সেমিকোরেক্স SiC কোটেড এপিটাক্সি ডিস্কের বিস্তৃত বৈশিষ্ট্য রয়েছে যা এটিকে সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে একটি অপরিহার্য উপাদান করে তোলে, যেখানে উচ্চ-প্রযুক্তি অর্ধপরিবাহী ডিভাইসগুলির সাফল্যের জন্য সরঞ্জামগুলির নির্ভুলতা, স্থায়িত্ব এবং দৃঢ়তা সর্বোত্তম। সেমিকোরেক্সে আমরা উচ্চ-কার্যক্ষমতা সম্পন্ন SiC কোটেড এপিটাক্সি ডিস্ক তৈরি এবং সরবরাহ করতে নিবেদিত যা খরচ-দক্ষতার সাথে গুণমানকে ফিউজ করে।**
Semicorex SiC প্রলিপ্ত Epitaxy ডিস্ক সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের মধ্যে অতুলনীয় সুবিধার একটি পরিসীমা বৈশিষ্ট্যযুক্ত, যা নিম্নলিখিত হিসাবে আরও বিশদ করা যেতে পারে:
তাপীয় সম্প্রসারণের নিম্ন গুণাঙ্ক: SiC প্রলিপ্ত এপিটাক্সি ডিস্ক তাপ সম্প্রসারণের একটি উল্লেখযোগ্যভাবে কম সহগকে গর্বিত করে, যা সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াকরণে গুরুত্বপূর্ণ যেখানে মাত্রিক স্থিতিশীলতা অপরিহার্য। এই বৈশিষ্ট্যটি নিশ্চিত করে যে SiC প্রলিপ্ত Epitaxy ডিস্ক তাপমাত্রার তারতম্যের অধীনে ন্যূনতম প্রসারণ বা সংকোচনের মধ্য দিয়ে যায়, উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়া চলাকালীন সেমিকন্ডাক্টর কাঠামোর অখণ্ডতা বজায় রাখে।
উচ্চ-তাপমাত্রার অক্সিডেশন প্রতিরোধ: অসাধারণ অক্সিডেশন প্রতিরোধের সাথে ইঞ্জিনিয়ারড, এই SiC প্রলিপ্ত এপিটাক্সি ডিস্কটি উচ্চ তাপমাত্রায় এর কাঠামোগত অখণ্ডতা বজায় রাখে, এটি উচ্চ-তাপমাত্রার অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াগুলির মধ্যে অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি আদর্শ উপাদান তৈরি করে যেখানে তাপ স্থিতিশীলতা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
ঘন এবং সূক্ষ্ম-ছিদ্রযুক্ত পৃষ্ঠ: SiC প্রলিপ্ত এপিটাক্সি ডিস্কের পৃষ্ঠটি এর ঘনত্ব এবং সূক্ষ্ম ছিদ্রতা দ্বারা চিহ্নিত করা হয়, যা বিভিন্ন আবরণগুলিকে মেনে চলার জন্য একটি সর্বোত্তম পৃষ্ঠের টেক্সচার প্রদান করে এবং সূক্ষ্ম পৃষ্ঠের ক্ষতি না করে সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের সময় কার্যকর উপাদান অপসারণ নিশ্চিত করে।
উচ্চ কঠোরতা: আবরণ গ্রাফাইট ডিস্কে উচ্চ স্তরের কঠোরতা প্রদান করে, যা স্ক্র্যাচিং এবং পরিধানের জন্য প্রতিরোধী, এইভাবে SiC প্রলিপ্ত এপিটাক্সি ডিস্কের পরিষেবা জীবনকে প্রসারিত করে এবং সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন পরিবেশে প্রতিস্থাপনের ফ্রিকোয়েন্সি হ্রাস করে।
অ্যাসিড, বেস, লবণ এবং জৈব রিএজেন্টগুলির প্রতিরোধ: SiC প্রলিপ্ত এপিটাক্সি ডিস্কের CVD SiC আবরণ অ্যাসিড, বেস, লবণ এবং জৈব বিকারক সহ বিস্তৃত ক্ষয়কারী এজেন্টগুলির জন্য দুর্দান্ত প্রতিরোধের প্রস্তাব দেয়, এটি পরিবেশে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত করে তোলে যেখানে রাসায়নিক এক্সপোজার একটি উদ্বেগের বিষয়, যার ফলে সরঞ্জামের নির্ভরযোগ্যতা এবং দীর্ঘায়ু বৃদ্ধি পায়।
বিটা-SiC সারফেস লেয়ার: SiC প্রলিপ্ত Epitaxy ডিস্কের SIC (সিলিকন কার্বাইড) পৃষ্ঠ স্তরটি বিটা-SiC নিয়ে গঠিত, যার একটি মুখ-কেন্দ্রিক কিউবিক (FCC) স্ফটিক কাঠামো রয়েছে। এই স্ফটিক কাঠামোটি আবরণের ব্যতিক্রমী যান্ত্রিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্যগুলিতে অবদান রাখে, ডিস্কে উচ্চতর শক্তি এবং তাপ পরিবাহিতা প্রদান করে, যা অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াকরণ সরঞ্জামগুলির জন্য অপরিহার্য।