আইসিপির জন্য এসআইসি ক্যারিয়ার

আইসিপির জন্য আধুনিক ইন্ডেটিভলি কুপ্লেডপ্লাজমা (আইসিপি) ইচ এবং ডিপোজিট সরঞ্জাম, সেমিকোরেক্সসিক - প্রলিপ্ত গ্রাফাইট ক্যারিয়ারের আপোষহীন চাহিদা মেটাতে ইঞ্জিনিয়ারড প্লাজমা স্থিতিস্থাপকতা, তাপীয় নির্ভুলতা এবং যান্ত্রিক স্থিতিশীলতার একটি বিরল ভারসাম্য সরবরাহ করে। এর মূল অংশে একটি মালিকানাধীন, ছোট - ব্যাচ গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট রয়েছে যার স্ফটিক ওরিয়েন্টেশনটি অসাধারণ অ্যানিসোট্রপিক আচরণ উত্পাদন করতে শক্তভাবে নিয়ন্ত্রণ করা হয়: প্লেন তাপীয় পরিবাহিতা অনেক দূরে প্রচলিত আইসোস্ট্যাটিক গ্রেডকে ছাড়িয়ে যায়, যখন প্লেন পথটি ইচ্ছাকৃতভাবে হট স্পটকে দমন করার জন্য মধ্যস্থতা করে থাকে। এই দিকনির্দেশক তাপ - প্রবাহ ব্যবস্থাপনা নিশ্চিত করে যে প্রতিটি 150 মিমি থেকে 300 মিমি ওয়েফার জুড়ে প্রতিটি মারা যায় অভিন্ন তাপমাত্রা র‌্যাম্পিং এবং অবিচলিত - রাষ্ট্রীয় ভারসাম্যহীন, সরাসরি সংকীর্ণ সমালোচনামূলক - মাত্রিক (সিডি) বিতরণ এবং উচ্চতর ডিভাইসের ফলনে অনুবাদ করে।

এই আল্ট্রা - পিউর গ্রাফাইটের চারপাশে মোড়ানো একটি উচ্চ -তাপমাত্রা সিভিডি চুল্লীতে ডিপোজিটেড একটি কনফরমাল সিলিকন - কার্বাইড স্তর কো -ডিপোসিটেড। এসআইসি লেপ - রাসায়নিকভাবে 2,000 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড পর্যন্ত জড়িত এবং 0.1%এরও কমের একটি মাইক্রো -পোরোসিটি গর্বিত করে - উচ্চ -ঘনত্বের আইসিপি কেমিস্ট্রিগুলিতে সাধারণ ফ্লোরিন, ক্লোরিন এবং ব্রোমিন র‌্যাডিক্যালগুলির বিরুদ্ধে একটি দুর্ভেদ্য ield াল তৈরি করে। সিএফ ₄/ও, সিএল ₂/বিসিএল এবং এইচবিআর/এইচবিআর/তিনি প্লাজমাসে দীর্ঘমেয়াদী সহনশীলতা পরীক্ষাগুলি 0.3µmper100 ঘন্টা এর নীচে ক্ষয়ের হার প্রদর্শন করেছে, শিল্পের নিয়মের বাইরে ক্যারিয়ার পরিষেবা জীবনকে ভালভাবে প্রসারিত করেছে এবং প্রতিরোধমূলক - মেন্ট রক্ষণাবেক্ষণের ডাউনটাইমকে হ্রাস করে।

