Semicorex CVD SiC Fin হল একটি পুরু, উচ্চ-ঘনত্বের কঠিন সিলিকন কার্বাইড উপাদান যা রাসায়নিক বাষ্প জমা দ্বারা নির্মিত, প্লাজমা-মুখী এবং অতি-উচ্চ-তাপমাত্রা সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যার জন্য ব্যতিক্রমী বিশুদ্ধতা, স্থায়িত্ব এবং জারা প্রতিরোধের প্রয়োজন। সেমিকোরেক্স বিশ্বব্যাপী সেমিকন্ডাক্টর সরঞ্জাম প্রস্তুতকারকদের উন্নত সিভিডি সিলিকন কার্বাইড উপাদান সরবরাহ করে, কাস্টমাইজড সমাধান, নির্ভুল প্রকৌশল, এবং সবচেয়ে চাহিদাপূর্ণ প্রক্রিয়া পরিবেশের জন্য নির্ভরযোগ্য বিশ্বব্যাপী ডেলিভারি প্রদান করে।*
যেহেতু সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলি ছোট জ্যামিতি এবং উচ্চতর একীকরণ স্তরের দিকে বিকশিত হতে থাকে, প্রক্রিয়া সরঞ্জামগুলিকে ক্রমবর্ধমান চাহিদাপূর্ণ পরিস্থিতিতে কাজ করতে হবে। প্লাজমা এচিং, অ্যাডভান্সড ডিপোজিশন, এবং উচ্চ-তাপমাত্রা উত্পাদন পরিবেশ চেম্বারের উপাদানগুলিকে চরম তাপীয় চাপ, আক্রমণাত্মক প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাস এবং উচ্চ-শক্তি আয়ন বোমাবাজির মুখোমুখি করে।
এই চ্যালেঞ্জগুলি মোকাবেলা করার জন্য, Semicorex CVD SiC Fin অফার করে, একটি উচ্চ-ঘনত্বের কঠিন সিলিকন কার্বাইড উপাদান যা উন্নত রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) প্রযুক্তির মাধ্যমে তৈরি করা হয়। প্রচলিত SiC পাতলা-ফিল্ম আবরণগুলির বিপরীতে যা সাধারণত মাত্র কয়েক দশ বা শত শত মাইক্রন পরিমাপ করে, CVD SiC ফিন হল একটি উল্লেখযোগ্যভাবে পুরু, সম্পূর্ণ ঘন সিলিকন কার্বাইড কাঠামো যার পুরুত্ব 500 μm থেকে 10,000 μm পর্যন্ত।
এই অনন্য নির্মাণটি উচ্চতর স্থায়িত্ব, দীর্ঘ পরিষেবা জীবন, এবং সবচেয়ে চাহিদাপূর্ণ সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াকরণ পরিবেশে ব্যতিক্রমী কর্মক্ষমতা সক্ষম করে।
অনেক সেমিকন্ডাক্টর উপাদান সুরক্ষার জন্য SiC-কোটেড গ্রাফাইট বা পাতলা-ফিল্ম SiC আবরণের উপর নির্ভর করে। যদিও এই সমাধানগুলি মাঝারি প্রক্রিয়ার পরিস্থিতিতে ভাল কাজ করে, গুরুতর প্লাজমা এক্সপোজার এবং বর্ধিত অপারেটিং চক্রের জন্য প্রায়শই আরও শক্তিশালী উপাদান সিস্টেমের প্রয়োজন হয়।
CVD SiC Fin একটি সাধারণ পৃষ্ঠ আবরণের পরিবর্তে একটি ঘন, উচ্চ-বিশুদ্ধ সিলিকন কার্বাইড বডি হিসাবে তৈরি করা হয়। ফলস্বরূপ কাঠামো প্রদান করে:
উল্লেখযোগ্যভাবে বৃহত্তর উপাদান বেধ
উচ্চতর কাঠামোগত অখণ্ডতা
রক্তরস ক্ষয় উচ্চতর প্রতিরোধের
দীর্ঘ কর্মক্ষম জীবনকাল
উন্নত মাত্রিক স্থায়িত্ব
