রিসিভার প্লেট

সেমিকোরেক্স সাসেপ্টর প্লেট এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, বিশেষভাবে পাতলা ফিল্ম বা স্তর জমার সময় সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার বহন করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। ধাতু-জৈব রাসায়নিক বাষ্প জমা (MOCVD) এর প্রেক্ষাপটে, এই প্লেটগুলি বিশেষভাবে এমন উপকরণ থেকে তৈরি করা হয়েছে যা উচ্চ তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে এবং এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির বৃদ্ধির জন্য একটি স্থিতিশীল পৃষ্ঠ সরবরাহ করতে পারে।

এই প্রক্রিয়ায় ব্যবহৃত সাসেপ্টর প্লেটটি গ্রাফাইট থেকে তৈরি করা হয় যা একটি MOCVD প্রক্রিয়ার মাধ্যমে সিলিকন কার্বাইড (SiC) দিয়ে লেপা। সিলিকন কার্বাইড ব্যতিক্রমী তাপীয় স্থিতিশীলতা, যান্ত্রিক শক্তি এবং রাসায়নিক বিক্রিয়ার প্রতিরোধের প্রস্তাব করে, এটি এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির চাহিদাপূর্ণ অবস্থার জন্য একটি আদর্শ পছন্দ করে তোলে।

MOCVD-এর সময়, সাসেপ্টর প্লেট সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারগুলিতে কার্যকরভাবে তাপ স্থানান্তর করে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। প্লেটটি আশেপাশের পরিবেশ থেকে শক্তি শোষণ করে এবং ওয়েফারের দিকে বিকিরণ করে, যা ওয়েফার পৃষ্ঠের উপর পাতলা ফিল্মগুলির নিয়ন্ত্রিত জমার সুবিধা দেয়। এই সুনির্দিষ্ট তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ অভিন্ন এবং উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলি অর্জনের জন্য অপরিহার্য, যা উন্নত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির উত্পাদনে অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

এমওসিভিডি প্রসেসে সাসেপ্টর প্লেট, সিসি-কোটেড গ্রাফাইট দ্বারা গঠিত, সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারগুলিকে সমর্থন করার জন্য, সর্বোত্তম তাপ স্থানান্তর নিশ্চিত করার জন্য এবং সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য পছন্দসই বৈশিষ্ট্য সহ পাতলা ফিল্মের সফল এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধিতে অবদান রাখার জন্য একটি নির্ভরযোগ্য প্ল্যাটফর্ম হিসাবে কাজ করে।