মাত্রিক নির্ভুলতা সমানভাবে আপোষহীন: পুরো পকেটযুক্ত অঞ্চল জুড়ে পৃষ্ঠের সমতলতা ± 5µm এর মধ্যে নিয়ন্ত্রণ করা হয়, অন্যদিকে প্রান্ত বর্জন বৈশিষ্ট্যগুলি লেজার - মাইক্রো -আর্কিং থেকে ওয়েফার ঘেরকে রক্ষা করার জন্য মিশ্রিত হয়। কঠোর সহনশীলতা, এসআইসি লেপের নিকটবর্তী - ডায়ামন্ড কঠোরতার সাথে মিলিত হয়ে যান্ত্রিক ক্ল্যাম্পিং এবং ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক - চিক সাইক্লিংয়ের অধীনে কণা প্রজন্মকে প্রতিরোধ করে, কিলার ত্রুটিযুক্ত দূষণ থেকে সাব - 10nm নোড প্রক্রিয়াগুলিকে সুরক্ষিত করে। উচ্চ -শক্তি আইসিপি রিঅ্যাক্টরগুলির জন্য, ক্যারিয়ারের নিম্ন বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ ক্ষমতা (<40µω · এম) দ্রুত আরএফ গ্রাউন্ড - প্লেন স্থিতিশীলতা প্রচার করে, শীট - ভোল্টেজের ওঠানামাগুলি হ্রাস করে যা অন্যথায় ফোটোরিস্ট প্রোফাইলগুলিকে ক্ষয় করতে পারে বা মাইক্রো -ম্যাসিংকে প্ররোচিত করতে পারে।

সেমিকোরেক্স ক্যারিয়ারের প্রতিটি ব্যাচ গ্রাফাইট ক্রিস্টালোগ্রাফিক প্রান্তিককরণ, এসইএম ক্রস - সিক স্তর অখণ্ডতা নিশ্চিত করার জন্য এবং পিপিএম - স্তরের অপরিষ্কার প্রান্তিকগুলি প্রত্যয়িত করার জন্য অবশিষ্টাংশ বিশ্লেষণগুলি যাচাই করার জন্য র্যামান ম্যাপিং করে। যেহেতু আমরা মাইক্রো - লট প্রোডাকশনের উপর জোর দিয়েছি (প্রতি রান প্রতি 20 টিরও কম), পরিসংখ্যান প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণ চার্টগুলি ব্যতিক্রমীভাবে শক্ত থেকে যায়, যা আমাদের ম্যাস -মার্কেট সরবরাহকারীরা কেবল ম্যাচ করতে পারে না এমন ওয়েফার -ওয়েফার প্রজননযোগ্যতার গ্যারান্টি দেওয়ার অনুমতি দেয়। কাস্টম জ্যামিতি, পকেট গভীরতা এবং ব্যাকসাইড কুলিং চ্যানেলগুলি তিন সপ্তাহের মতো স্বল্প সময়ের সাথে সীসা সময়ের সাথে উপলব্ধ, সরঞ্জাম ওএমএস এবং উচ্চ -মিক্স ফ্যাবসকে পুরো হার্ডওয়্যার স্ট্যাকগুলি নতুন করে ডিজাইন না করে চেম্বারের রেসিপিগুলি অনুকূল করতে।

হারমেটিক সিক আর্মারের সাথে বিশ্ব -শ্রেণীর অ্যানিসোট্রপিক গ্রাফাইটকে একত্রিত করে, আইসিপির সেমিকোরেক্স সিক ক্যারিয়ার একটি দীর্ঘ -জীবিত, দূষণ - বিরূপ এবং তাপীয়ভাবে অভিন্ন প্ল্যাটফর্ম - এমন একটি যা কেবল কঠোর প্লাজমা পরিবেশকে সহ্য করে না, তবে প্রক্রিয়া উইন্ডো অক্ষাংশ এবং ডাই -ল্লেভেল পারফরম্যান্সকে সক্রিয়ভাবে বাড়িয়ে তোলে। ডিভাইস প্রস্তুতকারকদের জন্য চিরকালীন - টাইটার লাইনউইথস, স্টিপার প্রোফাইল এবং মালিকানার স্বল্প ব্যয়ের দিকে প্রচেষ্টা করা, এটি পছন্দের বাহক যেখানে প্রতিটি মাইক্রন, প্রতিটি ওয়েফার এবং প্রতিটি ঘন্টা আপটাইম গণনা করে।