SiC এপিটাক্সি কি?

সিলিকন কার্বাইড (SiC) এপিটাক্সি হল সেমিকন্ডাক্টরের ক্ষেত্রে একটি মূল প্রযুক্তি, বিশেষ করে উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইসের উন্নয়নের জন্য। SiC একটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সহ একটি যৌগিক অর্ধপরিবাহী, যা এটিকে এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে যার জন্য উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-ভোল্টেজ অপারেশন প্রয়োজন।

SiC epitaxy হল রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) বা মলিকুলার বিম এপিটাক্সি (MBE) কৌশল ব্যবহার করে একটি সাবস্ট্রেট, সাধারণত সিলিকনের উপর স্ফটিক উপাদানের একটি পাতলা স্তর বৃদ্ধি করার একটি প্রক্রিয়া। এপিটাক্সিয়াল স্তরটির স্তরটির মতো একই স্ফটিক কাঠামো এবং অভিযোজন রয়েছে, যা দুটি উপাদানের মধ্যে একটি উচ্চ-মানের ইন্টারফেস গঠনের অনুমতি দেয়।

ডায়োড, ট্রানজিস্টর এবং থাইরিস্টরের মতো পাওয়ার ডিভাইস সহ পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের বিকাশে SiC এপিটাক্সি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছে। এই ডিভাইসগুলি বৈদ্যুতিক যানবাহন, পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সিস্টেম এবং বিদ্যুৎ সরবরাহের মতো বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়।

সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, বৈদ্যুতিক যানবাহন এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি ব্যবস্থার মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উচ্চ-শক্তির ডিভাইস তৈরির জন্য SiC এপিটাক্সির বিকাশে আগ্রহ বাড়ছে। আরও দক্ষ এবং টেকসই শক্তি ব্যবস্থার প্রয়োজনের কারণে আগামী বছরগুলিতে এই ডিভাইসগুলির চাহিদা দ্রুত বৃদ্ধি পাবে বলে আশা করা হচ্ছে।

এই চাহিদার প্রতিক্রিয়ায়, গবেষকরা এবং কোম্পানিগুলি গুণমান উন্নত করা এবং প্রক্রিয়াটির খরচ কমানোর দিকে মনোযোগ দিয়ে, SiC এপিটাক্সি প্রযুক্তির বিকাশে বিনিয়োগ করছে। উদাহরণস্বরূপ, কিছু কোম্পানি ওয়েফার প্রতি খরচ কমাতে বড় সাবস্ট্রেটগুলিতে SiC এপিটাক্সি তৈরি করছে, অন্যরা ত্রুটির ঘনত্ব কমাতে নতুন কৌশলগুলি অন্বেষণ করছে।

গ্যাস সেন্সিং, টেম্পারেচার সেন্সিং এবং প্রেসার সেন্সিং সহ বিভিন্ন ধরনের অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উন্নত সেন্সর তৈরিতেও SiC এপিটাক্সি ব্যবহার করা হচ্ছে। SiC এর অনন্য বৈশিষ্ট্য রয়েছে যা এটিকে এই অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে, যেমন উচ্চ-তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা এবং কঠোর পরিবেশের প্রতিরোধ।