গাইড রিং

সেমিকোরেক্স গাইড রিংটি সিসির (সিলিকন কার্বাইড) একক স্ফটিক বৃদ্ধির চুল্লিগুলির একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, যা স্ফটিক বৃদ্ধির পরিবেশকে অনুকূল করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এই উচ্চ-পারফরম্যান্স গাইড রিংটি উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট থেকে তৈরি করা হয় এবং এটি একটি অত্যাধুনিক সিভিডি (রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন) বৈশিষ্ট্যযুক্ত বৈশিষ্ট্যযুক্তট্যান্টালাম কার্বাইড (টিএসি) লেপ। এই উপকরণগুলির সংমিশ্রণটি উচ্চতর স্থায়িত্ব, তাপ স্থায়িত্ব এবং চরম রাসায়নিক এবং শারীরিক অবস্থার প্রতিরোধের বিষয়টি নিশ্চিত করে।

উপাদান এবং আবরণ

গাইড রিংয়ের বেস উপাদান হ'ল উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট, এটি তার দুর্দান্ত তাপ পরিবাহিতা, যান্ত্রিক শক্তি এবং উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীলতার জন্য নির্বাচিত। গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটটি তারপরে একটি উন্নত সিভিডি প্রক্রিয়া ব্যবহার করে ট্যানটালাম কার্বাইডের একটি ঘন, অভিন্ন স্তর দিয়ে প্রলেপ দেওয়া হয়। ট্যানটালাম কার্বাইড তার ব্যতিক্রমী কঠোরতা, জারণ প্রতিরোধের এবং রাসায়নিক জড়তার জন্য সুপরিচিত, এটি কঠোর পরিবেশে পরিচালিত গ্রাফাইট উপাদানগুলির জন্য একটি আদর্শ প্রতিরক্ষামূলক স্তর হিসাবে তৈরি করে।

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (জিএএন) এবং সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) দ্বারা প্রতিনিধিত্ব করা তৃতীয় প্রজন্মের প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপকরণগুলির মধ্যে দুর্দান্ত ফটোয়েলেকট্রিক রূপান্তর এবং মাইক্রোওয়েভ সিগন্যাল ট্রান্সমিশন ক্ষমতা রয়েছে এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-শক্তি এবং রেডিয়েশন-আবাসিক বৈদ্যুতিন ডিভাইসগুলির প্রয়োজনীয়তা পূরণ করতে পারে। অতএব, তাদের নতুন প্রজন্মের মোবাইল যোগাযোগ, নতুন শক্তি যানবাহন, স্মার্ট গ্রিড এবং এলইডি ক্ষেত্রে বিস্তৃত প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে। তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর শিল্প চেইনের ব্যাপক বিকাশের জন্য জরুরিভাবে মূল মূল প্রযুক্তিগুলিতে ব্রেকথ্রুগুলির প্রয়োজন, ডিভাইস ডিজাইন এবং উদ্ভাবনের অবিচ্ছিন্ন অগ্রগতি এবং আমদানি নির্ভরতার সমাধান।

