ওয়েফার ক্যারিয়ার

· চমৎকার তাপ পরিবাহিতা: দক্ষ তাপ স্থানান্তরের সুবিধা, অর্ধপরিবাহী এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সময় অপরিহার্য।

· উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধ: SiC আবরণ চরম তাপ পরিবেশ সহ্য করে, নিশ্চিত করে যে বাহক চুল্লিতে তাপীয় সাইক্লিং জুড়ে তার কর্মক্ষমতা বজায় রাখে।

· রাসায়নিক জারা প্রতিরোধের: SiC আবরণ উল্লেখযোগ্যভাবে বাহক এর অক্সিডেশন প্রতিরোধ ক্ষমতা উন্নত করে এবং প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাস থেকে জারা প্রায়ই এপিটাক্সির সময় সম্মুখীন হয়।

· মাত্রিক স্থিতিশীলতা: SiC এবং গ্রাফাইটের সংমিশ্রণ নিশ্চিত করে যে বাহক সময়ের সাথে তার আকৃতি এবং নির্ভুলতা ধরে রাখে, দীর্ঘ প্রক্রিয়া চলাকালীন বিকৃতির ঝুঁকি কমিয়ে দেয়।

সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সি গ্রোথের অ্যাপ্লিকেশন

এপিটাক্সি হল এমন একটি প্রক্রিয়া যেখানে অর্ধপরিবাহী উপাদানের একটি পাতলা স্তর একটি সাবস্ট্রেটে, সাধারণত একটি ওয়েফার, একটি স্ফটিক জালি কাঠামো তৈরি করতে জমা হয়। এই প্রক্রিয়া চলাকালীন, নির্ভুল ওয়েফার হ্যান্ডলিং গুরুত্বপূর্ণ, কারণ ওয়েফার পজিশনিংয়ে সামান্য বিচ্যুতিও স্তরের গঠনে ত্রুটি বা তারতম্যের কারণ হতে পারে।

এই প্রক্রিয়া চলাকালীন সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারগুলি নিরাপদে রাখা এবং সঠিকভাবে অবস্থান করা নিশ্চিত করতে ওয়েফার ক্যারিয়ার একটি মূল ভূমিকা পালন করে। SiC-কোটেড গ্রাফাইটের সংমিশ্রণ সিলিকন কার্বাইড (SiC) এপিটাক্সির জন্য প্রয়োজনীয় কর্মক্ষমতা বৈশিষ্ট্য সরবরাহ করে, এমন একটি প্রক্রিয়া যা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, অপটোইলেক্ট্রনিক্স এবং অন্যান্য উন্নত সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহারের জন্য উচ্চ-বিশুদ্ধতা SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধি করে।

বিশেষত, ওয়েফার ক্যারিয়ার:

· সুনির্দিষ্ট ওয়েফার প্রান্তিককরণ প্রদান করে: ওয়েফার জুড়ে এপিটাক্সিয়াল স্তরের বৃদ্ধিতে অভিন্নতা নিশ্চিত করা, যা ডিভাইসের ফলন এবং কর্মক্ষমতার জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

· তাপচক্র সহ্য করে: SiC-কোটেড গ্রাফাইট স্থিতিশীল এবং নির্ভরযোগ্য থাকে, এমনকি উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে 2000°C পর্যন্ত, সমগ্র প্রক্রিয়া জুড়ে সামঞ্জস্যপূর্ণ ওয়েফার পরিচালনা নিশ্চিত করে।

· ওয়েফার দূষণকে কম করে: ক্যারিয়ারের উচ্চ-বিশুদ্ধতা উপাদানের গঠন নিশ্চিত করে যে এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির প্রক্রিয়ার সময় ওয়েফারটি অবাঞ্ছিত দূষকগুলির সংস্পর্শে না আসে।

সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সি রিঅ্যাক্টরগুলিতে, ওয়েফার ক্যারিয়ারকে চুল্লি চেম্বারের মধ্যে স্থাপন করা হয়, যেখানে এটি ওয়েফারের জন্য একটি সমর্থন প্ল্যাটফর্ম হিসাবে কাজ করে। ক্যারিয়ারটি ওয়েফারের অখণ্ডতার সাথে আপস না করে ওয়েফারটিকে উচ্চ তাপমাত্রা এবং এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ায় ব্যবহৃত প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাসের সংস্পর্শে আসার অনুমতি দেয়। SiC আবরণ গ্যাসের সাথে রাসায়নিক মিথস্ক্রিয়া প্রতিরোধ করে, উচ্চ-মানের, ত্রুটি-মুক্ত উপাদানের বৃদ্ধি নিশ্চিত করে।

SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট ওয়েফার ক্যারিয়ারের সুবিধা

1. উন্নত স্থায়িত্ব: SiC আবরণ গ্রাফাইট উপাদানের পরিধান প্রতিরোধ ক্ষমতা বাড়ায়, একাধিক ব্যবহারে অবনতির ঝুঁকি হ্রাস করে।

2. উচ্চ-তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা: ওয়েফার ক্যারিয়ার এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ ফার্নেসগুলিতে সাধারণ চরম তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে, এটির গঠনগত অখণ্ডতাকে বিকৃত বা ফাটল ছাড়াই বজায় রাখে।

3. উন্নত ফলন এবং প্রক্রিয়া দক্ষতা: ওয়েফারগুলি নিরাপদে এবং ধারাবাহিকভাবে পরিচালনা করা নিশ্চিত করে, SiC-কোটেড গ্রাফাইট ওয়েফার ক্যারিয়ার এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সামগ্রিক ফলন এবং দক্ষতা উন্নত করতে সহায়তা করে।

4. কাস্টমাইজেশন বিকল্প: ক্যারিয়ারকে বিভিন্ন এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টরের নির্দিষ্ট চাহিদা মেটাতে আকার এবং কনফিগারেশনের পরিপ্রেক্ষিতে কাস্টমাইজ করা যেতে পারে, বিস্তৃত অর্ধপরিবাহী অ্যাপ্লিকেশনের জন্য নমনীয়তা প্রদান করে।

সেমিকোরেক্সSiC- প্রলিপ্ত গ্রাফাইটওয়েফার ক্যারিয়ার সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, যা এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সময় ওয়েফার পরিচালনার জন্য একটি সর্বোত্তম সমাধান প্রদান করে। তাপীয় স্থিতিশীলতা, রাসায়নিক প্রতিরোধ এবং যান্ত্রিক শক্তির সংমিশ্রণে, এটি সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারগুলির সুনির্দিষ্ট এবং নির্ভরযোগ্য পরিচালনা নিশ্চিত করে, যার ফলে উচ্চ মানের ফলাফল এবং এপিটাক্সি প্রক্রিয়াগুলিতে উন্নত ফলন হয়। সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সি বা অন্যান্য উন্নত সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনের জন্যই হোক না কেন, এই ওয়েফার ক্যারিয়ার আধুনিক সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের সঠিক মানগুলি পূরণ করার জন্য প্রয়োজনীয় স্থায়িত্ব এবং কর্মক্ষমতা প্রদান করে।