TaC আবরণ সহ ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট

TaC আবরণ সহ Semicorex ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট একটি TaC আবরণের প্রতিরক্ষামূলক এবং বর্ধিত ক্ষমতার সাথে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের অনন্য বৈশিষ্ট্যগুলিকে একত্রিত করে, উচ্চ-তাপমাত্রার ক্রুসিবলগুলিতে ব্যবহৃত ঐতিহ্যবাহী উপকরণগুলির তুলনায় উল্লেখযোগ্য উন্নতির প্রস্তাব দেয়।

গ্রাফাইট এবং ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট, যদিও তাদের তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা জন্য ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে উল্লেখযোগ্য চ্যালেঞ্জগুলি উপস্থাপন করে। ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট, বিশেষ করে, এর উচ্চ ব্যাপ্তিযোগ্যতার জন্য পছন্দ করা হয়, যা আরও ভাল গ্যাস প্রবাহ এবং অভিন্ন তাপমাত্রা বন্টনের অনুমতি দেয়। যাইহোক, এর উচ্চ ছিদ্রতা এটিকে যান্ত্রিকভাবে দুর্বল করে তোলে, যার ফলে উপাদানটিকে সঠিকভাবে মেশিন করা এবং আকার দিতে অসুবিধা হয়। উপরন্তু, ছিদ্রযুক্ত কাঠামোর ফলে কণা ঝরানো হতে পারে, যা SiC স্ফটিককে দূষিত করে। ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট উচ্চ তাপমাত্রা এবং প্রতিক্রিয়াশীল পরিবেশের অধীনে রাসায়নিক এচিং এবং অবক্ষয়ের জন্যও সংবেদনশীল, ক্রুসিবলের অখণ্ডতার সাথে আপস করে। একইভাবে, ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) পাউডারগুলি প্রায়শই এর বৈশিষ্ট্যগুলিকে উন্নত করতে গ্রাফাইটের সাথে আবরণ বা মেশানোর জন্য ব্যবহৃত হয়, তাদের অভিন্ন প্রয়োগ এবং আনুগত্য চ্যালেঞ্জিং হতে পারে, যা অসম পৃষ্ঠ এবং সম্ভাব্য দূষণের দিকে পরিচালিত করে।

TaC আবরণ পণ্যের সাথে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট উভয় উপাদানের সেরা বৈশিষ্ট্যগুলিকে একীভূত করে কার্যকরভাবে উপরের চ্যালেঞ্জগুলিকে অতিক্রম করে:

বর্ধিত যান্ত্রিক শক্তি: TaC আবরণ উল্লেখযোগ্যভাবে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের যান্ত্রিক শক্তি বৃদ্ধি করে, TaC আবরণ সহ ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটকে উপাদানের কাঠামোগত অখণ্ডতার সাথে আপস না করে মেশিন এবং আকৃতিতে সহজ করে তোলে।

হ্রাসকৃত কণা ঝরানো: TaC আবরণ ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের উপর একটি প্রতিরক্ষামূলক স্তর গঠন করে, যা কণা ঝরানো এবং SiC স্ফটিকগুলির দূষণের সম্ভাবনা হ্রাস করে।

উন্নত রাসায়নিক প্রতিরোধ: TaC রাসায়নিক এচিং এবং অবক্ষয়ের জন্য অত্যন্ত প্রতিরোধী, একটি টেকসই বাধা প্রদান করে যা ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটকে প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাস এবং উচ্চ-তাপমাত্রা পরিবেশ থেকে রক্ষা করে।

তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং পরিবাহিতা: গ্রাফাইট এবং TaC উভয়ই চমৎকার তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং পরিবাহিতা প্রদর্শন করে। TaC আবরণের সাথে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের সংমিশ্রণ নিশ্চিত করে যে ক্রুসিবলটি অভিন্ন তাপমাত্রা বন্টন বজায় রাখে, যা SiC স্ফটিকের ত্রুটিমুক্ত বৃদ্ধির জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

অপ্টিমাইজড ব্যাপ্তিযোগ্যতা: গ্রাফাইটের অন্তর্নিহিত পোরোসিটি দক্ষ গ্যাস প্রবাহ এবং তাপ ব্যবস্থাপনার জন্য অনুমতি দেয়, যখন TaC আবরণ নিশ্চিত করে যে উপাদানের অখণ্ডতার সাথে আপস না করে এই ব্যাপ্তিযোগ্যতা বজায় রাখা হয়েছে।

TaC আবরণ সহ Semicorex ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধির জন্য ব্যবহৃত উপকরণগুলিতে একটি উল্লেখযোগ্য অগ্রগতির প্রতিনিধিত্ব করে। ঐতিহ্যগত গ্রাফাইট এবং TaC পাউডারের সাথে যুক্ত যান্ত্রিক, রাসায়নিক এবং তাপীয় চ্যালেঞ্জ মোকাবেলা করে, TaC আবরণ সহ ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট কম ত্রুটি সহ উচ্চ মানের SiC স্ফটিক নিশ্চিত করে। ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের ব্যাপ্তিযোগ্যতা এবং TaC এর প্রতিরক্ষামূলক বৈশিষ্ট্যগুলির সংমিশ্রণ উচ্চ-তাপমাত্রার অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি শক্তিশালী সমাধান সরবরাহ করে, এটি উন্নত অর্ধপরিবাহী এবং ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির উত্পাদনে একটি অপরিহার্য উপাদান করে তোলে।