিশ্চিত করার জন্য প্রতিটি প্লেট মেশিনযুক্ত এবং টাইট সহনশীলতার সাথে লেপযুক্ত। মসৃণ এবং জড় পৃষ্ঠটি অযাচিত ফিল্ম জমার জন্য নিউক্লিয়েশন সাইটগুলি হ্রাস করে এবং প্লেটের পৃষ্ঠ জুড়ে ওয়েফার অভিন্নতা উন্নত করে।

এপিট্যাক্সিয়াল চুল্লিগুলিতে, এসআইসি প্রলিপ্ত প্লেটটি সাধারণত একটি সংবেদনশীল, লাইনার বা তাপীয় ঝাল হিসাবে প্রয়োগ করা হয় যাতে কাঠামো দেওয়ার জন্য এবং ওয়েফারকে তাপ স্থানান্তর মাধ্যম হিসাবে প্রক্রিয়াজাতকরণ করা হয়। স্থিতিশীল পারফরম্যান্স সরাসরি স্ফটিক গুণমান, ফলন এবং উত্পাদনশীলতাকে প্রভাবিত করবে।