সেমিকন্ডাক্টরের জন্য MOCVD প্ল্যানেট সাসেপ্টর

সেমিকোরেক্স সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে একটি বিশ্বস্ত নাম, যা সেমিকন্ডাক্টরের জন্য উচ্চ-মানের MOCVD প্ল্যানেট সাসেপ্টর প্রদান করে। আমাদের পণ্যটি অর্ধপরিবাহী নির্মাতাদের নির্দিষ্ট চাহিদা মেটাতে ডিজাইন করা হয়েছে যারা এমন ক্যারিয়ার খুঁজছেন যা চমৎকার কর্মক্ষমতা, স্থিতিশীলতা এবং স্থায়িত্ব প্রদান করতে পারে। আমাদের পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে এবং কীভাবে আমরা আপনার সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনের প্রয়োজনে আপনাকে সাহায্য করতে পারি তা জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

সেমিকন্ডাক্টরের জন্য আমাদের MOCVD প্ল্যানেট সাসেপ্টর উচ্চ তাপমাত্রার অক্সিডেশন প্রতিরোধের বৈশিষ্ট্যযুক্ত, 1600°C পর্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রায় এর স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করে। এটি অত্যন্ত বিশুদ্ধ, উচ্চ-তাপমাত্রার ক্লোরিনেশন অবস্থার অধীনে সিভিডি রাসায়নিক বাষ্প জমার দ্বারা তৈরি, পণ্যের অভিন্নতা এবং সামঞ্জস্য নিশ্চিত করে, এমনকি তাপীয় প্রোফাইল এবং লেমিনার গ্যাস প্রবাহের প্যাটার্নও।
সেমিকন্ডাক্টরের জন্য আমাদের MOCVD প্ল্যানেট সাসেপ্টর সম্পর্কে আরও জানতে আমাদের সাথে আজই যোগাযোগ করুন।

সেমিকন্ডাক্টরের জন্য MOCVD প্ল্যানেট সাসেপ্টরের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300

MOCVD এর জন্য SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসেপ্টরের বৈশিষ্ট্য

- খোসা ছাড়ানো এড়িয়ে চলুন এবং সমস্ত পৃষ্ঠে আবরণ নিশ্চিত করুন
উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের: 1600 ডিগ্রি সেলসিয়াস পর্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীল
উচ্চ বিশুদ্ধতা: উচ্চ তাপমাত্রা ক্লোরিনেশন অবস্থার অধীনে CVD রাসায়নিক বাষ্প জমা দ্বারা তৈরি।
জারা প্রতিরোধের: উচ্চ কঠোরতা, ঘন পৃষ্ঠ এবং সূক্ষ্ম কণা।
জারা প্রতিরোধের: অ্যাসিড, ক্ষার, লবণ এবং জৈব বিকারক।
- সেরা ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জন করুন
- তাপীয় প্রোফাইলের সমতা গ্যারান্টি
- কোন দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