SiC ওয়েফার ট্রে

সেমিকোরেক্স SiC ওয়েফার ট্রে, MOCVD যন্ত্রপাতির একটি মূল উপাদান হিসাবে কাজ করে, একক স্ফটিক সাবস্ট্রেট ধারণ করে এবং তাপীয়ভাবে পরিচালনা করে। উচ্চতর তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং অভিন্নতা এবং ক্ষয় প্রতিরোধ সহ এর ব্যতিক্রমী কার্যকারিতা বৈশিষ্ট্যগুলি এপিটাক্সিয়াল উপকরণগুলির উচ্চ-মানের বৃদ্ধির জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। এই বৈশিষ্ট্যগুলি পাতলা ফিল্ম স্তরগুলিতে ধারাবাহিক অভিন্নতা এবং বিশুদ্ধতা নিশ্চিত করে।

একটি SiC আবরণ দিয়ে উন্নত, SiC ওয়েফার ট্রে তাপ পরিবাহিতাকে উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করে, দ্রুত এবং এমনকি তাপ বিতরণকে সহজতর করে যা অভিন্ন এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য গুরুত্বপূর্ণ। SiC ওয়েফার ট্রে-এর দক্ষতার সাথে তাপ শোষণ এবং বিকিরণ করার ক্ষমতা একটি স্থিতিশীল এবং সামঞ্জস্যপূর্ণ তাপমাত্রা বজায় রাখে, যা পাতলা ফিল্মগুলির সুনির্দিষ্ট জমার জন্য অপরিহার্য। এই অভিন্ন তাপমাত্রা বন্টন উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল স্তর তৈরির জন্য গুরুত্বপূর্ণ, যা উন্নত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির কর্মক্ষমতার জন্য অপরিহার্য।

SiC ওয়েফার ট্রে এর নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘায়ু প্রতিস্থাপনের ফ্রিকোয়েন্সি হ্রাস করে, ডাউনটাইম এবং রক্ষণাবেক্ষণ খরচ কমিয়ে দেয়। এর মজবুত নির্মাণ এবং উচ্চতর অপারেশনাল ক্ষমতা প্রক্রিয়ার দক্ষতা বাড়ায়, যার ফলে সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে উৎপাদনশীলতা এবং খরচ-কার্যকারিতা বৃদ্ধি পায়।

অতিরিক্তভাবে, সেমিকোরেক্স SiC ওয়েফার ট্রে উচ্চ তাপমাত্রায় জারণ এবং ক্ষয়ের জন্য চমৎকার প্রতিরোধ প্রদর্শন করে, আরও এর স্থায়িত্ব এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে। এটির উচ্চ তাপীয় সহনশীলতা, একটি উল্লেখযোগ্য গলনাঙ্ক দ্বারা চিহ্নিত, এটিকে অর্ধপরিবাহী বানোয়াট প্রক্রিয়ার অন্তর্নিহিত কঠোর তাপীয় অবস্থাকে সহ্য করতে সক্ষম করে।