উদাহরণ হিসাবে সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার বৃদ্ধি গ্রহণ করা, তাপীয় ক্ষেত্রের উপকরণগুলিতে গ্রাফাইট উপকরণ এবং কার্বন-কার্বন সংমিশ্রণ উপকরণগুলি 2300 at এ জটিল পরিবেশ (এসআই, এসআইসি, এসআইসি) প্রক্রিয়াটি পূরণ করা কঠিন ℃ কেবলমাত্র পরিষেবা জীবনই সংক্ষিপ্ত নয়, বিভিন্ন অংশ প্রতিটি এক থেকে দশটি চুল্লি প্রতিস্থাপন করা হয় এবং উচ্চ তাপমাত্রায় গ্রাফাইটের অনুপ্রবেশ এবং উদ্বায়ীকরণ সহজেই কার্বন অন্তর্ভুক্তির মতো স্ফটিক ত্রুটিগুলি তৈরি করতে পারে। অর্ধপরিবাহী স্ফটিকগুলির উচ্চমানের এবং স্থিতিশীল বৃদ্ধি নিশ্চিত করার জন্য এবং শিল্প উত্পাদনের ব্যয় বিবেচনা করে, অতি-উচ্চ তাপমাত্রা জারা-প্রতিরোধী সিরামিক আবরণগুলি গ্রাফাইট অংশগুলির পৃষ্ঠে প্রস্তুত করা হয়, যা গ্রাফাইট উপাদানগুলির জীবনকে প্রসারিত করবে, অপরিষ্কার স্থানান্তরকে বাধা দেবে এবং স্ফটিক বিশুদ্ধতা উন্নত করবে। সিলিকন কার্বাইডের এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধিতে, একটি সিলিকন কার্বাইড লেপযুক্ত গ্রাফাইট সংবেদক সাধারণত একক স্ফটিক স্তরকে সমর্থন এবং গরম করতে ব্যবহৃত হয়। এর পরিষেবা জীবন এখনও উন্নত করা দরকার এবং ইন্টারফেসে সিলিকন কার্বাইড জমাগুলি নিয়মিত পরিষ্কার করা দরকার। বিপরীতে,ট্যান্টালাম কার্বাইড (টিএসি) লেপক্ষয়কারী পরিবেশ এবং উচ্চ তাপমাত্রার জন্য আরও প্রতিরোধী এবং এই জাতীয় এসআইসি স্ফটিকের "বৃদ্ধি, বেধ এবং গুণমান" এর মূল প্রযুক্তি।

যখন এসআইসি শারীরিক বাষ্প পরিবহন (পিভিটি) দ্বারা প্রস্তুত করা হয়, তখন বীজ স্ফটিকটি তুলনামূলকভাবে কম তাপমাত্রা জোনে থাকে এবং এসআইসি কাঁচামাল তুলনামূলকভাবে উচ্চ তাপমাত্রা জোনে থাকে (2400 ℃ এর উপরে)। কাঁচামাল সিক্সসি উত্পাদন করতে পচে যায় (প্রধানত সি, এসআইসি, সিআইসি, ইত্যাদি) এবং গ্যাস পর্বের উপাদানগুলি উচ্চ তাপমাত্রা অঞ্চল থেকে নিম্ন তাপমাত্রা অঞ্চলে বীজ স্ফটিকগুলিতে স্থানান্তরিত হয় এবং নিউক্লিয়টস এবং একটি একক স্ফটিক গঠনে বৃদ্ধি পায়। এই প্রক্রিয়াতে ব্যবহৃত তাপ ক্ষেত্রের উপকরণগুলি যেমন ক্রুসিবল, গাইড রিং এবং বীজ স্ফটিক ধারককে অবশ্যই উচ্চ তাপমাত্রার প্রতিরোধী হতে হবে এবং এসআইসি কাঁচামাল এবং এসআইসি একক স্ফটিক দূষিত করবে না। টিএসি-লেপযুক্ত গ্রাফাইট তাপ ক্ষেত্রের উপকরণগুলি ব্যবহার করে প্রস্তুত এসআইসি এবং এএলএন ক্লিনার, প্রায় কোনও অমেধ্য যেমন কার্বন (অক্সিজেন, নাইট্রোজেন), কম প্রান্তের ত্রুটিগুলি, প্রতিটি অঞ্চলে ছোট প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস মাইক্রোপোর ঘনত্ব এবং এচ পিট ঘনত্ব (কোহ এচিংয়ের পরে), স্ফটিকের গুণমানকে ব্যাপকভাবে উন্নত করে। তদ্ব্যতীত, টিএসি ক্রুসিবলের ওজন হ্রাস হার প্রায় শূন্য, চেহারা অক্ষত এবং এটি পুনর্ব্যবহারযোগ্য হতে পারে, যা এই জাতীয় একক স্ফটিক প্রস্তুতির টেকসইতা এবং দক্ষতা উন্নত করতে পারে।