সেমিকোরেক্সের আইসিপি এচিং ক্যারিয়ার প্লেট হল ওয়েফার হ্যান্ডলিং এবং পাতলা ফিল্ম জমা করার প্রক্রিয়ার জন্য নিখুঁত সমাধান। আমাদের পণ্য উচ্চতর তাপ এবং জারা প্রতিরোধের, এমনকি তাপ অভিন্নতা, এবং ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ নিদর্শন প্রদান করে। একটি পরিষ্কার এবং মসৃণ পৃষ্ঠের সাথে, আমাদের ক্যারিয়ার আদিম ওয়েফারগুলি পরিচালনা করার জন্য উপযুক্ত।
সেমিকোরেক্সের আইসিপি এচিং ক্যারিয়ার প্লেট ওয়েফার হ্যান্ডলিং এবং পাতলা ফিল্ম জমার প্রক্রিয়াগুলির জন্য চমৎকার স্থায়িত্ব এবং দীর্ঘায়ু প্রদান করে। আমাদের পণ্য উচ্চতর তাপ এবং জারা প্রতিরোধের, এমনকি তাপ অভিন্নতা, এবং ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ নিদর্শন boasts. একটি পরিষ্কার এবং মসৃণ পৃষ্ঠের সাথে, আমাদের ক্যারিয়ার আদিম ওয়েফারগুলির সর্বোত্তম পরিচালনা নিশ্চিত করে। উচ্চ তাপমাত্রা, রাসায়নিক পরিষ্কারের পাশাপাশি উচ্চ তাপীয় অভিন্নতা প্রত্যাহার করুন।
আমাদের ICP এচিং ক্যারিয়ার প্লেট সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।
ICP এচিং ক্যারিয়ার প্লেটের পরামিতি
CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন |
||
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য |
||
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার |
FCC β ফেজ |
|
ঘনত্ব |
g/cm ³ |
3.21 |
কঠোরতা |
ভিকারস কঠোরতা |
2500 |
শস্য আকার |
μm |
2~10 |
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা |
% |
99.99995 |
তাপ ক্ষমতা |
J kg-1 K-1 |
640 |
পরমানন্দ তাপমাত্রা |
℃ |
2700 |
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ |
MPa (RT 4-পয়েন্ট) |
415 |
তরুণের মডুলাস |
Gpa (4pt বাঁক, 1300℃) |
430 |
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
তাপ পরিবাহিতা |
(W/mK) |
300 |
আইসিপি এচিং ক্যারিয়ার প্লেটের বৈশিষ্ট্য
- খোসা ছাড়ানো এড়িয়ে চলুন এবং সমস্ত পৃষ্ঠে আবরণ নিশ্চিত করুন
উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের: 1600 ডিগ্রি সেলসিয়াস পর্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীল
উচ্চ বিশুদ্ধতা: উচ্চ তাপমাত্রা ক্লোরিনেশন অবস্থার অধীনে CVD রাসায়নিক বাষ্প জমা দ্বারা তৈরি।
জারা প্রতিরোধের: উচ্চ কঠোরতা, ঘন পৃষ্ঠ এবং সূক্ষ্ম কণা।
জারা প্রতিরোধের: অ্যাসিড, ক্ষার, লবণ এবং জৈব বিকারক।
- সেরা ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জন করুন
- তাপীয় প্রোফাইলের সমতা গ্যারান্টি
- কোন দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