দূষণ ঝুঁকি হ্রাস
পুরু এর উত্পাদন জটিলতাCVD SiC উপাদানস্ট্যান্ডার্ড থিন-ফিল্ম পণ্যের তুলনায় যথেষ্ট বেশি, বিশেষ করে যখন জটিল জ্যামিতি এবং নির্ভুল বৈশিষ্ট্যগুলি তৈরি করা হয়।
সিভিডি জমা করার প্রক্রিয়াটি ন্যূনতম ছিদ্র এবং অসামান্য বিশুদ্ধতার সাথে একটি ব্যতিক্রমী ঘন এবং অভিন্ন সিলিকন কার্বাইড উপাদান তৈরি করে।
মূল উপাদান বৈশিষ্ট্য অন্তর্ভুক্ত:
এই বৈশিষ্ট্যগুলি সেমিকন্ডাক্টর ফ্যাব্রিকেশন পরিবেশের জন্য গুরুত্বপূর্ণ যেখানে প্রক্রিয়া দূষণ সরাসরি ডিভাইসের কার্যকারিতা এবং উত্পাদন ফলনকে প্রভাবিত করতে পারে।
আধুনিক এচিং প্রক্রিয়াগুলি সময়ের সাথে সাথে প্রচলিত উপকরণ আক্রমণ করতে সক্ষম অত্যন্ত প্রতিক্রিয়াশীল প্লাজমা প্রজাতি তৈরি করে। প্লাজমার সংস্পর্শে আসা উপাদানগুলিকে অবশ্যই অবিচ্ছিন্ন বোমাবর্ষণ সহ্য করতে হবে এবং মাত্রিক নির্ভুলতা এবং পৃষ্ঠের অখণ্ডতা বজায় রাখতে হবে।
CVD SiCফিন ব্যতিক্রমী প্রতিরোধ প্রদান করে:
ফ্লোরিন-ভিত্তিক প্লাজমা রসায়ন
ক্লোরিন-ভিত্তিক এচিং পরিবেশ
অয়ন বোমাবাজি
রাসায়নিক ক্ষয়
থার্মাল সাইক্লিং
এর ঘন মাইক্রোস্ট্রাকচার উল্লেখযোগ্যভাবে উপাদানের অবক্ষয় হ্রাস করে এবং বর্ধিত উত্পাদন চলাকালীন স্থিতিশীল প্রক্রিয়ার অবস্থা বজায় রাখতে সহায়তা করে।
এটি উন্নত সমন্বিত সার্কিট উত্পাদনে উপাদানটিকে বিশেষভাবে মূল্যবান করে তোলে যেখানে প্রক্রিয়া পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা এবং সরঞ্জাম আপটাইম গুরুত্বপূর্ণ।
প্লাজমা প্রতিরোধের পাশাপাশি, CVD SiC Fin চরম তাপীয় অবস্থার অধীনে ব্যতিক্রমীভাবে ভাল কাজ করে।
সিলিকন কার্বাইড তাপমাত্রায় যান্ত্রিক শক্তি এবং মাত্রিক স্থিতিশীলতা ধরে রাখার ক্ষমতার জন্য পরিচিত যা অনেক প্রচলিত প্রকৌশল উপকরণকে চ্যালেঞ্জ করবে।
সুবিধার মধ্যে রয়েছে:
সেমিকোরেক্স জ্যামিতির একটি বিস্তৃত পরিসরে CVD SiC উপাদান তৈরি করতে প্রয়োজনীয় প্রযুক্তিগত দক্ষতার অধিকারী, যার মধ্যে রয়েছে:
CVD SiC Fin উপাদানগুলি সেমিকন্ডাক্টর ফ্যাব্রিকেশন সরঞ্জাম জুড়ে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, বিশেষত আক্রমনাত্মক প্রক্রিয়া অবস্থার সংস্পর্শে থাকা এলাকায়।
সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন অন্তর্ভুক্ত:
প্লাজমা এচিং সিস্টেম
শুকনো এচ চেম্বার
সেমিকন্ডাক্টর জমা করার সরঞ্জাম
উন্নত লজিক ডিভাইস উত্পাদন
মেমরি ডিভাইস উত্পাদন
পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াকরণ
যৌগিক সেমিকন্ডাক্টর ফ্যাব্রিকেশন