রিসিভার ডিস্ক

উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট থেকে তৈরি এবং MOCVD কৌশল ব্যবহার করে সিলিকন কার্বাইড (SiC) এর একটি স্তর দিয়ে প্রলিপ্ত, সেমিকোরেক্স সাসেপ্টর ডিস্ক অসাধারণ রাসায়নিক স্থিতিশীলতার সাথে ব্যতিক্রমী তাপীয় বৈশিষ্ট্যগুলিকে একত্রিত করে। সিলিকন কার্বাইড আবরণ উচ্চ তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী অবস্থার চমৎকার প্রতিরোধ নিশ্চিত করে, চ্যালেঞ্জিং পরিবেশে সাসেপ্টর ডিস্কের অখণ্ডতা বজায় রাখার জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

উপরন্তু, সাসেপ্টর ডিস্কের SiC আবরণ তার তাপ পরিবাহিতা বাড়ায়, যা সুসংগত এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য দ্রুত এবং এমনকি তাপ বিতরণের জন্য গুরুত্বপূর্ণ। এটি দক্ষতার সাথে তাপ শোষণ করে এবং বিকিরণ করে, একটি স্থিতিশীল, অভিন্ন তাপমাত্রা প্রদান করে যা পাতলা ছায়াছবির জমার জন্য প্রয়োজনীয়। এই অভিন্নতা উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলি অর্জনের জন্য অত্যাবশ্যক, যা উন্নত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির কার্যকারিতা এবং কর্মক্ষমতার জন্য মৌলিক।

সাসেপ্টর ডিস্কের নকশা তাপীয় সম্প্রসারণের চ্যালেঞ্জকেও সম্বোধন করে। এর তাপীয় প্রসারণের ন্যূনতম সহগ এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির সাথে একটি শক্তিশালী বন্ধন নিশ্চিত করে, তাপীয় সাইক্লিংয়ের কারণে ক্র্যাকিংয়ের ঝুঁকি হ্রাস করে। এই বৈশিষ্ট্য, সাসেপ্টর ডিস্কের উচ্চ গলনাঙ্ক এবং চমৎকার অক্সিডেশন প্রতিরোধের সাথে মিলিত, চরম পরিস্থিতিতে নির্ভরযোগ্য অপারেশনের জন্য অনুমতি দেয়।

এই উন্নত বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে, সাসেপ্টর ডিস্ক আধুনিক MOCVD অ্যাপ্লিকেশনগুলির কঠোর প্রয়োজনীয়তাগুলিকে শুধুমাত্র পূরণ করে না, একটি নির্ভরযোগ্য, উচ্চ-কর্মক্ষমতা সমাধান প্রদান করে যা এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সামগ্রিক দক্ষতা এবং আউটপুটকে বাড়িয়ে তোলে।